エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:2011/11/10)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2011/11/10
[資料番号]
目次

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[発表日]2011/11/10
[資料番号]
分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

菊地 諒介,  奥村 宏典,  木本 恒暢,  須田 淳,  

[発表日]2011/11/10
[資料番号]ED2011-73,CPM2011-122,LQE2011-96
サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

宮川 鈴衣奈,  楊 士波,  三宅 秀人,  平松 和政,  桑原 崇彰,  光原 昌寿,  桑野 範之,  

[発表日]2011/11/10
[資料番号]ED2011-74,CPM2011-123,LQE2011-97
エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

野村 拓也,  三宅 秀人,  平松 和政,  龍 祐樹,  桑原 崇彰,  桑野 範之,  

[発表日]2011/11/10
[資料番号]ED2011-75,CPM2011-124,LQE2011-98
SiO_2マスクを用いたMOCVD-GaNの転位密度低減に関する研究(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

谷本 勝,  酒井 士郎,  

[発表日]2011/11/10
[資料番号]ED2011-76,CPM2011-125,LQE2011-99
硬さ制御に基づく高表面晶質、低転位GaN自立基板の実現(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

藤倉 序章,  大島 祐一,  吉田 丈洋,  目黒 健,  斉藤 俊也,  

[発表日]2011/11/10
[資料番号]ED2011-77,CPM2011-126,LQE2011-100
ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

金 聖植,  掘 祐臣,  谷田部 然治,  橋詰 保,  

[発表日]2011/11/10
[資料番号]ED2011-78,CPM2011-127,LQE2011-101
Surface Barrier Height Lowering at Above 540 K in AlInN/AlN/GaN Heterostructures

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[発表日]2011/11/10
[資料番号]ED2011-79,CPM2011-128,LQE2011-102
GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

岩田 康宏,  久保 俊晴,  江川 孝志,  

[発表日]2011/11/10
[資料番号]ED2011-80,CPM2011-129,LQE2011-103
様々なバンド不連続を有するAl_xGa_<1-x>N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

奥田 貴史,  三宅 裕樹,  木本 恒暢,  須田 淳,  

[発表日]2011/11/10
[資料番号]ED2011-81,CPM2011-130,LQE2011-104
AlGaN/GaN HFET電流コラプスの回復過程解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

細川 大志,  井川 裕介,  木尾 勇介,  敖 金平,  大野 泰夫,  

[発表日]2011/11/10
[資料番号]ED2011-82,CPM2011-131,LQE2011-105
促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

前田 就彦,  廣木 正伸,  佐々木 智,  原田 裕一,  

[発表日]2011/11/10
[資料番号]ED2011-83,CPM2011-132,LQE2011-106
GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

井手 利英,  清水 三聡,  沈 旭強,  森田 竜夫,  上田 哲三,  田中 毅,  

[発表日]2011/11/10
[資料番号]ED2011-84,CPM2011-133,LQE2011-107
ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

西森 理人,  牧山 剛三,  多木 俊裕,  山田 敦史,  今西 健治,  吉川 俊英,  原 直紀,  渡部 慶二,  

[発表日]2011/11/10
[資料番号]ED2011-85,CPM2011-134,LQE2011-108
透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

成田 知隆,  分島 彰男,  江川 孝志,  

[発表日]2011/11/10
[資料番号]ED2011-86,CPM2011-135,LQE2011-109
窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

森 美貴子,  山本 翔太,  桑原 洋介,  藤井 崇裕,  岩谷 素顕,  竹内 哲也,  上山 智,  赤崎 勇,  天野 浩,  

[発表日]2011/11/10
[資料番号]ED2011-87,CPM2011-136,LQE2011-110
窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

石井 良太,  金田 昭男,  バナル ライアン,  船戸 充,  川上 養一,  

[発表日]2011/11/10
[資料番号]ED2011-88,CPM2011-137,LQE2011-111
ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

井手 公康,  山本 準一,  岩谷 素顕,  竹内 哲也,  上山 智,  赤崎 勇,  天野 浩,  

[発表日]2011/11/10
[資料番号]ED2011-89,CPM2011-138,LQE2011-112
顕微反射スペクトル測定によるGaN基板残留歪みの精密マッピング測定(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

山口 敦史,  耿 慧遠,  砂川 晴夫,  石原 裕次郎,  松枝 敏晴,  碓井 彰,  

[発表日]2011/11/10
[資料番号]ED2011-90,CPM2011-139,LQE2011-113
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