エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:2005/12/02)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]2005/12/2
[資料番号]
目次

,  

[発表日]2005/12/2
[資料番号]
1.2μm帯GaInAs/GaAs高密度面発光レーザアレイの波長制御(半導体レーザ関連技術, 及び一般)

内山 泰宏,  武田 一隆,  宮本 智之,  小山 二三夫,  

[発表日]2005/12/2
[資料番号]LQE2005-112
光インターコネクション用1.1μm帯InGaAs VCSEL(半導体レーザ関連技術, 及び一般)

鈴木 尚文,  畠山 大,  阿南 隆由,  深津 公良,  屋敷 健一郎,  辻 正芳,  

[発表日]2005/12/2
[資料番号]LQE2005-113
Tunable Twin Guide DFBレーザの波長可変特性(半導体レーザ関連技術, 及び一般)

早川 明憲,  高林 和雅,  田中 信介,  苫米地 秀一,  江川 満,  森戸 健,  

[発表日]2005/12/2
[資料番号]LQE2005-114
ラダー型フィルタとリング共振器を用いたデジタル型波長可変レーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)

松尾 慎治,  鄭 錫煥,  瀬川 徹,  岡本 浩,  川口 悦弘,  近藤 康洋,  鈴木 博之,  吉國 裕三,  

[発表日]2005/12/2
[資料番号]LQE2005-115
バーニア型DBRレーザを用いた波長可変光クロックパルス発生(半導体レーザ関連技術, 及び一般)

西村 哲也,  後藤田 光伸,  西川 智志,  徳田 安紀,  

[発表日]2005/12/2
[資料番号]LQE2005-116
短共振器DBR構造を用いた1.3μm帯InGaAlAs系レーザの低電流・高温10Gbit/s動作(半導体レーザ関連技術, 及び一般)

篠田 和典,  北谷 健,  青木 雅博,  向久保 優,  内田 憲治,  魚見 和久,  

[発表日]2005/12/2
[資料番号]LQE2005-117
10Gbit/s非冷却LDモジュールの給電回路の検討(半導体レーザ関連技術, 及び一般)

岡田 規男,  安井 伸之,  有賀 博,  白井 聡,  大島 功,  杉立 厚志,  八田 竜夫,  渡辺 斉,  

[発表日]2005/12/2
[資料番号]LQE2005-118
シングルモードDFB量子カスケードレーザの分光分析への応用(半導体レーザ関連技術, 及び一般)

枝村 忠孝,  秋草 直大,  杉山 厚志,  落合 隆英,  山西 正道,  上原 喜代冶,  菅 博文,  

[発表日]2005/12/2
[資料番号]LQE2005-119
2次元半導体レーザの発振特性(半導体レーザ関連技術, 及び一般)

福嶋 丈浩,  原山 卓久,  

[発表日]2005/12/2
[資料番号]LQE2005-120
MEMS集積化フォトニック結晶導波路の作製と評価(半導体レーザ関連技術, 及び一般)

岩本 敏,  山田 博仁,  徳島 正敏,  五明 明子,  肥後 昭男,  年吉 洋,  石田 悟己,  荒川 泰彦,  

[発表日]2005/12/2
[資料番号]LQE2005-121
GaInAsP/InP極微構造の低損傷形成による低電流歪補償量子細線DFBレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)

三浦 幸治,  プルームウォンロート タノーム,  西本 頼史,  大平 和哉,  八木 英樹,  丸山 武男,  荒井 滋久,  

[発表日]2005/12/2
[資料番号]LQE2005-122
高密度高均一量子ドットを用いた量子ドットレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)

天野 建,  菅谷 武芳,  小森 和弘,  

[発表日]2005/12/2
[資料番号]LQE2005-123
長波長帯多層化量子ドットレーザの低閾値電流密度発振(半導体レーザ関連技術, 及び一般)

清水 均,  / 吉田 順自,  井部 紗代子,  横内 則之,  

[発表日]2005/12/2
[資料番号]LQE2005-124
複写される方へ

,  

[発表日]2005/12/2
[資料番号]
Notice about photocopying

,  

[発表日]2005/12/2
[資料番号]
奥付

,  

[発表日]2005/12/2
[資料番号]