エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:2017/11/30)

タイトル/著者/発表日/資料番号
-c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究

河野 司(名大),  久志本 真希(名大),  永松 謙太郎(名大),  新田 州吾(名大),  本田 善央(名大),  天野 浩(名大),  

[発表日]2017-11-30
[資料番号]ED2017-53,CPM2017-96,LQE2017-66
界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価

塩島 謙次(福井大),  橋爪 孝典(福井大),  堀切 文正(サイオクス),  田中 丈士(サイオクス),  三島 友義(法政大),  

[発表日]2017-11-30
[資料番号]ED2017-55,CPM2017-98,LQE2017-68
自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価

塩島 謙次(福井大),  今立 宏美(福井大),  三島 友義(法政大),  

[発表日]2017-11-30
[資料番号]ED2017-56,CPM2017-99,LQE2017-69
光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の測定

清水 奈緒人(金沢工大),  高橋 佑知(金沢工大),  小林 玄季(金沢工大),  中納 隆(金沢工大),  坂井 繁太(金沢工大),  山口 敦史(金沢工大),  蟹谷 裕也(ソニー),  冨谷 茂隆(ソニー),  

[発表日]2017-11-30
[資料番号]ED2017-49,CPM2017-92,LQE2017-62
InGaN発光ダイオードの光励起時のI-V特性/発光特性のモデル解析

太田 有亮(金沢工大),  坂井 繁太(金沢工大),  山口 敦史(金沢工大),  

[発表日]2017-11-30
[資料番号]ED2017-50,CPM2017-93,LQE2017-63
光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用

植村 圭佑(北大),  松本 悟(北大),  渡久地 政周(北大),  伊藤 圭亮(北大),  佐藤 威友(北大),  

[発表日]2017-11-30
[資料番号]ED2017-54,CPM2017-97,LQE2017-67
マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性

早川 峰洋(京大),  林 佑樹(京大),  長瀬 勇樹(京大),  市川 修平(京大),  熊本 恭介(京大),  柴岡 真美(京大),  船戸 充(京大),  川上 養一(京大),  

[発表日]2017-11-30
[資料番号]ED2017-52,CPM2017-95,LQE2017-65
InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析

池田 優真(金沢工大),  坂井 繁太(金沢工大),  大島 一輝(金沢工大),  山口 敦史(金沢工大),  蟹谷 裕也(ソニー),  冨谷 茂隆(ソニー),  

[発表日]2017-11-30
[資料番号]ED2017-51,CPM2017-94,LQE2017-64
サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較

森 拓磨(名工大),  太田 美希(名工大),  原田 紘希(名工大),  加藤 慎也(名工大),  三好 実人(名工大),  江川 孝志(名工大),  

[発表日]2017-12-01
[資料番号]ED2017-57,CPM2017-100,LQE2017-70
リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価

グェンスァン チュン(名大),  田岡 紀之(産総研),  大田 晃生(名大),  山田 永(産総研),  高橋 言緒(産総研),  池田 弥央(名大),  牧原 克典(名大),  清水 三聡(産総研),  宮崎 誠一(名大),  

[発表日]2017-12-01
[資料番号]ED2017-61,CPM2017-104,LQE2017-74
NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価

石松 裕真(佐賀大),  舟木 浩祐(佐賀大),  桝谷 聡士(佐賀大),  宮崎 恭輔(佐賀大),  大島 孝仁(佐賀大),  嘉数 誠(佐賀大),  大石 敏之(佐賀大),  

[発表日]2017-12-01
[資料番号]ED2017-63,CPM2017-106,LQE2017-76
Face to Face法アニールによる AlN極性反転構造の作製と疑似位相整合 SHGへの応用

林 侑介(三重大),  三宅 秀人(三重大),  平松 和政(三重大),  秋山 亨(三重大),  伊藤 智徳(三重大),  片山 竜二(阪大),  

[発表日]2017-12-01
[資料番号]ED2017-67,CPM2017-110,LQE2017-80
スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長

吉澤 涼(三重大),  林 侑介(三重大),  三宅 秀人(三重大),  平松 和政(三重大),  

[発表日]2017-12-01
[資料番号]ED2017-66,CPM2017-109,LQE2017-79
深紫外発光素子に向けた二段階組成傾斜p-AlGaN構造

小島 久範(名城大),  安田 俊輝(名城大),  上林 大輝(名城大),  飯田 一喜(名城大),  小出 典克(名城大),  竹内 哲也(名城大),  岩谷 素顕(名城大),  上山 智(名城大),  赤崎 勇(名城大),  

[発表日]2017-12-01
[資料番号]ED2017-59,CPM2017-102,LQE2017-72
ゼオライト修飾光電極を用いた色素増感太陽電池の試作と評価

今井 貴大(山形大),  森 義晴(山形大),  三浦 正範(山形大),  鹿又 健作(山形大),  有馬 ボシールアハマド(山形大),  久保田 繁(山形大),  廣瀬 文彦(山形大),  

[発表日]2017-12-01
[資料番号]ED2017-69,CPM2017-112,LQE2017-82
m面サファイア上半極性AlNのアニールによる高品質化

定 昌史(理研),  南 聡史(理研),  平山 秀樹(理研),  

[発表日]2017-12-01
[資料番号]ED2017-68,CPM2017-111,LQE2017-81
2段階MOCVD法を用いたGaNナノワイヤの結晶成長

佐々井 耕平(名城大),  Myunghee KIM(名城大),  鈴木 敦(名城大),  澁谷 弘樹(名城大),  栗崎 湧気(名城大),  軒村 恭平(名城大),  竹林 穣(名城大),  上山 智(名城大),  竹内 哲也(名城大),  岩谷 素顕(名城大),  赤﨑 勇(名城大),  

[発表日]2017-12-01
[資料番号]ED2017-65,CPM2017-108,LQE2017-78
フォトニック結晶深紫外LEDの実現

鹿嶋 行雄(丸文),  前田 哲利(理研),  松浦 恵里子(丸文),  定 昌史(理研),  岩井 武(東京応化),  森田 敏郎(東京応化),  小久保 光典(東芝機械),  田代 貴晴(東芝機械),  上村 隆一郎(アルバック),  長田 大和(アルバック),  倉島 優一(産総研),  高木 秀樹(産総研),  平山 秀樹(理研),  

[発表日]2017-12-01
[資料番号]ED2017-60,CPM2017-103,LQE2017-73
包絡線法を用いたFDTDアルゴリズムの有機太陽電池の光学解析への応用

久保田 繁(山形大),  鹿又 健作(山形大),  有馬 ボシールアハンマド(山形大),  水野 潤(早大),  廣瀬 文彦(山形大),  

[発表日]2017-12-01
[資料番号]ED2017-70,CPM2017-113,LQE2017-83
MOS型GaNパワーデバイスにおけるPBTI信頼性の改善

梶原 瑛祐(東芝),  米原 健矢(東芝),  加藤 大望(東芝),  上杉 謙次郎(東芝),  新留 彩(東芝),  蔵口 雅彦(東芝),  向井 章(東芝),  大野 浩志(東芝),  湯元 美樹(東芝),  吉岡 啓(東芝デバイス&ストレージ),  布上 真也(東芝),  

[発表日]2017-12-01
[資料番号]ED2017-62,CPM2017-105,LQE2017-75
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