エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:2007/10/04)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2007/10/4
[資料番号]
目次

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[発表日]2007/10/4
[資料番号]
窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

山口 敦史,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-156,CPM2007-82,LQE2007-57
単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

金田 昭男,  金井 聡庸,  船戸 充,  川上 養一,  菊池 昭彦,  岸野 克己,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-157,CPM2007-83,LQE2007-58
RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

関口 寛人,  加藤 圭,  田中 譲,  菊池 昭彦,  岸野 克巳,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-158,CPM2007-84,LQE2007-59
高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

福島 康之,  高瀬 裕志,  薄田 学,  折田 賢児,  上田 哲三,  田中 毅,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-159,CPM2007-85,LQE2007-60
アンモニアガス中の水分によるInGaN LEDのEL発光強度への影響 : MOVPEによるLED構造の成長におけるアンモニアガス中の水分管理(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

万行 大貴,  小野 宏之,  小林 芳彦,  松本 功,  渋谷 和信,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-160,CPM2007-86,LQE2007-61
p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

藤川 紗千恵,  高野 隆好,  近藤 行廣,  平山 秀樹,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-161,CPM2007-87,LQE2007-62
端面電流非注入構造導入による純青色レーザのCOD抑制(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

後藤 修,  大泉 善嗣,  庄司 美和子,  田中 隆之,  保科 幸男,  太田 誠,  矢吹 義文,  冨谷 茂隆,  池田 昌夫,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-162,CPM2007-88,LQE2007-63
AlGaN多重量子井戸型レーザの深紫外発振と光学異方特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

川西 英雄,  新倉 栄一郎,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-163,CPM2007-89,LQE2007-64
絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

水江 千帆子,  松山 哲也,  小谷 淳二,  ミツェーク マルチン,  橋詰 保,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-164,CPM2007-90,LQE2007-65
多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

酒井 亮輔,  西田 猛利,  塩島 謙次,  葛原 正明,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-165,CPM2007-91,LQE2007-66
無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

黒田 正行,  上田 哲三,  田中 毅,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-166,CPM2007-92,LQE2007-67
ITOショットキ電極を用いたAlGaN/GaN HEMTのリーク電流低減(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

松田 慶太,  川崎 健,  中田 健,  五十嵐 武司,  八重樫 誠司,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-167,CPM2007-93,LQE2007-68
4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

寺田 豊,  鈴江 隆晃,  石川 博康,  江川 孝志,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-168,CPM2007-94,LQE2007-69
AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した緩やかな電流応答と電流コラプスの解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

中島 敦,  堀尾 和重,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-169,CPM2007-95,LQE2007-70
AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

田島 正文,  小谷 淳二,  田村 隆博,  橋詰 保,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-170,CPM2007-96,LQE2007-71
AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

児玉 和樹,  西田 猛利,  塩島 謙次,  葛原 正明,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-171,CPM2007-97,LQE2007-72
Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

柏原 康,  高木 重徳,  増田 和俊,  松下 景一,  小野寺 賢,  高木 一考,  川崎 久夫,  高田 賢治,  津田 邦男,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-172,CPM2007-98,LQE2007-73
ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

徳田 豊,  松岡 陽一,  妹尾 武,  上田 博之,  石黒 修,  副島 成雅,  加地 徹,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-173,CPM2007-99,LQE2007-74
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