エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:2015/11/26)

タイトル/著者/発表日/資料番号
光音響・発光同時計測法を用いたGaNの内部量子効率の測定

中納 隆(金沢工大),  河上 航平(金沢工大),  山口 敦史(金沢工大),  

[発表日]2015-11-26
[資料番号]ED2015-78,CPM2015-113,LQE2015-110
光音響・発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射・非輻射再結合寿命の測定

河上 航平(金沢工大),  中納 隆(金沢工大),  山口 敦史(金沢工大),  

[発表日]2015-11-26
[資料番号]ED2015-77,CPM2015-112,LQE2015-109
1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発

梶谷 亮(パナソニック),  半田 浩之(パナソニック),  宇治田 信二(パナソニック),  柴田 大輔(パナソニック),  小川 雅弘(パナソニック),  田中 健一郎(パナソニック),  石田 秀俊(パナソニック),  田村 聡之(パナソニック),  石田 昌宏(パナソニック),  上田 哲三(パナソニック),  

[発表日]2015-11-26
[資料番号]ED2015-75,CPM2015-110,LQE2015-107
[招待講演]AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率AlxGa1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価

秩父 重英(東北大),  三宅 秀人(三重大),  平松 和政(三重大),  

[発表日]2015-11-26
[資料番号]ED2015-76,CPM2015-111,LQE2015-108
酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性

小島 一信(東北大),  塚田 悠介(三菱化学),  古川 えりか(東北大),  斉藤 真(東北大),  三川 豊(三菱化学),  久保 秀一(三菱化学),  池田 宏隆(三菱化学),  藤戸 健史(三菱化学),  上殿 明良(筑波大),  秩父 重英(東北大),  

[発表日]2015-11-26
[資料番号]ED2015-71,CPM2015-106,LQE2015-103
多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン散乱分光

石戸 亮祐(京大),  石井 良太(京大),  船戸 充(京大),  川上 養一(京大),  

[発表日]2015-11-26
[資料番号]ED2015-79,CPM2015-114,LQE2015-111
AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長

安井 大貴(三重大),  三宅 秀人(三重大),  平松 和政(三重大),  岩谷 素顕(名城大),  赤崎 勇(名城大),  天野 浩(名大),  

[発表日]2015-11-26
[資料番号]ED2015-70,CPM2015-105,LQE2015-102
微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール

鈴木 周平(三重大),  林 家弘(三重大),  三宅 秀人(三重大),  平松 和政(三重大),  福山 博之(東北大),  

[発表日]2015-11-26
[資料番号]ED2015-69,CPM2015-104,LQE2015-101
ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析

堀田 昌宏(京大),  高島 信也(富士電機),  田中 亮(富士電機),  松山 秀昭(富士電機),  上野 勝典(富士電機),  江戸 雅晴(富士電機),  須田 淳(京大),  

[発表日]2015-11-26
[資料番号]ED2015-72,CPM2015-107,LQE2015-104
ホール効果測定によるホモエピタキシャル成長低Siドープn型GaNの電気的特性評価

澤田 直暉(京大),  成田 哲生(豊田中研),  加地 徹(豊田中研),  上杉 勉(豊田中研),  堀田 昌宏(京大),  須田 淳(京大),  

[発表日]2015-11-26
[資料番号]ED2015-73,CPM2015-108,LQE2015-105
ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの光電流の波長依存性

前田 拓也(京大),  岡田 政也(住友電工),  山本 喜之(住友電工),  上野 昌紀(住友電工),  堀田 昌宏(京大),  須田 淳(京大),  

[発表日]2015-11-26
[資料番号]ED2015-74,CPM2015-109,LQE2015-106
アルミニウムを用いたプラズモニクスの発光増強応用

岡本 晃一(九大),  立石 和隆(九大),  川元 駿(九大),  西田 知句(九大),  玉田 薫(九大),  船戸 充(京大),  川上 養一(京大),  

[発表日]2015-11-26
[資料番号]ED2015-80,CPM2015-115,LQE2015-112
RF窒素プラズマを用いた表面窒化によるα-(AlGa)2O3上AlGaN形成に関する検討

荒木 努(立命館大),  武馬 輝(立命館大),  増田 直(立命館大),  名西 やす之(立命館大),  織田 真也(FLOSFIA),  人羅 俊実(FLOSFIA),  

[発表日]2015-11-26
[資料番号]ED2015-68,CPM2015-103,LQE2015-100
ALDにより成膜したHfO2を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの界面準位とデバイス特性

西野 剛介(名工大),  久保 俊晴(名工大),  江川 孝志(名工大),  

[発表日]2015-11-27
[資料番号]ED2015-82,CPM2015-117,LQE2015-114
スマートスタック技術による多接合太陽電池の接合界面評価

野中 翔一郎(東京理科大),  古川 昭雄(東京理科大),  牧田 紀久夫(産総研),  水野 英範(産総研),  菅谷 武芳(産総研),  仁木 栄(産総研),  

[発表日]2015-11-27
[資料番号]ED2015-88,CPM2015-123,LQE2015-120
無極性a面AlGaN/AlNの高温成長と深紫外発光特性

定 昌史(理研),  平山 秀樹(理研),  

[発表日]2015-11-27
[資料番号]ED2015-85,CPM2015-120,LQE2015-117
Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性

山岡 優哉(大陽日酸),  伊藤 和宏(名工大),  生方 映徳(大陽日酸),  田渕 俊也(大陽日酸),  松本 功(大陽日酸),  江川 孝志(名工大),  

[発表日]2015-11-27
[資料番号]ED2015-83,CPM2015-118,LQE2015-115
表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善

加畑 智基(名工大),  堤 達哉(名工大),  三好 実人(名工大),  江川 孝志(名工大),  

[発表日]2015-11-27
[資料番号]ED2015-87,CPM2015-122,LQE2015-119
m面サファイア上AlGaN/AlNの結晶成長と光学特性

大島 一晟(埼玉大/理研),  定 昌史(理研),  前田 哲利(理研),  鎌田 憲彦(埼玉大),  平山 秀樹(理研),  

[発表日]2015-11-27
[資料番号]ED2015-86,CPM2015-121,LQE2015-118
GaN系THz-QCLの最近の進展

寺嶋 亘(理研),  平山 秀樹(理研),  

[発表日]2015-11-27
[資料番号]ED2015-84,CPM2015-119,LQE2015-116
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