エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:2009/11/12)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2009/11/12
[資料番号]
目次

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[発表日]2009/11/12
[資料番号]
Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)

原 航平,  直井 美貴,  酒井 士郎,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-128,CPM2009-102,LQE2009-107
HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)

佐々木 斉,  後藤 裕輝,  碓井 彰,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-129,CPM2009-103,LQE2009-108
AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)

島原 佑樹,  武富 浩幸,  三宅 秀人,  平松 和政,  福世 文嗣,  岡田 知幸,  高岡 秀嗣,  吉田 治正,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-130,CPM2009-104,LQE2009-109
Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)

神村 淳平,  岸野 克巳,  菊池 昭彦,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-131,CPM2009-105,LQE2009-110
RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 : 配列制御InNナノコラム成長について(窒化物及び混晶半導体デバイス)

荒木 努,  山口 智広,  金子 昌充,  名西 [ヤス]之,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-132,CPM2009-106,LQE2009-111
RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス)

山口 智広,  名西 [ヤス]之,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-133,CPM2009-107,LQE2009-112
AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)

尾沼 猛儀,  羽豆 耕治,  宗田 孝之,  上殿 明良,  秩父 重英,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-134,CPM2009-108,LQE2009-113
半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)

金田 昭男,  上田 雅也,  船戸 充,  川上 養一,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-135,CPM2009-109,LQE2009-114
近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)

橋谷 享,  金田 昭男,  船戸 充,  川上 養一,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-136,CPM2009-110,LQE2009-115
ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)

小林 篤,  下元 一馬,  上野 耕平,  梶間 智文,  太田 実雄,  藤岡 洋,  尾嶋 正治,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-137,CPM2009-111,LQE2009-116
第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)

白石 賢二,  岩田 潤一,  小幡 輝明,  押山 淳,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-138,CPM2009-112,LQE2009-117
Ga_xIn_<1-x>As多結晶薄膜の電気的光学的特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)

鳥居 義親,  奥迫 拓也,  高見 慎也,  梶川 靖友,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-139,CPM2009-113,LQE2009-118
GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)

永田 賢昌,  飯田 大輔,  永松 謙太郎,  竹田 健一郎,  松原 哲也,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-140,CPM2009-114,LQE2009-119
AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)

吉田 治正,  桑原 正和,  山下 陽滋,  高木 康文,  内山 和也,  菅 博文,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-141,CPM2009-115,LQE2009-120
UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)

市川 友紀,  竹田 健一郎,  小木曽 裕二,  永田 賢吾,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  吉田 治正,  桑原 正和,  山下 陽滋,  菅 博文,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-142,CPM2009-116,LQE2009-121
ショットキー型紫外発光ダイオードを用いたRGB発光素子の製作(窒化物及び混晶半導体デバイス)

本田 徹,  野崎 理,  坂井 直之,  野口 和之,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-143,CPM2009-117,LQE2009-122
酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)

永田 賢吾,  市川 友紀,  竹田 健一郎,  永松 謙太郎,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-144,CPM2009-118,LQE2009-123
InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて : 発光素子から太陽電池への展開(窒化物及び混晶半導体デバイス)

草部 一秀,  石谷 善博,  吉川 明彦,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-145,CPM2009-119,LQE2009-124
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