エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1993/05/28)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]1993/5/28
[資料番号]
目次

,  

[発表日]1993/5/28
[資料番号]
[CATALOG]

,  

[発表日]1993/5/28
[資料番号]
スマートイメージセンサ用PROMの検討

秋元 肇 /,  

[発表日]1993/5/28
[資料番号]SDM93-22,ICD93-24
1トランジスタ型メモリセルを用いたビット消去可能なFlash EEPROM技術

佐藤 康夫,  岩佐 昇一,  澤田 喜久三,  安西 賢二,  和田 俊男,  

[発表日]1993/5/28
[資料番号]SDM93-23,ICD93-25
3V単一電源DINOR型フラッシュメモリ

小野田 宏,  九ノ里 勇一,  小林 真一,  大井 誠,  福本 敦,  味香 夏夫,  畑中 正宏,  三好 寛和,  

[発表日]1993/5/28
[資料番号]SDM93-24,ICD93-26
酸窒化トンネル酸化膜を用いる高信頼性フラッシュEEPROMの検討

福田 永,  岩谷 正明,  辻本 雅夫,  小野 隆,  内山 章,  

[発表日]1993/5/28
[資料番号]SDM93-25,ICD93-27
最近のFlash EEPROMの消去法の比較 : 安定性といかに制御するか

大島 洋一,  吉川 邦良,  宮本 順一,  山田 誠司,  押切 雅光,  山根 朋子,  樋浦 洋平,  山田 兼慈,  渥美 滋,  

[発表日]1993/5/28
[資料番号]SDM93-26,ICD93-28
2段階消去法によるフラッシュメモリ消去しきい値制御

小山 健一,  白井 浩樹,  児玉 典昭,  金森 宏治,  斎藤 賢治,  久宗 義明,  岡澤 武,  

[発表日]1993/5/28
[資料番号]SDM93-27,ICD93-29
256Mb DRAM用HSG-Siシリンダキャパシタ

渡辺 啓仁,  辰己 徹,  大西 貞之,  浜田 健彦,  本間 一郎,  吉川 公麿,  北島 洋,  

[発表日]1993/5/28
[資料番号]SDM93-28,ICD93-30
HFヴェーパクリーニングを前処理として用いた極薄シリコン窒化膜の形成

吉丸 正樹,  井上 信彦,  黒木 弘樹,  田村 浩之,  市川 文雄,  伊野 昌義,  

[発表日]1993/5/28
[資料番号]SDM93-29,ICD93-31
セルフアラインプラグを有する0.25μm埋め込み配線

上野 和良,  大音 光市,  恒成 欣嗣,  菊田 邦子,  吉川 公磨,  

[発表日]1993/5/28
[資料番号]SDM93-30,ICD93-32
▽(ナブラ)トレンチアイソレーション : 256M DRAM素子分離技術

芝原 健太郎,  浜田 昌幸,  巌 庄一,  渡嘉敷 健,  國尾 武光,  

[発表日]1993/5/28
[資料番号]SDM93-31,ICD93-33
[OTHERS]

,  

[発表日]1993/5/28
[資料番号]