エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:2009/12/04)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2009/12/4
[資料番号]
目次

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[発表日]2009/12/4
[資料番号]
半導体レーザにおける戻り光カオスと自己混合ドップラダイナミクス(半導体レーザ関連技術,及び一般)

大坪 順次,  正源寺 類,  

[発表日]2009/12/4
[資料番号]LQE2009-139
戻り光量子ドットレーザにおけるダイナミクス(半導体レーザ関連技術,及び一般)

高林 巨樹,  大坪 順次,  生源寺 類,  

[発表日]2009/12/4
[資料番号]LQE2009-140
Ce:YIGを有するInGaAsP/InP非対称導波路からなる非相反偏波コンバータ(半導体レーザ関連技術,及び一般)

雨宮 智宏,  阿部 健治,  種村 拓夫,  水本 哲弥,  中野 義昭,  

[発表日]2009/12/4
[資料番号]LQE2009-141
端面発光型AlGaInAsレーザの端面応力が信頼性に及ぼす影響(半導体レーザ関連技術,及び一般)

市川 弘之,  熊谷 安紀子,  河野 直哉,  松川 真治,  福田 智恵,  岩井 圭子,  生駒 暢之,  

[発表日]2009/12/4
[資料番号]LQE2009-142
OBICモニタを使ったInAs/InP MQW-DFBレーザの安定動作の解析(半導体レーザ関連技術,及び一般)

竹下 達也,  佐藤 具就,  満原 学,  近藤 康洋,  大橋 弘美,  

[発表日]2009/12/4
[資料番号]LQE2009-143
有機EL素子のプラズモン発光とピーク波長(半導体レーザ関連技術,及び一般)

佐藤 由章,  寺村 晃彦,  佐久間 吉彦,  小島 修司,  笠原 健一,  大塚 岳夫,  三浦 伸仁,  

[発表日]2009/12/4
[資料番号]LQE2009-144
多重上位準位を有する量子カスケードレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)

藤田 和上,  枝村 忠孝,  山西 正道,  杉山 厚志,  古田 慎一,  落合 貴英,  秋草 直大,  菅 博文,  

[発表日]2009/12/4
[資料番号]LQE2009-145
ペルチェ動作6.1μm量子カスケードレーザの相対雑音強度(半導体レーザ関連技術,及び一般)

片岡 誉,  森本 恭弘,  古田 峻,  笠原 健一,  藤田 和上,  秋草 直大,  枝村 忠孝,  

[発表日]2009/12/4
[資料番号]LQE2009-146
半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)

奥村 忠嗣,  伊藤 瞳,  近藤 大介,  西山 伸彦,  荒井 滋久,  

[発表日]2009/12/4
[資料番号]LQE2009-147
低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)

植竹 理人,  大坪 孝二,  松田 学,  奥村 滋一,  江川 満,  山本 剛之,  

[発表日]2009/12/4
[資料番号]LQE2009-148
InAs多重積層量子ドットによる1.55μm帯レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)

赤羽 浩一,  山本 尚克,  川西 哲也,  

[発表日]2009/12/4
[資料番号]LQE2009-149
偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作に向けた検討(半導体レーザ関連技術,及び一般)

坂口 淳,  片山 健夫,  河口 仁司,  

[発表日]2009/12/4
[資料番号]LQE2009-150
低消費電力・高効率1060nm面発光レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)

岩井 則広,  影山 健生,  高木 啓史,  今井 英,  川北 泰雅,  平岩 浩二,  清水 均,  築地 直樹,  粕川 秋彦,  

[発表日]2009/12/4
[資料番号]LQE2009-151
レンズ集積技術を用いた1.3μm帯面型レーザおよびフォトダイオードの高効率ファイバ結合(半導体レーザ関連技術,及び一般)

篠田 和典,  足立 光一朗,  李 英根,  塩田 貴支,  田中 滋久,  菅原 俊樹,  青木 雅博,  辻 伸二,  

[発表日]2009/12/4
[資料番号]LQE2009-152
光インタコネクトのための光素子のセルフアライメント技術と光サブアセンブリ(半導体レーザ関連技術,及び一般)

鈴木 敦,  菊地 克弥,  岡田 義邦,  仲川 博,  青柳 昌宏,  三川 孝,  

[発表日]2009/12/4
[資料番号]LQE2009-153
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[発表日]2009/12/4
[資料番号]
奥付

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[発表日]2009/12/4
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