エレクトロニクス-集積回路(開催日:2012/04/16)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2012/4/16
[資料番号]
目次

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[発表日]2012/4/16
[資料番号]
正誤表

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[発表日]2012/4/16
[資料番号]
19nm64Gbit多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリの開発(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

柴田 昇,  神田 和重,  久田 俊記,  磯部 克明,  佐藤 学,  清水 有威,  清水 孝洋,  杉本 貴宏,  小林 智浩,  犬塚 和子,  金川 直晃,  梶谷 泰之,  小川 武志,  中井 潤,  岩佐 清明,  小島 正嗣,  鈴木 俊宏,  鈴木 裕也,  境 新太郎,  藤村 朋史,  宇都宮 裕子,  橋本 寿文,  御明 誠,  小林 直樹,  稲垣 泉貴,  松本 勇輝,  井上 諭,  鈴木 良尚,  何 東,  本多 泰彦,  武者 淳二,  中川 道雄,  本間 充祥,  安彦 尚文,  小柳 勝,  吉原 正浩,  井納 和美,  野口 充宏,  亀井 輝彦,  加藤 洋介,  財津 真吾,  那須 弘明,  有木 卓弥,  / 渡邉 光恭,  丁 虹,  大熊 直樹,  山下 竜二,  /,  /,  東谷 政昭,  / 金澤 一久,  

[発表日]2012/4/16
[資料番号]ICD2012-1
18MB/sを実現する128Gb 3-bit/cell 19nm NANDフラッシュメモリの開発(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

亀井 輝彦,  /,  大和田 健,  /,  /,  /,  東谷 政昭,  / 渡邉 光恭,  本間 充祥,  渡辺 慶久,  井納 和美,  /,  /,  /,  /,  /,  /,  /,  /,  /,  /,  /,  /,  /,  /,  /,  /,  /,  /,  / /,  

[発表日]2012/4/16
[資料番号]ICD2012-2
書込み速度443MB/sを実現する8Mb多層クロスポイントReRAMマクロ(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

川原 昭文,  東 亮太郎,  池田 雄一郎,  河合 賢,  加藤 佳一,  早川 幸夫,  辻 清孝,  米田 慎一,  姫野 敦史,  島川 一彦,  高木 剛,  三河 巧,  青野 邦年,  

[発表日]2012/4/16
[資料番号]ICD2012-3
SSDシステム信頼性 : 大容量記憶装置を半導体で実現する課題(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

助川 博,  

[発表日]2012/4/16
[資料番号]ICD2012-4
エラー予測LDPCとエラー回復機構により10倍の長寿命,エラーを76%削減したSSD(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

田中丸 周平,  柳原 裕貴,  竹内 健,  

[発表日]2012/4/16
[資料番号]ICD2012-5
復興

宮野 信治,  

[発表日]2012/4/16
[資料番号]ICD2012-6
メモリインターフェース用非接触高速データ伝送技術(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

石黒 仁揮,  尹 元柱,  中野 慎也,  水原 渉,  小菅 敦丈,  三浦 典之,  黒田 忠広,  

[発表日]2012/4/16
[資料番号]ICD2012-7
3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速、15%低消費電力V_(10V)、V_(20V)生成電源システム(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

畑中 輝義,  竹内 健,  

[発表日]2012/4/16
[資料番号]ICD2012-8
MTJベース完全並列形不揮発TCAMの設計(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

松永 翔雲,  羽生 貴弘,  

[発表日]2012/4/16
[資料番号]ICD2012-9
3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

根橋 竜介,  崎村 昇,  辻 幸秀,  深見 俊輔,  本庄 弘明,  齊藤 信作,  三浦 貞彦,  石綿 延行,  木下 啓蔵,  羽生 貴弘,  遠藤 哲郎,  笠井 直記,  大野 英男,  杉林 直彦,  

[発表日]2012/4/16
[資料番号]ICD2012-10
8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

石井 雄一郎,  塚本 康正,  新居 浩二,  藤原 英弘,  藪内 誠,  田中 浩司,  田中 信二,  島崎 靖久,  

[発表日]2012/4/16
[資料番号]ICD2012-11
高速,低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

宮地 幸祐,  鈴木 利一,  宮野 信治,  竹内 健,  

[発表日]2012/4/16
[資料番号]ICD2012-12
ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

森脇 真一,  川澄 篤,  鈴木 利一,  山本 安衛,  宮野 信治,  篠原 尋史,  桜井 貴康,  

[発表日]2012/4/16
[資料番号]ICD2012-13
低電力ディスターブ緩和技術を備えた40nm 0.5V 12.9pJ/access 8T SRAM(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

吉本 秀輔,  寺田 正治,  奥村 俊介,  鈴木 利一,  宮野 信治,  川口 博,  吉本 雅彦,  

[発表日]2012/4/16
[資料番号]ICD2012-14
0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

小田部 晃,  伊藤 清男,  竹村 理一郎,  土屋 龍太,  堀口 真志,  

[発表日]2012/4/16
[資料番号]ICD2012-15
低エネルギ比較機能を有するDMR応用7T SRAM(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

梅木 洋平,  奥村 俊介,  中田 洋平,  柳田 晃司,  鍵山 祐輝,  吉本 秀介,  川口 博,  吉本 雅彦,  

[発表日]2012/4/16
[資料番号]ICD2012-16
SRAMとオンチップメモリBISTを用いたチップ固有ID生成回路(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

藤原 英弘,  藪内 誠,  中野 裕文,  河合 浩行,  新居 浩二,  有本 和民,  

[発表日]2012/4/16
[資料番号]ICD2012-17
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