エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:2014/12/11)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2014/12/11
[資料番号]
目次

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[発表日]2014/12/11
[資料番号]
ハイブリッド集積シリコンフォトニクスリングフィルタ外部共振器型波長可変レーザの狭線幅および高出力特性(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),半導体レーザ関連技術,シリコンフォトニクス,一般)

佐藤 健二,  小林 直樹,  波若 雅彦,  山本 圭介,  渡邊 真也,  北 智洋,  山田 博仁,  山崎 裕幸,  

[発表日]2014/12/11
[資料番号]OPE2014-139,LQE2014-126
高非対称マッハ・ツェンダー干渉計装荷型シリコフォトニック波長可変レーザ(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),半導体レーザ関連技術,シリコンフォトニクス,一般)

唐 睿,  北 智洋,  山田 博仁,  

[発表日]2014/12/11
[資料番号]OPE2014-140,LQE2014-127
光学フィルタへの応用に向けた金属2次元回折格子構造の作製と光学特性評価(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),半導体レーザ関連技術,シリコンフォトニクス,一般)

鬼頭 壮宜,  元垣内 敦司,  三宅 秀人,  平松 和政,  

[発表日]2014/12/11
[資料番号]OPE2014-141,LQE2014-128
ドライバ内蔵128Gb/s DP-QPSKシリコン光変調器モジユール(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),半導体レーザ関連技術,シリコンフォトニクス,一般)

五井 一宏,  小田 研二,  益子 泰裕,  小川 憲介,  /,  /,  

[発表日]2014/12/11
[資料番号]OPE2014-142,LQE2014-129
フォトニックワイヤボンディングによるSi基板上III-Vチップ間の光伝搬(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),半導体レーザ関連技術,シリコンフォトニクス,一般)

顧 之〓,  雨宮 智宏,  石川 篤,  渥美 裕樹,  姜 〓〓,  平谷 拓生,  林 侑介,  鈴木 純一,  西山 伸彦,  田中 拓男,  荒井 滋久,  

[発表日]2014/12/11
[資料番号]OPE2014-143,LQE2014-130
熱応力・静電力駆動のマイクロマシンを用いたアサーマル波長可変面発光レーザ(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),半導体レーザ関連技術,シリコンフォトニクス,一般)

中濱 正統,  坂口 孝浩,  松谷 晃宏,  小山 二三夫,  

[発表日]2014/12/11
[資料番号]OPE2014-144,LQE2014-131
微小な埋込みヘテロ構造をもつフォトニック結晶導波路型InGaAs光ディテクタ(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),半導体レーザ関連技術,シリコンフォトニクス,一般)

野崎 謙悟,  松尾 慎治,  藤井 拓郎,  武田 浩司,  倉持 栄一,  納富 雅也,  

[発表日]2014/12/11
[資料番号]OPE2014-145,LQE2014-132
III-V-OI基板の耐熱性向上技術および低抵抗横型PIN接合形成技術(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),半導体レーザ関連技術,シリコンフォトニクス,一般)

一宮 佑希,  竹中 充,  高木 信一,  

[発表日]2014/12/11
[資料番号]OPE2014-146,LQE2014-133
7μm帯分布帰還型量子カスケードレーザ(DFB-QCL)の低消費電力化の検討(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),半導体レーザ関連技術,シリコンフォトニクス,一般)

橋本 順一,  吉永 弘幸,  森 大樹,  辻 幸洋,  村田 誠,  江川 満,  棚橋 俊之,  勝山 造,  

[発表日]2014/12/11
[資料番号]OPE2014-147,LQE2014-134
外部共振器構造を導入した光制御型利得変調レーザの高速制御(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),半導体レーザ関連技術,シリコンフォトニクス,一般)

三枝 慈,  白鳥 智史,  横田 信英,  小林 亘,  八坂 洋,  

[発表日]2014/12/11
[資料番号]OPE2014-148,LQE2014-135
Bandwidth Enhancement by Coupling to Higher Order Resonances in Active Multimode Interferometer Laser Diode

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[発表日]2014/12/11
[資料番号]OPE2014-149,LQE2014-136
その場ウェハ曲率測定による格子緩和率制御手法を用いて作製したGaAs/InGaAs系1.3μm帯メタモルフィックレーザの高速変調動作(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),半導体レーザ関連技術,シリコンフォトニクス,一般)

中尾 亮,  荒井 昌和,  小林 亘,  山本 剛,  松尾 慎治,  

[発表日]2014/12/11
[資料番号]OPE2014-150,LQE2014-137
1.3μm帯レンズ集積型面出射レーザアレイを用いた40Gb/s (4ch×10Gb/s)アンクールド動作(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),半導体レーザ関連技術,シリコンフォトニクス,一般)

直江 和彦,  中西 慧,  桑野 英之,  山下 武,  菊地 知直,  山田 靖浩,  本田 真,  足立 光一朗,  鈴木 崇功,  田中 滋久,  魚見 和久,  

[発表日]2014/12/11
[資料番号]OPE2014-151,LQE2014-138
複写される方へ

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[発表日]2014/12/11
[資料番号]
Reprographic Reproduction outside Japan

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[発表日]2014/12/11
[資料番号]
奥付

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[発表日]2014/12/11
[資料番号]
裏表紙

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[発表日]2014/12/11
[資料番号]