エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1993/07/26)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1993/7/26
[資料番号]
目次

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[発表日]1993/7/26
[資料番号]
光CVD法によるシリコン窒化膜の評価

森 克文,  出口 泰,  高橋 芳浩,  大西 一功,  

[発表日]1993/7/26
[資料番号]SDM93-56
電界を用いた増速液相堆積法SiO_2膜の諸特性

福光 賢児,  羽路 伸夫,  

[発表日]1993/7/26
[資料番号]SDM93-57
極薄Si直接窒化・酸化ゲート絶縁膜の評価

青山 敬幸,  山崎 辰也,  杉井 寿博,  伊藤 隆司,  

[発表日]1993/7/26
[資料番号]SDM93-58
MOS構造のγ線照射前後での酸化膜中電荷分布評価

岡田 耕平,  今木 俊作,  高橋 芳浩,  吉川 正人,  大西 一功,  

[発表日]1993/7/26
[資料番号]SDM93-59
熱酸化シリコンの照射損傷による構造変化

杉田 義博,  奈良 安雄,  堀内 敬,  伊藤 隆司,  

[発表日]1993/7/26
[資料番号]SDM93-60
チャージアップ現象を利用したゲート酸化膜の耐圧特性の改善

冨永 之廣,  奈良 明彦,  牛越 貴俊,  味岡 恒夫,  北林 宥憲,  

[発表日]1993/7/26
[資料番号]SDM93-61
POLY-Si MOS TFTの高電圧ストレス印加による効果

,  有村 公晴,  

[発表日]1993/7/26
[資料番号]SDM93-62
ウルトラクリーン酸化で形成した極薄ゲート酸化膜のホットキャリア耐性

中村 亘,  牧原 康二,  森田 瑞穂,  大見 忠弘,  

[発表日]1993/7/26
[資料番号]SDM93-63
MOSFETにおけるキャリア・ホット化現象の理論的解析

大村 泰久,  

[発表日]1993/7/26
[資料番号]SDM93-64
極薄酸化膜MOS界面の界面準位評価 : BT試験による界面準位発生のゲート膜厚依存性

小川 重男,  嶋屋 正一,  塩野 登,  

[発表日]1993/7/26
[資料番号]SDM93-65
シリコン陽極酸化過程における発光現象の「その場」測定

周 桂喜,  中西 洋一郎,  畑中 義式,  

[発表日]1993/7/26
[資料番号]SDM93-66
ダブルゲートMOSFETにおける移動度・相互コンダクタンス増大現象の解析

猪川 洋,  酒井 徹志,  

[発表日]1993/7/26
[資料番号]SDM93-67
MOSチャネル移動度のSi/SiO_2界面マイクロラフネス依存性

大見 和幸,  二ツ木 高志,  牧原 康二,  山本 和馬,  大見 忠弘,  

[発表日]1993/7/26
[資料番号]SDM93-68
大電流ストレスによるジャイアント・グレインCu配線のエレクトロマイグレーション耐性評価

山田 尚,  星 司,  竹脇 利至,  柴田 直,  大見 忠弘,  新田 雄久,  

[発表日]1993/7/26
[資料番号]SDM93-69
炭素イオン打込みによるゲッタリング

安藤 敏夫,  磯前 誠一,  近藤 香織,  杉野 雄史,  田村 誠男,  

[発表日]1993/7/26
[資料番号]SDM93-70
ジクロロエチレン添加酸化により形成したゲート酸化膜の絶縁破壊特性

米田 健司,  萩原 健至,  大石 博司,  戸所 義博,  

[発表日]1993/7/26
[資料番号]SDM93-71
[OTHERS]

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[発表日]1993/7/26
[資料番号]