エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:2003/09/26)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2003/9/26
[資料番号]
目次

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[発表日]2003/9/26
[資料番号]
Al_<0.5>Ga_<0.5>Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)

安川 浩範,  木田 喜啓,  石賀 章,  柴田 泰宏,  元垣内 敦司,  三宅 秀人,  平松 和政,  大内 洋一郎,  只友 一行,  濱村 寛,  福井 一俊,  

[発表日]2003/9/26
[資料番号]LQE2003-65
真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)

渡邊 博信,  元垣内 敦司,  平松 和政,  福井 一俊,  濱村 寛,  只友 一行,  

[発表日]2003/9/26
[資料番号]LQE2003-66
MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)

石川 博康,  加藤 正博,  青山 隆史,  松井 慎一,  / 江川 孝志,  神保 孝志,  

[発表日]2003/9/26
[資料番号]LQE2003-67
MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_<1-x>N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)

三好 実人,  坂井 正宏,  石川 博康,  江川 孝志,  神保 孝志,  田中 光浩,  小田 修,  勝川 裕幸,  

[発表日]2003/9/26
[資料番号]LQE2003-68
n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)

南條 拓真,  三浦 成久,  大石 敏之,  吹田 宗義,  阿部 雄次,  尾関 龍夫,  石川 博康,  江川 孝志,  

[発表日]2003/9/26
[資料番号]LQE2003-69
AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)

塩島 謙次,  杉谷 末広,  重川 直輝,  

[発表日]2003/9/26
[資料番号]LQE2003-70
GaNおよびAlGaN表面の窒素空乏と接合特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)

橋詰 保,  

[発表日]2003/9/26
[資料番号]LQE2003-71
Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)

町田 修,  柳原 将貴,  千野 恵美子,  岩上 信一,  金子 信男,  後藤 博一,  大塚 康二,  

[発表日]2003/9/26
[資料番号]LQE2003-72
AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)

石田 秀俊,  村田 智洋,  神田 敦彦,  石井 基範,  廣瀬 裕,  上本 康裕,  田中 毅,  

[発表日]2003/9/26
[資料番号]LQE2003-73
Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)

井上 隆,  安藤 裕二,  中山 連峰,  宮本 広信,  岡本 康宏,  幡谷 耕二,  葛原 正明,  

[発表日]2003/9/26
[資料番号]LQE2003-74
高相互コンダクタンスを有するSic基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)

見田 充郎,  大来 英之,  海部 勝晶,  山田 朋幸,  佐野 芳明,  江川 孝志,  石川 博康,  

[発表日]2003/9/26
[資料番号]LQE2003-75
高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)

岡本 康宏,  安藤 裕二,  幡谷 耕二,  井上 隆,  中山 達峰,  宮本 広信,  葛原 正明,  

[発表日]2003/9/26
[資料番号]LQE2003-76
フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)

齋藤 渉,  高田 賢治,  蔵口 雅彦,  津田 邦身,  大村 一郎,  小倉 常雄,  

[発表日]2003/9/26
[資料番号]LQE2003-77
高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)

吉川 俊英,  金村 雅仁,  横川 茂,  安達 信雄,  横山 満徳,  西 眞広,  田中 正公,  五十嵐 勉,  館野 泰範,  原 直紀,  常信 和清,  

[発表日]2003/9/26
[資料番号]LQE2003-78
AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)

沖野 徹,  落合 大,  大野 雄高,  岸本 茂,  前澤 宏一,  水谷 孝,  

[発表日]2003/9/26
[資料番号]LQE2003-79
奥付

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[発表日]2003/9/26
[資料番号]
複写される方へ

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[発表日]2003/9/26
[資料番号]