エレクトロニクス-マイクロ波(開催日:2012/01/04)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2012/1/4
[資料番号]
目次

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[発表日]2012/1/4
[資料番号]
Microwave Power Beaming Experiments in Tronto and Hawaii for the Solar Power Satellite

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[発表日]2012/1/4
[資料番号]ED2011-119,MW2011-142
マイクロ波帯における高損失誘電材料を用いた超薄型一層電波吸収体の基礎検討(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

藤田 敬人,  津田 祐己,  安住 壮紀,  橋本 修,  和野 隆司,  福田 佑紀,  

[発表日]2012/1/4
[資料番号]ED2011-120,MW2011-143
結合線路と伝送線路の組み合わせによるCMOSプロセスの利用を想定したミリ波有極形LPF,HPF,BPFに関する一検討(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

谷井 宏成,  牧本 三夫,  五十嵐 貞男,  福井 邦明,  小日向 宏一,  和田 光司,  

[発表日]2012/1/4
[資料番号]ED2011-121,MW2011-144
多層型SIWデュアルモード共振器を利用した準ミリ波帯帯域通過フィルタの設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

飛田 和哉,  馬 哲旺,  大平 昌敬,  

[発表日]2012/1/4
[資料番号]ED2011-122,MW2011-145
ミリ波帯導波管/マイクロストリップライン変換器の広帯域化(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

鈴木 俊達,  内海 要三,  森田 登,  平栗 健史,  横田 宗大,  亀井 利久,  千野 聖純,  青木 生朗,  鈴木 洋介,  

[発表日]2012/1/4
[資料番号]ED2011-123,MW2011-146
ダイレクトサンプリングミキサ方式WLAN受信機の設計手法(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

齊藤 典昭,  森下 陽平,  森田 忠士,  

[発表日]2012/1/4
[資料番号]ED2011-124,MW2011-147
フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

望月 和浩,  野本 一貴,  畠山 義智,  片寄 秀雄,  三島 友義,  金田 直樹,  土屋 忠厳,  寺野 昭久,  石垣 隆士,  土屋 朋信,  土屋 龍太,  中村 徹,  

[発表日]2012/1/4
[資料番号]ED2011-125,MW2011-148
直交振幅変調信号を包絡線パルス幅変調した時のE級電力増幅器の歪補償(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

藤岡 翔太,  楳田 洋太郎,  田久 修,  

[発表日]2012/1/4
[資料番号]ED2011-126,MW2011-149
多段バランス型RF整流回路(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

山田 康太,  荒川 孝,  武田 政宗,  植村 順,  榊原 久二男,  菊間 信良,  大平 孝,  

[発表日]2012/1/4
[資料番号]ED2011-127,MW2011-150
単構造空間とベクトルポテンシャル(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

黒川 兼行,  

[発表日]2012/1/4
[資料番号]ED2011-128,MW2011-151
InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

宮本 恭幸,  山田 真之,  内田 建,  

[発表日]2012/1/4
[資料番号]ED2011-129,MW2011-152
MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

星 拓也,  杉山 弘樹,  横山 春喜,  栗島 賢二,  井田 実,  

[発表日]2012/1/4
[資料番号]ED2011-130,MW2011-153
0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

長谷 宗彦,  野坂 秀之,  佐野 公一,  村田 浩一,  栗島 賢二,  井田 実,  

[発表日]2012/1/4
[資料番号]ED2011-131,MW2011-154
Components in 0.5-μm-emitter-width InP-HBT Technology for High-Speed and Low-Power Applications

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[発表日]2012/1/4
[資料番号]ED2011-132,MW2011-155
微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

小野寺 啓,  中島 敦,  堀尾 和重,  

[発表日]2012/1/4
[資料番号]ED2011-133,MW2011-156
Step-stress Reliability Studies on AlGaN/GaN HEMTs on Silicon with Buffer Thickness Dependence

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[発表日]2012/1/4
[資料番号]ED2011-134,MW2011-157
AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

畑野 舞子,  山崎 潤,  矢船 憲成,  徳田 博邦,  山本 喜之,  橋本 信,  秋田 勝史,  葛原 正明,  

[発表日]2012/1/4
[資料番号]ED2011-135,MW2011-158
GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

堀 祐臣,  金 聖植,  橋詰 保,  

[発表日]2012/1/4
[資料番号]ED2011-136,MW2011-159
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