エレクトロニクス-マイクロ波(開催日:2006/01/12)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]2006/1/12
[資料番号]
目次

,  

[発表日]2006/1/12
[資料番号]
GaN系FETにおける緩やかな電流応答と電流コラプスの解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

高柳 大樹,  板垣 圭一,  仲野 博之,  堀尾 和重,  

[発表日]2006/1/12
[資料番号]ED2005-199,MW2005-153
AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

バシーレ アルベルト,  小谷 淳二,  橋詰 保,  

[発表日]2006/1/12
[資料番号]ED2005-200,MW2005-154
GaN系MIS構造の高温でのC-V評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

加藤 寛樹,  ミツェーク マルチン,  橋詰 保,  

[発表日]2006/1/12
[資料番号]ED2005-201,MW2005-155
格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

瀧澤 俊幸,  中澤 敏志,  上田 哲三,  田中 毅,  江川 孝志,  

[発表日]2006/1/12
[資料番号]ED2005-202,MW2005-156
低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

出口 忠義,  脇 英司,  小野 悟,  山下 明一,  鎌田 厚,  中川 敦,  石川 博康,  江川 孝志,  

[発表日]2006/1/12
[資料番号]ED2005-203,MW2005-157
リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

見田 充郎,  海部 勝晶,  伊藤 正紀,  佐野 芳明,  石川 博康,  江川 孝志,  

[発表日]2006/1/12
[資料番号]ED2005-204,MW2005-158
無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

黒田 正行,  石田 秀俊,  上田 哲三,  田中 毅,  

[発表日]2006/1/12
[資料番号]ED2005-205,MW2005-159
0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

塩島 謙次,  牧村 隆司,  小杉 敏彦,  末光 哲也,  重川 直輝,  廣木 正伸,  横山 春喜,  

[発表日]2006/1/12
[資料番号]ED2005-206,MW2005-160
基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

吉川 俊英,  今西 健治,  金村 雅仁,  常信 和清,  

[発表日]2006/1/12
[資料番号]ED2005-207,MW2005-161
高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

金村 雅仁,  吉川 俊英,  岩井 大介,  今西 健治,  久保 徳郎,  常信 和清,  

[発表日]2006/1/12
[資料番号]ED2005-208,MW2005-162
複写される方へ

,  

[発表日]2006/1/12
[資料番号]
Notice about photocopying

,  

[発表日]2006/1/12
[資料番号]
奥付

,  

[発表日]2006/1/12
[資料番号]