エレクトロニクス-集積回路(開催日:2013/04/04)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2013/4/4
[資料番号]
目次

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[発表日]2013/4/4
[資料番号]
低熱伝導のナノ結晶材料を用いた低電力相変化デバイス(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

森川 貴博,  秋田 憲一,  大柳 孝純,  北村 匡史,  木下 勝治,  田井 光春,  高浦 則克,  

[発表日]2013/4/4
[資料番号]ICD2013-1
STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

角田 浩司,  能代 英之,  吉田 親子,  山崎 裕一,  高橋 厚,  射場 義久,  畑田 明良,  中林 正明,  長永 隆志,  青木 正樹,  杉井 寿博,  

[発表日]2013/4/4
[資料番号]ICD2013-2
非接触メモリーカードの待機電力削減のための誘導結合型ウェイクアップトランシーバ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

三浦 典之,  齋藤 美都子,  田口 眞男,  黒田 忠広,  

[発表日]2013/4/4
[資料番号]ICD2013-3
書き換え1000万回超のReRAMを実現する微細フィラメント形成技術及びレベルベリファイ書込み方式(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

川原 昭文,  河合 賢,  池田 雄一郎,  加藤 佳一,  東 亮太郎,  吉本 裕平,  田邊 浩平,  魏 志強,  二宮 健生,  片山 幸治,  村岡 俊作,  姫野 敦史,  島川 一彦,  高木 剛,  青野 邦年,  

[発表日]2013/4/4
[資料番号]ICD2013-4
Restructuring of Memory Hierarchy in Computing System with Spintronics-Based Technologies

遠藤 哲郎,  

[発表日]2013/4/4
[資料番号]ICD2013-5
32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM : 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

遠藤 哲郎,  大澤 隆,  小池 洋紀,  三浦 貞彦,  本庄 弘明,  徳留 圭一,  池田 正二,  羽生 貴弘,  大野 英男,  

[発表日]2013/4/4
[資料番号]ICD2013-6
4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

松永 翔雲,  三浦 貞彦,  本庄 弘明,  木下 啓蔵,  池田 正二,  遠藤 哲郎,  大野 英男,  羽生 貴弘,  

[発表日]2013/4/4
[資料番号]ICD2013-7
高性能モバイルCPUの低消費電力化を実現する垂直磁化STT-MRAMメモリテクノロジ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

藤田 忍,  安部 恵子,  野口 紘希,  野村 久美子,  北川 英二,  下村 尚治,  伊藤 順一,  與田 博明,  

[発表日]2013/4/4
[資料番号]ICD2013-8
スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

辻 幸秀,  根橋 竜介,  崎村 昇,  森岡 あゆ香,  本庄 弘明,  徳留 圭一,  三浦 貞彦,  鈴木 哲広,  深見 俊輔,  木下 啓藏,  羽生 貴弘,  遠藤 哲郎,  笠井 直記,  大野 英男,  杉林 直彦,  

[発表日]2013/4/4
[資料番号]ICD2013-9
ゼロデータフラグを用いた低エネルギーSTT-RAMキャッシュ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

木美 雄太,  鄭 晋旭,  中田 洋平,  吉本 雅彦,  川口 博,  

[発表日]2013/4/4
[資料番号]ICD2013-10
スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 : 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える?(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

新居 浩二,  遠藤 哲郎,  加藤 佳一,  半澤 悟,  梶谷 一彦,  川澄 篤,  三輪 達,  

[発表日]2013/4/4
[資料番号]ICD2013-11
相補型原子スイッチを用いたプログラマブルロジックでのRTL記述からの回路マッピング(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

宮村 信,  多田 宗弘,  阪本 利司,  伴野 直樹,  岡本 浩一郎,  井口 憲幸,  波田 博光,  

[発表日]2013/4/4
[資料番号]ICD2013-12
車載向け高速、高信頼性40nm混載SG-MONOSフラッシュマクロの開発 : 160MHzランダムアクセス可能コード領域と10M回書き換え可能データ領域の実現(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

小川 大也,  河野 隆司,  伊藤 孝,  鶴田 環,  西山 崇之,  長澤 勉,  川嶋 祥之,  日高 秀人,  山内 忠昭,  

[発表日]2013/4/4
[資料番号]ICD2013-13
高信頼ビッグデータ向けフラッシュメモリ/ReRAM統合ソリッド・ステート・ストレージシステム(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

田中丸 周平,  土井 雅史,  竹内 健,  

[発表日]2013/4/4
[資料番号]ICD2013-14
SCM及びMLC NANDフラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDと断片化防止アルゴリズムによる性能向上(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

宮地 幸祐,  藤井 裕大,  上口 光,  樋口 和英,  孫 超,  竹内 健,  

[発表日]2013/4/4
[資料番号]ICD2013-15
3次元積層ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッドソリッド・ステート・ドライブ向けV_(3V)、V_(20V)生成回路の設計(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

畑中 輝義,  上口 光,  蜂谷 尚悟,  竹内 健,  

[発表日]2013/4/4
[資料番号]ICD2013-16
MLC相変化メモリとNANDフラッシュメモリを用いた三次元ハイブリッドSSDのための正負温度係数を有する読み出し参照源(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

宮地 幸祐,  上口 光,  樋口 和英,  竹内 健,  

[発表日]2013/4/4
[資料番号]ICD2013-17
統計手法を利用した極低電圧SRAM向けセンスアンプタイミング生成回路(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

川澄 篤,  武山 泰久,  平林 修,  櫛田 桂一,  橘 文彦,  仁木 祐介,  佐々木 慎一,  矢部 友章,  

[発表日]2013/4/4
[資料番号]ICD2013-18
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