エレクトロニクス-マイクロ波(開催日:2013/01/10)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2013/1/10
[資料番号]
目次

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[発表日]2013/1/10
[資料番号]
94GHz帯NRDガイドの設計(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)

黒木 太司,  井上 晋吾,  森田 智紀,  久保 遥平,  

[発表日]2013/1/10
[資料番号]ED2012-112
放送、通信用の電波を対象とした電磁波エネルギー回収の検討(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)

北沢 祥一,  鴨田 浩和,  花澤 理宏,  阿野 進,  伴 弘司,  小林 聖,  

[発表日]2013/1/10
[資料番号]ED2012-113
FETの寄生素子を考慮した伝送線路帰還FET発振回路のQファクタシミュレーションとSSB雑音測定(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)

南 昂孝,  崎原 孫周,  ウリン トヤ,  上原 秀幸,  大平 孝,  

[発表日]2013/1/10
[資料番号]ED2012-114
Double-layer Corporate-feed Hollow-waveguide Slot Array Antenna and Its Data Transmission Test Results in millimeter wave band

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[発表日]2013/1/10
[資料番号]ED2012-115
120GHz帯20Gbit/sQPSK送信,受信モジュール(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)

高橋 宏行,  小杉 敏彦,  枚田 明彦,  竹内 淳,  村田 浩一,  久々津 直哉,  

[発表日]2013/1/10
[資料番号]ED2012-116
120GHz帯無線の気象条件に起因する減衰変化速度の評価(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)

枚田 明彦,  竹内 淳,  高橋 宏行,  久々津 直哉,  

[発表日]2013/1/10
[資料番号]ED2012-117
Low-loss On Chip CMOS Patterned Ground Coplanar Waveguide Transmission Line for Millimeter-wave Technology

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[発表日]2013/1/10
[資料番号]ED2012-118
ハーフモードグルーブガイドを用いた無線電力伝送用0dBカプラの検討(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)

森星 弥,  岸原 充佳,  大久保 賢祐,  滝本 裕則,  太田 勲,  

[発表日]2013/1/10
[資料番号]ED2012-119
2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプの開発(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)

由村 典宏,  渡辺 直樹,  出口 博昭,  宇井 範彦,  

[発表日]2013/1/10
[資料番号]ED2012-120
短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)

山口 裕太郎,  大石 敏之,  大塚 浩志,  吉岡 貴章,  小山 英寿,  鮫島 文典,  津山 祥紀,  山中 宏治,  

[発表日]2013/1/10
[資料番号]ED2012-121
Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)

宇治田 信二,  森田 竜夫,  梅田 英和,  木下 雄介,  田村 聡之,  按田 義治,  上田 哲三,  田中 毅,  

[発表日]2013/1/10
[資料番号]ED2012-122
ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象,電流コラプス及び耐圧特性の解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)

塙 秀之,  小野寺 啓,  堀尾 和重,  

[発表日]2013/1/10
[資料番号]ED2012-123
GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)

田中 健一郎,  石田 昌宏,  上田 哲三,  田中 毅,  

[発表日]2013/1/10
[資料番号]ED2012-124
AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)

林 一夫,  大石 敏之,  加茂 宣卓,  山口 裕太郎,  大塚 浩志,  山中 宏治,  中山 正敏,  宮本 恭幸,  

[発表日]2013/1/10
[資料番号]ED2012-125
SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)

小林 健悟,  吉田 智洋,  尾辻 泰一,  片山 竜二,  松岡 隆志,  末光 哲也,  

[発表日]2013/1/10
[資料番号]ED2012-126
多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)

吉田 智洋,  小林 健悟,  尾辻 泰一,  末光 哲也,  

[発表日]2013/1/10
[資料番号]ED2012-127
複写される方へ

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[発表日]2013/1/10
[資料番号]
Notice for Photocopying

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[発表日]2013/1/10
[資料番号]
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