エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:2022/11/24)

タイトル/著者/発表日/資料番号
2次元層状材料g-C3N4/SnS2/grapheneヘテロ接合のCVD成長

森 耀平(静岡大),  松岡 晃汰(静岡大),  Baskar Malathi(静岡大),  中村 篤志(静岡大),  

[発表日]2022-11-24
[資料番号]ED2022-26,CPM2022-51,LQE2022-59
人工光合成光触媒のためのg-C3N4/SnS2コンポジットの合成

松岡 晃汰(静岡大),  森 耀平(静岡大),  Baskar Malathi(静岡大),  中村 篤志(静岡大),  

[発表日]2022-11-24
[資料番号]ED2022-27,CPM2022-52,LQE2022-60
単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価

田中 さくら(名工大),  川出 智之(名工大),  井上 暁喜(名工大),  江川 孝志(名工大),  三好 実人(名工大),  

[発表日]2022-11-24
[資料番号]ED2022-35,CPM2022-60,LQE2022-68
PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合の電圧-電流特性と光応答

寺迫 智昭(愛媛大),  矢木 正和(香川高専),  山本 哲也(高知工科大),  

[発表日]2022-11-24
[資料番号]ED2022-25,CPM2022-50,LQE2022-58
湿式紡糸法によるナノカーボン材料を用いた伸縮導電繊維の開発

近藤 光(名工大),  神 悠(名工大),  加藤 玲奈(名工大),  曽我 哲夫(名工大),  岸 直希(名工大),  

[発表日]2022-11-24
[資料番号]ED2022-31,CPM2022-56,LQE2022-64
コミュニケーションを取るためのハプティクスグローブの開発

竹田 龍平(静岡大),  中村 篤志(静岡大),  金武 佳明(静岡大),  

[発表日]2022-11-24
[資料番号]ED2022-29,CPM2022-54,LQE2022-62
低周波Y22パラメータ測定によるGaN HEMT中のFeトラップ評価

西田 大生(佐賀大),  大石 敏之(佐賀大),  大塚 友絢(三菱電機),  山口 裕太郎(三菱電機),  新庄 真太郎(三菱電機),  山中 宏治(三菱電機),  

[発表日]2022-11-24
[資料番号]ED2022-34,CPM2022-59,LQE2022-67
電圧印加界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の電界集中の可視化

今林 弘毅(福井大),  堀切 文正(住友化学),  成田 好伸(住友化学),  福原 昇(住友化学),  三島 友義(法政大),  塩島 謙次(福井大),  

[発表日]2022-11-24
[資料番号]ED2022-33,CPM2022-58,LQE2022-66
電気化学堆積したNi(OH)2薄膜の半導体的特性

志村 政英(名工大),  安部 功二(名工大),  

[発表日]2022-11-24
[資料番号]ED2022-28,CPM2022-53,LQE2022-61
ゾル-ゲル法による低抵抗Al添加ZnO透明導電膜の作製

安部 功二(名工大),  久保田 佑(名工大),  

[発表日]2022-11-24
[資料番号]ED2022-30,CPM2022-55,LQE2022-63
リセス構造形成後表面処理を施したAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価

戸田 圭太郎(名工大),  久保 俊晴(名工大),  江川 孝志(名工大),  

[発表日]2022-11-24
[資料番号]ED2022-37,CPM2022-62,LQE2022-70
高抵抗歪超格子層を用いたSi基板上のAlGaN/GaN縦型デバイス

小池 貴也(名工大),  林 航希(名工大),  早藤 綾佑(名工大),  久保 俊晴(名工大),  江川 孝志(名工大),  

[発表日]2022-11-24
[資料番号]ED2022-38,CPM2022-63,LQE2022-71
sol-gel法を用いたMgSnO薄膜作製およびSnS/MgSnO薄膜太陽電池への応用

稲垣 賢吾(静岡大),  高野 泰(静岡大),  塩田 馨音(静岡大),  

[発表日]2022-11-24
[資料番号]ED2022-32,CPM2022-57,LQE2022-65
AlN/AlGaN/GaN MISデバイスにおけるAlN/AlGaN界面制御層の効果

デン ユウチェン(北陸先端大),  穴場 響(北陸先端大),  松山 秀幸(北陸先端大),  鈴木 寿一(北陸先端大),  

[発表日]2022-11-24
[資料番号]ED2022-39,CPM2022-64,LQE2022-72
CBD法ZnOナノロッドのUV光検出器応用とCBD溶液濃度の素子特性への影響

藤川 大治(愛媛大),  寺迫 智昭(愛媛大),  矢木 正和(香川高専),  山本 哲也(高知工科大),  

[発表日]2022-11-24
[資料番号]ED2022-24,CPM2022-49,LQE2022-57
GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討

飯田 悠介(名工大),  間瀬 晃(名工大),  滝本 将也(名工大),  二階 祐宇(名工大),  江川 孝志(名工大),  三好 実人(名工大),  

[発表日]2022-11-24
[資料番号]ED2022-36,CPM2022-61,LQE2022-69
半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性

藤澤 孝博(名工大),  中林 泰希(名工大),  江川 孝志(名工大),  三好 実人(名工大),  竹内 哲也(名城大),  岡田 成仁(山口大),  只友 一行(山口大),  

[発表日]2022-11-25
[資料番号]ED2022-42,CPM2022-67,LQE2022-75
サーマルリフロー法を用いたInGaN系多波長発光構造の作製とLEDデバイス動作

松田 祥伸(京大),  船戸 充(京大),  川上 養一(京大),  

[発表日]2022-11-25
[資料番号]ED2022-43,CPM2022-68,LQE2022-76
[奨励講演]輻射・非輻射再結合の同時計測による窒化物半導体における再結合機構の解明へ向けた研究

森 恵人(金沢工大),  森本 悠也(金沢工大),  山口 敦史(金沢工大),  草薙 進(ソニー),  蟹谷 裕也(ソニー),  工藤 喜弘(ソニー),  冨谷 茂隆(ソニー),  

[発表日]2022-11-25
[資料番号]ED2022-40,CPM2022-65,LQE2022-73
組成傾斜層を用いた230nm帯AlGaN系LEDの高効率化

前田 哲利(理研),  鹿嶋 行雄(理研),  松浦 恵理子(理研),  祝迫 恭(日タン),  平山 秀樹(理研),  

[発表日]2022-11-25
[資料番号]ED2022-45,CPM2022-70,LQE2022-78
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