エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:2006/09/28)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2006/9/28
[資料番号]
目次

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[発表日]2006/9/28
[資料番号]
X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)

柏原 康,  増田 和俊,  松下 景一,  桜井 博幸,  高塚 眞治,  高木 一考,  川崎 久夫,  高田 賢治,  津田 邦男,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-152,CPM2006-89,LQE2006-56
AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)

中田 健,  川崎 健,  松田 慶太,  五十嵐 武司,  八重樫 誠司,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-153,CPM2006-90,LQE2006-57
Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)

大来 英之,  見田 充郎,  佐野 芳明,  丸井 俊治,  伊藤 正紀,  星 真一,  戸田 典彦,  関 昇平,  江川 孝志,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-154,CPM2006-91,LQE2006-58
SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)

岩崎 天彦,  石川 博康,  江川 孝志,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-155,CPM2006-92,LQE2006-59
擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)

中澤 一志,  上野 弘明,  松尾 尚慶,  柳原 学,  上本 康裕,  上田 哲三,  田中 毅,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-156,CPM2006-93,LQE2006-60
窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)

木村 健,  小谷 淳二,  加藤 寛樹,  田島 正文,  小川 恵理,  水江 千帆子,  橋詰 保,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-157,CPM2006-94,LQE2006-61
XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)

小野島 紀夫,  東脇 正高,  須田 淳,  木本 恒暢,  三村 高志,  松井 敏明,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-158,CPM2006-95,LQE2006-62
マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)

小坂 賢一,  藤嶌 辰也,  井上 薫,  檜木 啓宏,  山田 朋幸,  土屋 忠厳,  城川 潤二郎,  神谷 慎一,  鈴木 彰,  荒木 努,  名西 〓之,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-159,CPM2006-96,LQE2006-63
ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)

淀 徳男,  白石 雄起,  平田 清隆,  富田 博之,  西江 紀明,  堀部 裕明,  岩田 圭吾,  原田 義之,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-160,CPM2006-97,LQE2006-64
470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)

小島 一信,  船戸 充,  川上 養一,  シュワルツ ウルリヒ・T,  ブラウン ハラルド,  長濱 慎一,  向井 孝志,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-161,CPM2006-98,LQE2006-65
半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)

上田 雅也,  小島 一信,  船戸 充,  川上 養一,  成川 幸男,  向井 孝志,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-162,CPM2006-99,LQE2006-66
Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)

内田 裕行,  菊池 昭彦,  岸野 克巳,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-163,CPM2006-100,LQE2006-67
MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)

中山 正昭,  田中 浩康,  安藤 雅信,  上村 俊也,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-164,CPM2006-101,LQE2006-68
InGaN微小バルク結晶からの電子線励起発光の特徴(窒化物及び混晶半導体デバイス)

蟹江 壽,  瀬間 勇二,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-165,CPM2006-102,LQE2006-69
電流注入発光寿命によるGaN系LEDにおける内部量子効率の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)

財満 康太郎,  成田 哲生,  斎藤 真司,  橘 浩一,  名古 肇,  波多腰 玄一,  布上 真也,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-166,CPM2006-103,LQE2006-70
有機金属気相成長法によるGaN系ユニポーラUVLEDの製作(窒化物及び混晶半導体デバイス)

小林 俊章,  小宮山 重利,  増山 佳宏,  本田 徹,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-167,CPM2006-104,LQE2006-71
様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)

渡邉 浩崇,  飯田 一喜,  竹田 健一郎,  永松 謙太郎,  住井 隆文,  永井 哲也,  バラクリッシュナン クリッシュナン,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  坂東 章,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-168,CPM2006-105,LQE2006-72
CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給(窒化物及び混晶半導体デバイス)

新井 雅俊,  杉本 浩一,  江川 慎一,  馬場 太一,  澤田 勝,  本田 徹,  

[発表日]2006/9/28
[資料番号]ED2006-169,CPM2006-106,LQE2006-73
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