エレクトロニクス-光エレクトロニクス(開催日:1995/11/21)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]1995/11/21
[資料番号]
目次

,  

[発表日]1995/11/21
[資料番号]
Advanced 結晶成長技術によるLD励起レーザー結晶および非線形光学結晶 : GdVO_4, K_3Li_2Nb_5O_<15>の結晶成長と光学特性評価

福田 承生,  島村 清史,  谷内 哲夫,  

[発表日]1995/11/21
[資料番号]OPE95-97
MOVPE法による GaN 結晶成長におけるバッファ層の効果

石橋 明彦,  武石 英見,  萬濃 正也,  薮内 康文,  伴 雄三郎,  

[発表日]1995/11/21
[資料番号]OPE95-98
窒化層形成とその表面状態制御によるサファイア基板上へのGaN成長

内田 憲治,  渡辺 明禎,  矢野 史子,  高口 雅成,  田中 俊明,  皆川 重量,  

[発表日]1995/11/21
[資料番号]OPE95-99
選択成長技術によるGaN結晶の形状制御とその光導波路形成への検討

田中 俊明,  内田 憲治,  渡辺 明禎,  皆川 重量,  

[発表日]1995/11/21
[資料番号]OPE95-100
ファイバ集積型アイソレータの新構成方法の提案と試作

入江 剛,  白石 和男,  佐藤 尚,  笠原 亮一,  川上 彰二郎,  

[発表日]1995/11/21
[資料番号]OPE95-101
新しい光ファイバ歪変動計測方式

小川 理,  上片野 充,  松澤 隆志,  

[発表日]1995/11/21
[資料番号]OPE95-102
InGaAsP 歪量子井戸におけるPL発光特性の成長温度依存性

大塚 信之,  鬼頭 雅弘,  藪内 康文,  石野 正人,  松井 康,  

[発表日]1995/11/21
[資料番号]OPE95-103
選択MOVPEによるV族組成変化の InGaAsP 組成依存性

中村 幸治,  大柴 小枝子,  堀川 英明,  

[発表日]1995/11/21
[資料番号]OPE95-104
TBA,TBPを用いた高均一高制御MQWのMOVPE成長

阿江 敬,  中村 隆宏,  鈴木 尚文,  鶴岡 清貴,  寺門 知二,  鳥飼 俊敬,  宇治 俊,  

[発表日]1995/11/21
[資料番号]OPE95-105
高濃度Seドープ埋め込みを用いたp型InP基板上のアレイレーザ

高岡 圭児,  櫛部 光弘,  泉谷 敏英,  国分 義弘,  平山 雄三,  

[発表日]1995/11/21
[資料番号]OPE95-106
段差形状基板上のMOVPE成長

穴山 親志,  近藤 真人,  棚橋 俊之,  

[発表日]1995/11/21
[資料番号]OPE95-107
(GaP)_m/(InP)_m短周期二元超格子におけるGaInP量子細線構造の自己組織化条件と量子細線レーザ

吉田 順自,  菊池 昭彦,  野村 一郎,  岸野 克巳,  

[発表日]1995/11/21
[資料番号]OPE95-108
Be(CH_3C_5H_4)_2を用いだMOMBE成長によるInPへのベリリウムドーピング

満原 学,  小笠原 松幸,  杉浦 英雄,  

[発表日]1995/11/21
[資料番号]OPE95-109
光励起面型光増幅器の作製と評価

鄭 期太,  花泉 修,  柏田 伸也,  シュアイブ イブラヒム,  川瀬 賢司,  川上 彰二郎,  

[発表日]1995/11/21
[資料番号]OPE95-110
[OTHERS]

,  

[発表日]1995/11/21
[資料番号]