エレクトロニクス-マイクロ波(開催日:2004/01/12)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2004/1/12
[資料番号]
目次

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[発表日]2004/1/12
[資料番号]
マイクロストリップライン構造液晶デバイスの過渡応答時間特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

齊藤 勝彦,  内藤 亮,  亀井 利久,  内海 要三,  

[発表日]2004/1/12
[資料番号]MW2003-232
ビアを用いないマイクロストリップ型右手/左手系複合線路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

真田 篤志,  村上 公一,  麻生 修司,  久保 洋,  粟井 郁雄,  

[発表日]2004/1/12
[資料番号]MW2003-223
垂直ストリップ装荷NRDガイドの導波モードの解析とLSEモードサプレッサの設計(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

黒木 太司,  木村 実人,  米山 務,  

[発表日]2004/1/12
[資料番号]MW2003-224
第33回欧州マイクロ波会議出席報告(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

黒木 太司,  村田 浩一,  上田 博民,  中野 洋,  真田 篤志,  大野 貴信,  松本 好太,  田中 啓貴,  

[発表日]2004/1/12
[資料番号]MW2003-225
AlGaN/GaN HEMTにおけるキャリア輸送と電流コラプス(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

水谷 孝,  大野 雄高,  

[発表日]2004/1/12
[資料番号]MW2003-226
極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

遠藤 聡,  山下 良美,  池田 圭司,  東脇 正高,  彦坂 康己,  松井 敏明,  冷水 佐壽,  三村 高志,  

[発表日]2004/1/12
[資料番号]MW2003-227
100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

三好 実人,  坂井 正宏,  / 石川 博康,  江川 孝志,  神保 孝志,  田中 光浩,  小田 修,  勝川 裕幸,  

[発表日]2004/1/12
[資料番号]MW2003-228
AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

石田 秀俊,  廣瀬 裕,  神田 敦彦,  村田 智洋,  池田 義人,  松野 年伸,  井上 薫,  上本 康裕,  田中 毅,  江川 孝志,  上田 大助,  

[発表日]2004/1/12
[資料番号]MW2003-229
600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

齋藤 渉,  高田 賢治,  蔵口 雅彦,  津田 邦男,  大村 一郎,  小倉 常雄,  

[発表日]2004/1/12
[資料番号]MW2003-230
フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

中山 達峰,  安藤 裕二,  岡本 康宏,  井上 隆,  播谷 耕二,  宮本 広信,  葛原 正明,  

[発表日]2004/1/12
[資料番号]MW2003-231
GaN系電子デバイスにおける表面の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

橋詰 保,  長谷川 英機,  

[発表日]2004/1/12
[資料番号]MW2003-232
2003年アジア・パシフィツクマイクロ波会議出席報告(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

西野 有,  出口 博之,  上田 博民,  和田 光司,  真田 篤志,  堀田 昌志,  太郎丸 真,  〓 鐘石,  俵 覚,  

[発表日]2004/1/12
[資料番号]MW2003-233
複写される方へ

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[発表日]2004/1/12
[資料番号]
奥付

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[発表日]2004/1/12
[資料番号]