エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:2012/12/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2012/12/6
[資料番号]
目次

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[発表日]2012/12/6
[資料番号]
高速MBE成長法による19層積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの利得評価(半導体レーザ関連技術,及び一般)

田之上 文彦,  菅原 宏治,  赤羽 浩一,  山本 直克,  

[発表日]2012/12/6
[資料番号]LQE2012-121
ポリマー光回路を用いた面出射光源の研究(半導体レーザ関連技術,及び一般)

天野 建,  佐々木 史雄,  浮田 茂也,  鈴木 基史,  青柳 昌宏,  小森 和弘,  

[発表日]2012/12/6
[資料番号]LQE2012-122
GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化(半導体レーザ関連技術,及び一般)

進藤 隆彦,  二見 充輝,  土居 恭平,  雨宮 智宏,  西山 伸彦,  荒井 滋久,  

[発表日]2012/12/6
[資料番号]LQE2012-123
AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)

下山 峰史,  松田 学,  奥村 滋一,  植竹 理人,  江川 満,  山本 剛之,  

[発表日]2012/12/6
[資料番号]LQE2012-124
1550nm/1310nm 2波長発振高出力LD(半導体レーザ関連技術,及び一般)

森本 慎太郎,  森 浩,  山田 敦史,  長島 靖明,  藤田 幹明,  大貫 紳一,  吉田谷 弘明,  三瀬 一明,  

[発表日]2012/12/6
[資料番号]LQE2012-125
選択的反導波クラッド層を設けた非対称リッジ型半導体レーザー(半導体レーザ関連技術,及び一般)

檜垣 将広,  沼居 貴陽,  

[発表日]2012/12/6
[資料番号]LQE2012-126
フォトニック結晶レーザによる特異な集光特性を有するビームの発生(半導体レーザ関連技術,及び一般)

北村 恭子,  西本 昌哉,  酒井 恭輔,  野田 進,  

[発表日]2012/12/6
[資料番号]LQE2012-127
ウェハ接合によるシリコン基板上量子ドットレーザの進展(半導体レーザ関連技術,及び一般)

田辺 克明,  荒川 泰彦,  

[発表日]2012/12/6
[資料番号]LQE2012-128
窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼り付けとそのハイブリッドレーザへの応用(半導体レーザ関連技術,及び一般)

林 侑介,  長部 亮,  福田 渓太,  カン ジュンヒョン,  渥美 裕樹,  西山 伸彦,  荒井 滋久,  

[発表日]2012/12/6
[資料番号]LQE2012-129
フォトニック結晶面発光レーザにおける非発振バンドを介した散乱現象(半導体レーザ関連技術,及び一般)

廣瀬 和義,  黒坂 剛孝,  渡邉 明佳,  杉山 貴浩,  梁 永,  野田 進,  

[発表日]2012/12/6
[資料番号]LQE2012-130
2次元光閉じ込め構造を用いた中空導波路DBRレーザのアサーマル特性と狭線幅特性の検討(半導体レーザ関連技術,及び一般)

山川 英明,  阿久津 友宏,  坂口 孝浩,  小山 二三夫,  

[発表日]2012/12/6
[資料番号]LQE2012-131
単一ストライプ構造を有する集積型波長可変レーザの注入同期特性(半導体レーザ関連技術,及び一般)

アルボレス メヒア,  鍬塚 治彦,  金子 俊光,  上坂 勝己,  小路 元,  石川 浩,  

[発表日]2012/12/6
[資料番号]LQE2012-132
1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)

岩井 則広,  若葉 昌布,  小早川 将子,  清田 和明,  黒部 立郎,  小林 剛,  木本 竜也,  向原 智一,  横内 則之,  粕川 秋彦,  

[発表日]2012/12/6
[資料番号]LQE2012-133
LGLC型波長可変レーザを用いたTunable TOSAにおけるフルC-band 10.7Gbps-80kmファイバ伝送(半導体レーザ関連技術,及び一般)

直江 和彦,  中村 厚,  笹田 紀子,  中西 慧,  佐久間 康,  元田 勝也,  山下 武,  矢萩 智彦,  鈴木 崇功,  有本 英生,  田中 滋久,  

[発表日]2012/12/6
[資料番号]LQE2012-134
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[発表日]2012/12/6
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奥付

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裏表紙

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