エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:2010/12/10)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]
目次

,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]
マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)

佐野 勇人,  中田 紀彦,  中濱 正統,  松谷 晃宏,  小山 二三夫,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]LQE2010-114
光インターコネクション向け高信頼性1060nm帯面発光レーザにおける低電力損失特性(半導体レーザ関連技術,及び一般)

今井 英,  高木 啓史,  神谷 慎一,  清水 均,  吉田 順自,  川北 泰雅,  高木 智洋,  平岩 浩二,  清水 裕,  鈴木 理仁,  岩井 則広,  石川 卓哉,  築地 直樹,  粕川 秋彦,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]LQE2010-115
All-Optical Memory Based on Buried Heterostructure Photonic Crystal Lasers

,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]LQE2010-116
歪補償法による多重積層量子ドットレーザの発振波長制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)

赤羽 浩一,  山本 直克,  川西 哲也,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]LQE2010-117
a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)

進藤 隆彦,  奥村 忠嗣,  伊藤 瞳,  小口 貴之,  高橋 大佑,  渥美 裕樹,  姜 〓〓,  長部 亮,  雨宮 智宏,  西山 伸彦,  荒井 滋久,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]LQE2010-118
低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)

境野 剛,  瀧口 透,  外間 洋平,  佐久間 仁,  綿谷 力,  柳楽 崇,  鈴木 大輔,  青柳 利隆,  石川 高英,  石村 栄太郎,  島 顕洋,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]LQE2010-119
低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)

植竹 理人,  大坪 孝二,  松田 学,  奥村 滋一,  江川 満,  山本 剛之,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]LQE2010-120
世界最速・超広帯域波長可変・超短パルスレーザー光源(擬似SC光源)の開発とOCTへの応用(半導体レーザ関連技術,及び一般)

住村 和彦,  玄田 裕美,  太田 健史,  伊東 一良,  西澤 典彦,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]LQE2010-121
超伝導発光ダイオードにおける電子クーパー対の寄与(半導体レーザ関連技術,及び一般)

笹倉 弘理,  田中 和典,  許 載勲,  赤崎 達志,  熊野 英和,  末宗 幾夫,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]LQE2010-122
1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造(半導体レーザ関連技術,及び一般)

木下 恭一,  依田 眞一,  青木 拓克,  山本 智,  細川 忠利,  松島 正明,  荒井 昌和,  川口 悦弘,  狩野 文良,  近藤 康洋,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]LQE2010-123
光励起によるGaAs_<1-x>Bi_x/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 : その発振波長の低温度依存性(半導体レーザ関連技術,及び一般)

富永 依里子,  尾江 邦重,  吉本 昌広,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]LQE2010-124
高出力625nmAlGaInP半導体レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)

八木 哲哉,  島田 尚往,  大野 彰人,  阿部 真司,  宮下 宗治,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]LQE2010-125
BeZnCdSeを用いた緑色レーザの室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)

藤崎 寿美子,  中島 博,  葛西 淳一,  秋本 良一,  田才 邦彦,  滝口 由朗,  紀川 健,  朝妻 庸紀,  玉村 好司,  田中 滋久,  辻 伸二,  鍬塚 治彦,  挾間 壽文,  石川 浩,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]LQE2010-126
端面非吸収窓構造を用いた超高出力青紫レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)

川口 真生,  春日井 秀紀,  左文字 克哉,  萩野 裕幸,  折田 賢児,  山中 一彦,  油利 正昭,  瀧川 信一,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]LQE2010-127
紫外短波長領域に向けたAlGaN半導体レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)

吉田 治正,  桑原 正和,  山下 陽滋,  内山 和也,  菅 博文,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]LQE2010-128
複写される方へ

,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]
Notice for Photocopying

,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]
奥付

,  

[発表日]2010/12/10
[資料番号]
12>> 1-20hit(21hit)