エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:2005/10/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2005/10/7
[資料番号]
目次

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[発表日]2005/10/7
[資料番号]
四元混晶InAlBNの相分離に関するシミュレーション(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

木村 健司,  松岡 隆志,  

[発表日]2005/10/7
[資料番号]ED2005-139,CPM2005-126,LQE005-66
PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

藤岡 洋,  太田 実雄,  井上 茂,  小林 篤,  岡本 浩一郎,  金 太源,  松木 伸行,  

[発表日]2005/10/7
[資料番号]ED2005-140,CPM2005-127,LQE005-67
化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

小林 俊章,  平山 航史,  江川 慎一,  秋山 誠和子,  杉本 浩一,  馬場 太一,  本田 徹,  川西 英雄,  

[発表日]2005/10/7
[資料番号]ED2005-141,CPM2005-128,LQE005-68
GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

馬場 太一,  秋山 誠和子,  江川 慎一,  小林 俊章,  蓮沼 範行,  本田 徹,  川西 英雄,  

[発表日]2005/10/7
[資料番号]ED2005-142,CPM2005-129,LQE005-69
研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

増田 規宏,  石賀 章,  劉 玉懐,  三宅 秀人,  平松 和政,  柴田 智彦,  田中 光浩,  原口 雅也,  桑野 範之,  

[発表日]2005/10/7
[資料番号]ED2005-143,CPM2005-130,LQE005-70
高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

勝野 琢弥,  大西 孝,  劉 玉懐,  黎 大兵,  柴田 智彦,  田中 光浩,  三宅 秀人,  平松 和政,  

[発表日]2005/10/7
[資料番号]ED2005-144,CPM2005-131,LQE005-71
昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

土屋 法隆,  バラクリッシュナン クリッシュナン,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  下野 健二,  野呂 匡志,  高木 俊,  古庄 智明,  

[発表日]2005/10/7
[資料番号]ED2005-145,CPM2005-132,LQE005-72
高品質SiCウェーハの開発(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

古庄 智明,  小林 良平,  佐々木 信,  林 利彦,  木下 博之,  塩見 弘,  

[発表日]2005/10/7
[資料番号]ED2005-146,CPM2005-133,LQE005-73
ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

古川 拓也,  木村 健,  佐藤 威友,  葛西 誠也,  長谷川 英機,  橋詰 保,  

[発表日]2005/10/7
[資料番号]ED2005-147,CPM2005-134,LQE005-74
AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

松尾 一心,  木村 健,  長谷川 英機,  橋詰 保,  

[発表日]2005/10/7
[資料番号]ED2005-148,CPM2005-135,LQE005-75
窒化物半導体を用いた光電気化学反応による水素生成(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

藤井 克司,  小野 雅人,  伊藤 高志,  岩城 安浩,  大川 和宏,  

[発表日]2005/10/7
[資料番号]ED2005-149,CPM2005-136,LQE005-76
高効率・高出力GaN系半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

蔵本 恭介,  大野 彰仁,  山田 智雄,  岡川 広明,  川津 善平,  川崎 和重,  冨田 信之,  塩沢 勝臣,  金本 恭三,  渡辺 寛,  竹見 政義,  八木 哲哉,  村田 博昭,  島 顕洋,  

[発表日]2005/10/7
[資料番号]ED2005-150,CPM2005-137,LQE005-77
光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

狩野 隆司,  野村 康彦,  畑 雅幸,  井上 大二朗,  庄野 昌幸,  

[発表日]2005/10/7
[資料番号]ED2005-151,CPM2005-138,LQE005-78
RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

菊池 昭彦,  多田 誠,  岸野 克巳,  

[発表日]2005/10/7
[資料番号]ED2005-152,CPM2005-139,LQE005-79
330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

平山 秀樹,  高野 隆好,  大橋 智昭,  藤川 紗千恵,  鎌田 憲彦,  近藤 行廣,  

[発表日]2005/10/7
[資料番号]ED2005-153,CPM2005-140,LQE005-80
InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

金田 昭男,  船戸 充,  成川 幸男,  向井 孝志,  川上 養一,  

[発表日]2005/10/7
[資料番号]ED2005-154,CPM2005-141,LQE005-81
InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

船戸 充,  小谷 晃央,  近藤 剛,  西塚 幸司,  成川 幸男,  向井 孝志,  川上 養一,  

[発表日]2005/10/7
[資料番号]ED2005-155,CPM2005-142,LQE005-82
2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

池永 和正,  生方 映徳,  山口 晃,  阿久津 仲男,  藤居 勤二,  松本 功,  

[発表日]2005/10/7
[資料番号]ED2005-156,CPM2005-143,LQE005-83
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