エレクトロニクス-マイクロ波(開催日:2015/01/08)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]
目次

,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]
矩形波駆動平衡形ダイオードミクサ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

濱 穂並,  伊東 健治,  野口 啓介,  廣田 哲夫,  牧野 滋,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]ED2014-117,MW2014-181
複素自己組織化マップ画像処理による複数周波数を用いたミリ波アクティブイメージング(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

有馬 悠也,  廣瀬 明,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]ED2014-118,MW2014-182
120GHz帯無線リンクにおけるミリ波モジュール温度特性安定化の検討(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

枚田 明彦,  竹内 淳,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]ED2014-119,MW2014-183
災害時に有効なマルチモード可搬型VSAT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

末松 憲治,  亀田 卓,  小熊 博,  笹沼 満,  江口 茂,  黒田 幸明,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]ED2014-120,MW2014-184
5.8GHzマイクロ波電力伝送と両立可能な920MHz帯ワイヤレスセンサネットワークシステム(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

吉田 賢史,  長谷川 直輝,  野地 拓匡,  金子 智喜,  朱 玄宰,  前川 千咲,  山澤 裕之,  漆原 育子,  佐藤 光,  川崎 繁男,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]ED2014-121,MW2014-185
ロケット内無線センサネットワーク用デュアルバンドWiCoPTシステムにおける信号干渉に関する検討(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

高森 凌,  西川 健二郎,  丸 祐介,  川崎 繁男,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]ED2014-122,MW2014-186
X線観測用誘電体マイクロカロリメータに向けた極低温動作下における高利得X帯低雑音増幅器の耐放射線性の検討(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

野地 拓匡,  宮路 晃平,  菊池 貴大,  山崎 典子,  満田 和久,  川崎 繁男,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]ED2014-123,MW2014-187
社会インフラシステムのなかのGaNデバイス(招待講演,化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

山中 宏治,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]ED2014-124,MW2014-188
低リークTaONパッシベーションGaN HEMTを用いたRFテスタ用10MHz-12GHz帯超高速低歪みSP4Tスイッチ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

君島 正幸,  小山 慧,  大西 将夫,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]ED2014-125,MW2014-189
X帯310W高出力GaN HEMT増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

菊池 憲,  西原 信,  山本 洋,  水野 慎也,  八巻 史一,  山本 高史,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]ED2014-126,MW2014-190
X-Ku帯高効率GaN HEMT増幅器MMICの開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

新井田 佳孝,  鎌田 陽一,  多木 俊裕,  尾崎 史朗,  牧山 剛三,  岡本 直哉,  佐藤 優,  増田 哲,  渡部 慶二,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]ED2014-127,MW2014-191
シリコン基板上GaN-HEMTの高周波特性の改善(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

眞壁 勇夫,  市川 弘之,  由比 圭一,  河内 剛志,  井上 和孝,  中田 健,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]ED2014-128,MW2014-192
過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

山口 裕太郎,  南條 拓真,  小山 英寿,  加茂 宣卓,  山中 宏治,  大石 敏之,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]ED2014-129,MW2014-193
電流再利用型広帯域ゲート接地増幅器MMICとその応用(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

佐藤 優,  芝 祥一,  川野 陽一,  松村 宏志,  高橋 剛,  鈴木 俊秀,  中舎 安宏,  原 直紀,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]ED2014-130,MW2014-194
エンベロープΔΣ変調器とH-bridge Class-D GaN電力増幅器を用いた800MHz帯デジタルドハティ送信機(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

元井 桂一,  / 谷尾 真明,  堀 真一,  早川 誠,  / 國弘 和明,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]ED2014-131,MW2014-195
エンベロープデルタシグマ変調を用いた低歪高効率1-bit送信機(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

谷尾 真明,  堀 真一,  早川 誠,  田和 憲明,  元井 桂一,  國弘 和明,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]ED2014-132,MW2014-196
フィードバックループの外部に可変分周器を接続した低位相雑音PLLシンセサイザ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

水谷 浩之,  樋口 和英,  田島 賢一,  檜枝 護重,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]ED2014-133,MW2014-197
3値出力ΔΣ変調器を用いた直交変調型EPWM送信機におけるD級電力増幅器の2値および3値駆動の比較(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

染谷 和,  野田 昂志,  楳田 洋太郎,  小澤 佑介,  

[発表日]2015/1/8
[資料番号]ED2014-134,MW2014-198
12>> 1-20hit(27hit)