エレクトロニクス-マイクロ波(開催日:2009/01/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2009/1/7
[資料番号]
目次

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[発表日]2009/1/7
[資料番号]
24GHz 1V動作擬似縦積み型ミキサ回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

白水 信弘,  増田 徹,  中村 宝弘,  鷲尾 勝由,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-198,MW2008-163
フリップチップ実装を用いたミリ波帯ディスクリートミクサ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

川上 憲司,  鈴木 拓也,  金谷 康,  北村 洋一,  檜枝 護重,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-199,MW2008-164
出力容量を考慮した設計による増幅器の広帯域化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

桑田 英悟,  山中 宏治,  桐越 祐,  井上 晃,  宮崎 守泰,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-200,MW2008-165
V帯第8次高調波Push-Push発振器の基礎検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

川崎 健吾,  田中 高行,  相川 正義,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-201,MW2008-166
GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

石田 秀俊,  柴田 大輔,  松尾 尚慶,  柳原 学,  上本 康裕,  上田 哲三,  田中 毅,  上田 大助,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-202,MW2008-167
逆導通GaN FETの特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

町田 修,  金子 信男,  馬場 良平,  猪澤 道能,  岩上 信一,  柳原 将貴,  後藤 博一,  岩渕 昭夫,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-203,MW2008-168
高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

齋藤 渉,  土門 知一,  大村 一郎,  新田 智洋,  垣内 頼人,  齋藤 泰伸,  津田 邦男,  山口 正一,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-204,MW2008-169
電子レンジ庫内に置かれた被加熱物質の温度分布解析 : 温度に対する誘電率変化を考慮した場合(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

柄川 雅樹,  渡邊 慎也,  橋本 修,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-205,MW2008-170
コンポジット並列共振器を用いた有極形帯域通過フィルタの阻止域特性改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

兎澤 孝典,  馬 哲旺,  陳 春平,  穴田 哲夫,  小林 禧夫,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-206,MW2008-171
マイクロストリップパラレル結合デュアルモードリング共振器の特性解析およびフィルタ設計への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

佐々木 英行,  馬 哲旺,  陳 春平,  穴田 哲夫,  小林 禧夫,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-207,MW2008-172
固体プラズマを挿入したサブミリ波帯結合線路の非可逆伝搬特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

丸山 契,  小武内 哲雄,  淀川 信一,  高坂 諭,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-208,MW2008-173
高抵抗シリコン基板上低損失コプレーナ線路の構造(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

槇田 毅彦,  玉井 功,  星 真一,  関 昇平,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-209,MW2008-174
GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

山本 和也,  久留須 整,  宮下 美代,  鈴木 敏,  小川 喜之,  中山 正敏,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-210,MW2008-175
InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

堀池 恒平,  福田 俊介,  赤川 啓介,  末光 哲也,  尾辻 泰一,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-211,MW2008-176
超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

上澤 岳史,  山田 真之,  宮本 恭幸,  古屋 一仁,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-212,MW2008-177
43Gbit/sDQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

福山 裕之,  伊藤 敏洋,  古田 知史,  栗島 賢二,  徳光 雅美,  村田 浩一,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-213,MW2008-178
ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

渡邊 一世,  遠藤 聡,  三村 高志,  松井 敏明,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-214,MW2008-179
同軸線路給電L字形一次放射器を用いたミリ波平面アンテナの特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

沖横田 誠,  中村 元紀,  黒木 太司,  

[発表日]2009/1/7
[資料番号]ED2008-215,MW2008-180
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