エレクトロニクス-超伝導エレクトロニクス(開催日:2010/10/12)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2010/10/12
[資料番号]
目次

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[発表日]2010/10/12
[資料番号]
非対称ナノブリッジにおけるボルテクスのラチェット的挙動(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)

藤田 圭佑,  梶野 顕明,  早川 桂太,  安 保宇,  井上 真澄,  藤巻 朗,  

[発表日]2010/10/12
[資料番号]SCE2010-24
電流バイアスされた固有ジョセフソン接合からのテラヘルツ波放射スペクトルの検討(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)

立木 隆,  内田 貴司,  

[発表日]2010/10/12
[資料番号]SCE2010-25
プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)

内藤 直生人,  船井 辰則,  丸山 千風,  赤池 宏之,  藤巻 朗,  

[発表日]2010/10/12
[資料番号]SCE2010-26
Nb-AlO_x-Nbジョセフソン接合における臨界電流値バラツキの解析(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)

日野出 憲治,  佐藤 哲朗,  永沢 秀一,  日高 睦夫,  

[発表日]2010/10/12
[資料番号]SCE2010-27
NbN及びMgB_2を用いたグラウンドプレーンによる磁束トラップへの影響(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)

御田村 直樹,  内藤 直生人,  赤池 宏之,  藤巻 朗,  新原 佳紘,  内藤 方夫,  

[発表日]2010/10/12
[資料番号]SCE2010-28
TDGL方程式による超伝導体薄膜の磁場排除効果の数値解析(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)

堤 早希,  御田村 直樹,  赤池 宏之,  井上 真澄,  藤巻 朗,  

[発表日]2010/10/12
[資料番号]SCE2010-29
フリップチップ接続による磁場結合方式に基づくSQUIDの評価(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)

山田 隆宏,  前澤 正明,  丸山 道隆,  大江 武彦,  浦野 千春,  金子 晋久,  日高 睦夫,  佐藤 哲朗,  永沢 秀一,  日野出 憲治,  神代 暁,  

[発表日]2010/10/12
[資料番号]SCE2010-30
SSPDアレー化のためのSFQ読み出し動作の実証(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)

寺井 弘高,  三木 茂人,  山下 太郎,  牧瀬 圭正,  王 鎮,  

[発表日]2010/10/12
[資料番号]SCE2010-31
SFQ回路への光回路の集積 : ISTEC Nb standard process IIを用いた光コンポーネントの検討(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)

有田 与希,  吉川 信行,  馬場 俊彦,  

[発表日]2010/10/12
[資料番号]SCE2010-32
10kA/cm^2プロセスを用いた2並列2段単一磁束量子再構成可能なデータパスの動作実証(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)

岡田 将和,  カタエバ イリナ,  伊藤 将人,  田中 雅光,  赤池 宏之,  藤巻 朗,  吉川 信行,  永沢 秀一,  高木 直史,  

[発表日]2010/10/12
[資料番号]SCE2010-33
10kA/cm^2 Nb Processを用いたSFQバタフライ演算回路の要素回路の動作評価(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)

宮岡 史滋,  島村 泰浩,  貝沼 世樹,  山梨 裕希,  吉川 信行,  

[発表日]2010/10/12
[資料番号]SCE2010-34
Josephson-CMOSハイブリッドメモリのアクセスタイムのアドレス依存性の測定(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)

矢口 謙太,  桑原 啓太,  陳 賢珠,  山梨 裕希,  吉川 信行,  

[発表日]2010/10/12
[資料番号]SCE2010-35
複写される方へ

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[発表日]2010/10/12
[資料番号]
Notice for Photocopying

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[発表日]2010/10/12
[資料番号]
奥付

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[発表日]2010/10/12
[資料番号]
裏表紙

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[発表日]2010/10/12
[資料番号]