エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:2019/11/21)

タイトル/著者/発表日/資料番号
AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性

小田 薫(名城大),  飯田 涼介(名城大),  岩山 章(名城大),  清原 一樹(名城大),  竹内 哲也(名城大),  上山 智(名城大),  岩谷 素顕(名城大),  赤崎 勇(名城大/名大),  

[発表日]2019-11-21
[資料番号]ED2019-46,CPM2019-65,LQE2019-89
両極性同時成長を用いたGaN-QPM結晶の作製およびSHGに向けた光学特性評価

松久 快生(静岡大),  小林 佑斗(静岡大),  石原 弘基(静岡大),  杉浦 真子(静岡大),  杉田 篤史(静岡大),  井上 翼(静岡大),  中野 貴之(静岡大/静岡大電研),  

[発表日]2019-11-21
[資料番号]ED2019-42,CPM2019-61,LQE2019-85
AlGaNを井戸層に用いた電子線励起レーザ

櫻木 勇介(名城大),  安江 信次(名城大),  手良村 昌平(名城大),  荻野 雄矢(名城大),  田中 隼也(名城大),  岩山 章(名城大),  岩谷 素顕(名城大),  上山 智(名城大),  竹内 哲也(名城大),  赤崎 勇(名城大),  三宅 秀人(三重大),  

[発表日]2019-11-21
[資料番号]ED2019-43,CPM2019-62,LQE2019-86
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価

横井 駿一(名工大),  古岡 啓太(名工大),  久保 俊晴(名工大),  江川 孝志(名工大),  

[発表日]2019-11-21
[資料番号]ED2019-41,CPM2019-60,LQE2019-84
電気化学的な処理を用いた酸化亜鉛光触媒の特性改善

安部 功二(名工大),  大竹 徳人(名工大),  

[発表日]2019-11-21
[資料番号]ED2019-37,CPM2019-56,LQE2019-80
ミストCVD法によりc面サファイア基板上に高温下で成長したZnO結晶の発光特性

大橋 紘誠(静岡大),  藤原 健八(静岡大),  山本 幹大(静岡大),  原 和彦(静岡大),  酒井 優(山梨大),  光野 徹也(静岡大),  

[発表日]2019-11-21
[資料番号]ED2019-34,CPM2019-53,LQE2019-77
ZnOのALD成長での平坦薄膜成長条件の調査

山本 燎(静岡大),  加納 寛人(静岡大),  中村 篤志(静岡大),  居波 渉(静岡大),  

[発表日]2019-11-21
[資料番号]ED2019-33,CPM2019-52,LQE2019-76
Ga2O3ショットキーバリアダイオードを用いたマイクロ波-DC変換動作の実証と負荷抵抗依存性

橋川 誠(佐賀大),  浦田 幸佑(佐賀大),  竹ノ畑 拓海(佐賀大),  網代 康佑(佐賀大),  大島 孝仁(佐賀大),  大石 敏之(佐賀大),  

[発表日]2019-11-21
[資料番号]ED2019-38,CPM2019-57,LQE2019-81
MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長

山中 瑞樹(名工大),  三好 実人(名工大),  江川 孝志(名工大),  岡田 成仁(山口大),  只友 一行(山口大),  竹内 哲也(名城大),  

[発表日]2019-11-21
[資料番号]ED2019-44,CPM2019-63,LQE2019-87
c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価

原田 紘希(名工大),  三好 実人(名工大),  江川 孝志(名工大),  竹内 哲也(名城大),  

[発表日]2019-11-21
[資料番号]ED2019-45,CPM2019-64,LQE2019-88
化学溶液析出法によって種々のTCOシード層に成長したZnOナノロッドの構造およびフォトルミネッセンス特性

濱本 昂大(愛媛大),  寺迫 智昭(愛媛大),  矢木 正和(香川高専),  古林 寛(高知工科大),  山本 哲也(高知工科大),  

[発表日]2019-11-21
[資料番号]ED2019-35,CPM2019-54,LQE2019-78
化学溶液析出法による極薄GZO薄膜シード層上へのZnOナノロッドの成長と構造及び光学特性

寺迫 智昭(愛媛大),  濱本 昂大(愛媛大),  山田 健太(愛媛大),  甲田 真一朗(愛媛大),  矢木 正和(香川高専),  古林 寛(高知工科大),  山本 哲也(高知工科大),  

[発表日]2019-11-21
[資料番号]ED2019-36,CPM2019-55,LQE2019-79
ICP-RIEによって作製されたGaNトレンチ側壁のダメージ評価

山田 真嗣(名大/アルバック),  櫻井 秀樹(名大/アルバック),  長田 大和(アルバック),  中村 敏幸(アルバック),  上村 隆一郎(アルバック),  須田 淳(名大),  加地 徹(名大),  

[発表日]2019-11-21
[資料番号]ED2019-40,CPM2019-59,LQE2019-83
リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETの短チャンネル効果改善

加藤 大望(東芝),  梶原 瑛祐(東芝),  向井 章(東芝),  大野 浩志(東芝),  新留 彩(東芝),  田島 純平(東芝),  彦坂 年輝(東芝),  蔵口 雅彦(東芝),  布上 真也(東芝),  

[発表日]2019-11-21
[資料番号]ED2019-39,CPM2019-58,LQE2019-82
微傾斜AlN(0001)面上へのGaN極薄膜量子井戸の作製と光学特性

船戸 充(京大),  小林 敬嗣(京大),  川上 養一(京大),  

[発表日]2019-11-22
[資料番号]ED2019-54,CPM2019-73,LQE2019-97
UV-B領域AlGaN活性層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性

田中 隼也(名城大),  川瀬 雄太(名城大),  佐藤 恒輔(旭化成/名城大),  安江 信次(名城大),  手良村 昌平(名城大),  荻野 雄矢(名城大),  岩山 章(名城大/三重大),  岩谷 素顕(名城大),  竹内 哲也(名城大),  上山 智(名城大),  赤﨑 勇(名城大/名大),  三宅 秀人(三重大),  

[発表日]2019-11-22
[資料番号]ED2019-55,CPM2019-74,LQE2019-98
有機太陽電池用反射防止ナノテクスチャに関する実験検討

平賀 健太(山形大),  久保田 繁(山形大),  鹿又 健作(山形大),  有馬 ボシールアハンマド(山形大),  水野 潤(早大),  廣瀬 文彦(山形大),  

[発表日]2019-11-22
[資料番号]ED2019-48,CPM2019-67,LQE2019-91
DCスパッタAlNテンプレートを用いたUVCLEDの進展

最上 耀介(理研/埼玉大),  大澤 篤史(SCREEN),  尾崎 一人(SCREEN),  谷岡 千丈(SCREEN),  前岡 淳史(SCREEN),  糸数 雄吏(理研/埼玉大),  定 昌史(理研),  前田 哲利(理研),  矢口 裕之(埼玉大),  平山 秀樹(理研),  

[発表日]2019-11-22
[資料番号]ED2019-53,CPM2019-72,LQE2019-96
InGaN量子井戸におけるMobility Edgeの見積もり方法に関する理論的・実験的研究

藤田 貴志(金沢工大),  坂井 繁太(金沢工大),  池田 優真(金沢工大),  山口 敦史(金沢工大),  草薙 進(ソニー),  蟹谷 裕也(ソニー),  工藤 喜弘(ソニー),  冨谷 茂隆(ソニー),  

[発表日]2019-11-22
[資料番号]ED2019-56,CPM2019-75,LQE2019-99
光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定

森 恵人(金沢工大),  高橋 佑知(金沢工大),  森本 悠也(金沢工大),  山口 敦史(金沢工大),  草薙 進(SONY),  蟹谷 裕也(SONY),  工藤 喜弘(SONY),  冨谷 茂隆(SONY),  

[発表日]2019-11-22
[資料番号]ED2019-57,CPM2019-76,LQE2019-100
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