エレクトロニクス-マイクロ波(開催日:2004/01/13)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2004/1/13
[資料番号]
目次

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[発表日]2004/1/13
[資料番号]
10Gbit/s InGaP/GaAs HBTドライバIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

宮下 美代,  山本 和也,  鈴木 敏,  長明 健一郎,  松原 司,  小川 喜之,  宮脇 勝巳,  山田 和也,  島田 征明,  東坂 範雄,  南原 成二,  

[発表日]2004/1/13
[資料番号]MW2003-234
抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

後藤 清毅,  國井 徹郎,  藤井 憲一,  細川 義弘,  佐々木 善伸,  井上 晃,  石川 高英,  

[発表日]2004/1/13
[資料番号]MW2003-235
10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

福田 健志,  八幡 和宏,  永井 秀一,  酒井 啓之,  田中 毅,  

[発表日]2004/1/13
[資料番号]MW2003-236
高速GaAs-MESFETを用いた3.3V駆動10Gb/sプリアンプIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

澤 卓,  澤田 宗作,  関口 剛,  渡邉 昌崇,  福士 大地,  中島 成,  

[発表日]2004/1/13
[資料番号]MW2003-237
無線通信用1.2/2.4GHz帯及び2.6/5.2GHz帯CMOS周波数逓倍器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

山本 和也,  平間 哲也,  若田 秀幸,  佐野 智弘,  佐藤 久恭,  前村 公正,  

[発表日]2004/1/13
[資料番号]MW2003-238
コンポジットチャネル構造InP-HEMTの信頼性評価と高利得化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

倉知 俊介,  野中 康紀,  二階堂 淳一朗,  

[発表日]2004/1/13
[資料番号]MW2003-239
InP DHBTによる150GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

綱島 聡,  村田 浩一,  井田 実,  栗島 賢二,  小杉 敏彦,  榎木 孝知,  菅原 裕彦,  

[発表日]2004/1/13
[資料番号]MW2003-240
InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

福山 裕之,  村田 浩一,  佐野 公一,  北林 博人,  山根 康朗,  榎木 孝知,  菅原 裕彦,  

[発表日]2004/1/13
[資料番号]MW2003-241
寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

牧山 剛三,  高橋 剛,  鈴木 俊秀,  澤田 憲,  多木 俊裕,  原 直紀,  滝川 正彦,  

[発表日]2004/1/13
[資料番号]MW2003-242
SSPSにおけるマイクロ波デバイスと回路への要求(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

川崎 繁男,  

[発表日]2004/1/13
[資料番号]MW2003-243
複写される方へ

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[発表日]2004/1/13
[資料番号]
奥付

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[発表日]2004/1/13
[資料番号]