エレクトロニクス-マイクロ波(開催日:2011/01/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2011/1/6
[資料番号]
目次

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[発表日]2011/1/6
[資料番号]
無線通信電力伝送のための受信受電用5.8GHzレクテナアレー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

堀 正和,  磯野 晃輔,  野地 紘史,  澁谷 賢広,  川崎 繁男,  

[発表日]2011/1/6
[資料番号]ED2010-175,MW2010-135
フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

山本 和也,  久留須 整,  宮下 美代,  鈴木 敏,  井上 晃,  

[発表日]2011/1/6
[資料番号]ED2010-176,MW2010-136
信号線間交差部容量補償用近接グラウンドスルーホールを有するオフセット結合線路型カプラ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

湯浅 健,  田原 志浩,  大和田 哲,  米田 尚史,  

[発表日]2011/1/6
[資料番号]ED2010-177,MW2010-137
高導電率溶液のマイクロ波均一加熱を目的とした電力吸収特性解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

中島 裕貴,  今井 卓,  田口 健治,  柏 達也,  北澤 敏秀,  鈴木 政浩,  藤井 寛一,  

[発表日]2011/1/6
[資料番号]ED2010-178,MW2010-138
広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

山中 宏治,  湯之上 則弘,  茶木 伸,  中山 正敏,  平野 嘉仁,  

[発表日]2011/1/6
[資料番号]ED2010-179,MW2010-139
光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

長谷 宗彦,  野坂 秀之,  山中 祥吾,  佐野 公一,  村田 浩一,  

[発表日]2011/1/6
[資料番号]ED2010-180,MW2010-140
810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

野坂 秀之,  長谷 宗彦,  佐野 公一,  村田 浩一,  

[発表日]2011/1/6
[資料番号]ED2010-181,MW2010-141
デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

田島 正文,  橋詰 保,  

[発表日]2011/1/6
[資料番号]ED2010-182,MW2010-142
AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

小野寺 啓,  中島 敦,  堀尾 和重,  

[発表日]2011/1/6
[資料番号]ED2010-183,MW2010-143
耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

梅田 英和,  鈴木 朝実良,  按田 義治,  石田 昌宏,  上田 哲三,  田中 毅,  上田 大助,  

[発表日]2011/1/6
[資料番号]ED2010-184,MW2010-144
Si基板上AlGaN/GaN HFETにおける高濃度Cドーピングの影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

古川 拓也,  賀屋 秀介,  池田 成明,  加藤 禎宏,  

[発表日]2011/1/6
[資料番号]ED2010-185,MW2010-145
Ka帯20W出力AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

松下 景一,  桜井 博幸,  柏原 康,  増田 和俊,  小野寺 賢,  川崎 久夫,  高木 一孝,  高田 賢治,  津田 邦男,  

[発表日]2011/1/6
[資料番号]ED2010-186,MW2010-146
3C-SiC-OI基板上でのMOSゲート絶縁膜のプロセス依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

横山 圭祐,  中村 浩之,  中尾 基,  大西 克典,  

[発表日]2011/1/6
[資料番号]ED2010-187,MW2010-147
裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

金澤 徹,  寺尾 良輔,  山口 裕太郎,  池田 俊介,  米内 義晴,  加藤 淳,  宮本 恭幸,  

[発表日]2011/1/6
[資料番号]ED2010-188,MW2010-148
InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

堤 卓也,  杉谷 末広,  西村 一巳,  井田 実,  

[発表日]2011/1/6
[資料番号]ED2010-189,MW2010-149
76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

金谷 康,  天清 宗山,  山本 桂嗣,  小坂 尚希,  宮國 晋一,  後藤 清毅,  島 顕洋,  

[発表日]2011/1/6
[資料番号]ED2010-190,MW2010-150
IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

河井 康史,  宇治田 信二,  福田 健志,  酒井 啓之,  上田 哲三,  田中 毅,  

[発表日]2011/1/6
[資料番号]ED2010-191,MW2010-151
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[発表日]2011/1/6
[資料番号]
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