エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日：2002/06/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/6/6
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/6/6
[資料番号]
GaN基板結晶成長技術の最近の進展(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

碓井 彰,  砂川 晴夫,  山口 敦史,  小林 憲司,  

[発表日]2002/6/6
[資料番号]LQE2002-19
HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

中村 正志,  佐々木 伸一,  清水 英一,  朝日 聰明,  佐藤 賢次,  田中 亮太,  今井 恒,  若原 昭浩,  吉田 明,  

[発表日]2002/6/6
[資料番号]LQE2002-20
エアブリッジ構造を有する低転位GaNの応力解析(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

石橋 明彦,  菅原 岳,  川口 靖利,  横川 俊哉,  

[発表日]2002/6/6
[資料番号]LQE2002-21
Formation of bulk gallium nitride (GaN) using a multi-cusp plasma-sputter ion source system

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[発表日]2002/6/6
[資料番号]LQE2002-22
ZrB_2 基板作製の現状(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

大谷 茂樹,  

[発表日]2002/6/6
[資料番号]LQE2002-23
Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

鳥飼 正幸,  加藤 友将,  本田 善央,  山口 雅史,  澤木 宣彦,  

[発表日]2002/6/6
[資料番号]LQE2002-24
Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

成田 哲生,  加藤 友将,  本田 善央,  山口 雅史,  澤木 宣彦,  

[発表日]2002/6/6
[資料番号]LQE2002-25
Growth of Hexagonal GaN on Si(111) by Using a porous GaN Interlayer

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[発表日]2002/6/6
[資料番号]LQE2002-26
エピタキシャルAlN/Sapphireテンプレート上に成長したInGaN系LEDの評価(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

大村 浩嘉,  石川 博康,  江川 孝志,  神保 孝志,  増井 寛二,  

[発表日]2002/6/6
[資料番号]LQE2002-27
III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

三宅 秀人,  竹内 亮,  平松 和政,  直井 弘之,  家近 泰,  前田 尚良,  Riemann T.,  Bertram F.,  Christen J.,  

[発表日]2002/6/6
[資料番号]LQE2002-28
加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

坊山 晋也,  吉川 兼司,  直井 弘之,  三宅 秀人,  平松 和政,  家近 泰,  前田 尚良,  

[発表日]2002/6/6
[資料番号]LQE2002-29
AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

新田 州吾,  渡辺 康弘,  富田 仁人,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  山口 栄雄,  岩村 保雄,  

[発表日]2002/6/6
[資料番号]LQE2002-30
MOCVD成長GaN薄膜の結晶性の成長圧力依存性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

金 聖祐,  柴田 知己,  杉本 哲也,  山田 貴司,  芳賀 一弘,  鈴木 敏正,  

[発表日]2002/6/6
[資料番号]LQE2002-31
GaN薄膜のアンモニアMBE成長におけるインジェクターの加熱効果(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

柴田 知己,  金 聖祐,  赤津 政宏,  山田 貴司,  芳賀 一弘,  鈴木 敏正,  

[発表日]2002/6/6
[資料番号]LQE2002-32
InGaN量子井戸構造における水素雰囲気の影響(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

生方 映徳,  徳永 裕樹,  矢野 良樹,  山口 晃,  山崎 利明,  

[発表日]2002/6/6
[資料番号]LQE2002-33
Siドープ AlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

谷保 芳孝,  嘉数 誠,  小林 直樹,  

[発表日]2002/6/6
[資料番号]LQE2002-34
化合物原料MBE法によるGaN薄膜の製作と発光素子への応用(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

本田 徹,  伊賀 健一,  川西 英雄,  

[発表日]2002/6/6
[資料番号]LQE2002-35
RF-MBE法によるGaAsN混晶の作製と光学特性評価(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

西川 敦,  片山 竜二,  尾鍋 研太郎,  白木 靖寛,  

[発表日]2002/6/6
[資料番号]LQE2002-36
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