エレクトロニクス-集積回路(開催日:2014/04/10)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2014/4/10
[資料番号]
目次

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[発表日]2014/4/10
[資料番号]
高速不揮発性RAMとフラッシュメモリで構成するハイブリッド・ストレージ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

竹内 健,  

[発表日]2014/4/10
[資料番号]ICD2014-1
Unified Memory Extensionによりランダムリード性能66.3KIOPS シーケンシャルリード性能690MB/sを達成するUniversal Flash Storageデバイスコントローラ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

吉井 謙一郎,  渡邊 幸之介,  近藤 伸宏,  前田 賢一,  藤澤 俊雄,  弘原海 潤治,  宮下 大輔,  香西 昌平,  畝川 康夫,  藤井 伸介,  青山 琢磨,  田村 隆之,  国松 敦,  大脇 幸人,  

[発表日]2014/4/10
[資料番号]ICD2014-2
三次元TSV積層ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッドSSDにおける不揮発メモリへの性能要求(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

宮地 幸祐,  藤井 裕大,  上口 光,  樋口 和英,  孫 超,  竹内 健,  

[発表日]2014/4/10
[資料番号]ICD2014-3
RAID-5/6構成のクラウドデータセンタ向けReRAM/TLC NANDフラッシュメモリのハイブリッドストレージ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

山沢 裕紀,  徳冨 司,  田中丸 周平,  寧 渉洋,  竹内 健,  

[発表日]2014/4/10
[資料番号]ICD2014-4
ビッグデータ向けMLC/TLCハイブリッドストレージアレイのデータマネジメントと交換手法の提案(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

蜂谷 尚悟,  上口 光,  宮地 幸祐,  竹内 健,  

[発表日]2014/4/10
[資料番号]ICD2014-5
SSDを用いたデータベースストレージシステムにおけるアプリケーション層とNANDフラッシュメモリ層の協調設計(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

宮地 幸祐,  孫 超,  曽我 あゆみ,  竹内 健,  

[発表日]2014/4/10
[資料番号]ICD2014-6
1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM : 6T2MTJセルにバックグラウンド書き込み(BGW)方式を適用(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

大澤 隆,  小池 洋紀,  三浦 貞彦,  木下 啓蔵,  本庄 弘明,  池田 正二,  羽生 貴弘,  大野 英男,  遠藤 哲郎,  

[発表日]2014/4/10
[資料番号]ICD2014-7
全文検索システム向け階層的パワーゲーティングを活用した低エネルギー不揮発TCAMエンジンチップ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

松永 翔雲,  崎村 昇,  根橋 竜介,  杉林 直彦,  夏井 雅典,  望月 明,  遠藤 哲郎,  大野 英男,  羽生 貴弘,  

[発表日]2014/4/10
[資料番号]ICD2014-8
システムを構成するメモリ、システムに浸透するメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

新居 浩二,  

[発表日]2014/4/10
[資料番号]ICD2014-9
0.38V動作可能なプロセスばらつき耐性を有する65nm 8Mb STT-MRAM読出しセンスアンプ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

梅木 洋平,  柳田 晃司,  吉本 秀輔,  和泉 慎太郎,  吉本 雅彦,  川口 博,  角田 浩司,  杉井 寿博,  

[発表日]2014/4/10
[資料番号]ICD2014-10
Adaptive Body Bias技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの0.37V超低電圧動作(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

山本 芳樹,  槇山 秀樹,  山下 朋弘,  尾田 秀一,  蒲原 史朗,  杉井 信之,  山口 泰男,  水谷 朋子,  平本 俊郎,  

[発表日]2014/4/10
[資料番号]ICD2014-11
7nsのアクセスタイム、27fA/bの待機時電流、25μW/MHzの動作時電力を達成した低電力MCU向け65nm 128kb SRAMの開発(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

福田 寿一,  小原 弘治,  堂坂 利彰,  武山 泰久,  緑川 剛,  橋本 健二,  脇山 一郎,  宮野 信治,  北城 岳彦,  

[発表日]2014/4/10
[資料番号]ICD2014-12
27%動作電力削減と85%リーク削減を実現する2電源SRAM用ビット線電力計算回路およびデジタル制御リテンション回路(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

櫛田 桂一,  橘 文彦,  平林 修,  武山 泰久,  川澄 篤,  鈴木 東,  仁木 祐介,  静野 観椰子,  佐々木 慎一,  矢部 友章,  畝川 康夫,  

[発表日]2014/4/10
[資料番号]ICD2014-13
28nmテクノロジを用いた400MHz 4-Parallel 1.6Gsearch/s 80Mb Ternary CAMの設計(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

新居 浩二,  天野 照彦,  渡邊 直也,  山脇 実,  吉永 賢司,  和田 実邦子,  林 勇,  

[発表日]2014/4/10
[資料番号]ICD2014-14
10nm技術世代マルチゲートFinFETデバイス・回路技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

昌原 明植,  遠藤 和彦,  大内 真一,  松川 貴,  柳 永〓,  右田 真司,  水林 亘,  森田 行則,  太田 裕之,  

[発表日]2014/4/10
[資料番号]ICD2014-15
ISSCCにおけるメモリ論文動向 : 過去10年のトレンド解析と予想(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

川澄 篤,  

[発表日]2014/4/10
[資料番号]ICD2014-16
MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

小池 洋紀,  崎村 昇,  根橋 竜介,  辻 幸秀,  森岡 あゆ香,  三浦 貞彦,  本庄 弘明,  杉林 直彦,  大澤 隆,  池田 正二,  羽生 貴弘,  大野 英男,  遠藤 哲郎,  

[発表日]2014/4/10
[資料番号]ICD2014-17
超高速なデータ検索を実現するデータベースプロセッサー(DBP) : メモリ型コンピューティングで情報処理を大きく進化革新(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

井上 克己,  範 公可,  

[発表日]2014/4/10
[資料番号]ICD2014-18
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