エレクトロニクス-有機エレクトロニクス(開催日:2016/04/08)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[招待講演]有機薄膜太陽電池の性能におよぼすMoO3陰極バッファーの効果

景山 弘(琉球大),  林 翔太郎(琉球大),  長谷部 大知(琉球大),  石川 岩道(琉球大),  仲本 裕介(琉球大),  森宗 太一郎(香川高専),  

[発表日]2016-04-08
[資料番号]SDM2016-2,OME2016-2
固液界面におけるチトクロームcの固定化と直接電子移動反応に対する表面修飾の効果

松田 直樹(産総研),  岡部 浩隆(産総研),  

[発表日]2016-04-08
[資料番号]SDM2016-1,OME2016-1
[招待講演]Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価

志村 洋介(静岡大),  竹内 和歌奈(名大),  坂下 満男(名大),  黒澤 昌志(名大),  中塚 理(名大),  財満 鎭明(名大),  

[発表日]2016-04-08
[資料番号]SDM2016-5,OME2016-5
非熱的エネルギーを用いた非晶質Ge/SiO2の低温固相成長

草野 欽太(熊本高専),  工藤 和樹(熊本高専),  塘内 功大(熊本高専),  坂口 大成(熊本高専),  茂籐 健太(熊本高専),  本山 慎一(サムコ),  楠田 豊(サムコ),  古田 真浩(サムコ),  中 庸行(堀場製作所),  沼田 朋子(堀場製作所),  高倉 健一郎(熊本高専),  角田 功(熊本高専),  

[発表日]2016-04-08
[資料番号]SDM2016-8,OME2016-8
スパッタSi膜へのマルチショットELAとメタルソース・ドレイン構造TFT

原田 大成(琉球大),  我喜屋 風太(琉球大),  安次富 卓哉(琉球大),  岡田 竜弥(琉球大),  野口 隆(琉球大),  野田 勘治(ギガフォトン),  諏訪 輝(ギガフォトン),  池上 浩(九大),  奥山 哲雄(東洋紡),  

[発表日]2016-04-08
[資料番号]SDM2016-10,OME2016-10
絶縁基板上における高Sn濃度(>10%)GeSn薄膜結晶の形成

茂藤 健太(九大),  松村 亮(九大),  佐道 泰造(九大),  池上 浩(九大),  宮尾 正信(九大),  

[発表日]2016-04-08
[資料番号]SDM2016-6,OME2016-6
金属誘起横方向成長法によるSnドープGe/絶縁基板の低温形成

酒井 崇嗣(九大),  松村 亮(九大),  佐道 泰造(九大),  宮尾 正信(九大),  

[発表日]2016-04-08
[資料番号]SDM2016-7,OME2016-7
大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化ゲルマニウム膜の電気特性評価及び高性能薄膜トランジスタの作製

中谷 太一(広島大),  原田 大夢(広島大),  東 清一郎(広島大),  

[発表日]2016-04-08
[資料番号]SDM2016-9,OME2016-9
パネル上システムのための青色半導体レーザアニーリングにより形成された高光伝導性シリコン薄膜

コスワッタゲー チャリット ジャヤナダ(琉球大),  中尾 浩太(琉球大),  岡田 竜弥(琉球大),  野ロ 隆(琉球大),  

[発表日]2016-04-08
[資料番号]SDM2016-11,OME2016-11
[招待講演]メソスコピック寸法のλ-DNA/SiO2/Si構造における正孔の非クーロンブロケード/ステアケース現象

松尾 直人(兵庫県立大),  高田 忠雄(兵庫県立大),  部家 彰(兵庫県立大),  山名 一成(兵庫県立大),  佐藤 旦(広島大),  横山 新(広島大),  大村 泰久(関西大),  

[発表日]2016-04-08
[資料番号]SDM2016-4,OME2016-4
[招待講演]低仕事関数金属界面制御層を用いた有機半導体トランジスタのデバイス特性

大見 俊一郎(東工大),  前田 康貴(東工大),  古山 脩(東工大),  廣木 瑞葉(東工大),  

[発表日]2016-04-08
[資料番号]SDM2016-3,OME2016-3
[招待講演]酸化物半導体を用いた不揮発性メモリ薄膜トランジスタの作製

尹 聖民(慶熙大),  金 昭淨(慶熙大),  朴 珉智(慶熙大),  尹 多貞(慶熙大),  

[発表日]2016-04-09
[資料番号]SDM2016-12,OME2016-12
デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのキャリア輸送メカニズムの解析

是友 大地(高知工科大),  戸田 達也(高知工科大),  松田 時宜(龍谷大),  木村 睦(龍谷大),  古田 守(高知工科大),  

[発表日]2016-04-09
[資料番号]SDM2016-14,OME2016-14
[招待講演]フレキシブルデバイスに向けた低温プロセス自己整合型InGaZnO薄膜トランジスタ

古田 守(高知工科大),  戸田 達也(高知工科大),  辰岡 玄悟(高知工科大),  曲 勇作(高知工科大),  

[発表日]2016-04-09
[資料番号]SDM2016-13,OME2016-13
ポリシリコンTFTのスパッタSiO2ゲート絶縁膜への低温アニール効果

玉城 光(琉球大),  井村 公彦(琉球大),  岡田 竜弥(琉球大),  野口 隆(琉球大),  

[発表日]2016-04-09
[資料番号]SDM2016-16,OME2016-16
High-kゲート絶縁膜を有する自己整合四端子メタルダブルゲートNi-SPC LT poly-Si TFT

仁部 翔太(東北学院大),  大澤 弘樹(東北学院大),  原 明人(東北学院大),  

[発表日]2016-04-09
[資料番号]SDM2016-15,OME2016-15
レーザーアニール技術の高性能パワーMOSFETsプロセスへの応用

陳 訳(琉球大),  岡田 竜弥(琉球大),  野口 隆(琉球大),  

[発表日]2016-04-09
[資料番号]SDM2016-17,OME2016-17