エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:1997/06/17)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1997/6/17
[資料番号]
目次

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[発表日]1997/6/17
[資料番号]
低誘電率フッ素化アモルファスカーボンの作製

林 亨,  天野 富大,  増田 淳,  横道 治男,  

[発表日]1997/6/17
[資料番号]LQE97-18
ガスーソースMBE法による超格子APD高性能化の検討

牧田 紀久夫,  渡邊 功,  辻 正芳,  林 雅子,  中田 武志,  田口 剣申,  

[発表日]1997/6/17
[資料番号]LQE97-19
原子層成長による原子層フラクタル超格子の作製と評価

一色 秀夫,  棚谷 公彦,  高橋 雅也,  木村 忠正,  青柳 克信,  菅野 卓雄,  

[発表日]1997/6/17
[資料番号]LQE97-20
InP基板上のZnCdSeの成長

岩田 普,  難波江 宏一,  屋敷 健一郎,  

[発表日]1997/6/17
[資料番号]LQE97-21
GaPN混晶半導体のMOVPEと光学評価

矢口 裕之,  

[発表日]1997/6/17
[資料番号]LQE97-22
昇華法によるバルクGaNの結晶成長および物性評価

西野 克志,  倉井 聡,  鳥取 悟,  野崎 雅章,  直井 美貴,  酒井 士郎,  

[発表日]1997/6/17
[資料番号]LQE97-23
原子状水素を用いて表面処理を行ったGaAs(001)基板上への高品質立方晶GaNのMBE成長

永野 元,  奏 志新,  賈 岸偉,  加藤 嘉則,  小林 正和,  吉川 明彦,  

[発表日]1997/6/17
[資料番号]LQE97-24
X線測定による六方晶/立方晶GaN混合比の推定とHVPE GaN/GaAsの評価

土屋 晴稔,  砂場 健児,  米村 正吾,  末益 崇,  長谷川 文夫,  

[発表日]1997/6/17
[資料番号]LQE97-25
MOCVD法によるサファイア基板上のInGaN/AlGaN発光ダイオードの諸特性

山本 健作,  石川 博康,  江川 孝志,  神保 孝志,  梅野 正義,  

[発表日]1997/6/17
[資料番号]LQE97-26
化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAsの成長と長波長帯面発光レーザへの応用

宮本 智之,  竹内 寛爾,  小山 二三夫,  伊賀 健一,  

[発表日]1997/6/17
[資料番号]LQE97-27
High-quality deep etching of GaN by VUV-UV multi wave length laser ablation

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[発表日]1997/6/17
[資料番号]LQE97-28
[OTHERS]

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[発表日]1997/6/17
[資料番号]