エレクトロニクス-集積回路(開催日:2011/04/11)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2011/4/11
[資料番号]
目次

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[発表日]2011/4/11
[資料番号]
スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

石垣 隆士,  河原 尊之,  竹村 理一郎,  小埜 和夫,  伊藤 顕知,  大野 英男,  

[発表日]2011/4/11
[資料番号]ICD2011-1
NAND Flashメモリ高性能化の技術動向とNAND Flashプロセスでの混載DRAM技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

高島 大三郎,  野口 充宏,  柴田 昇,  神田 和重,  助川 博,  藤井 秀壮,  

[発表日]2011/4/11
[資料番号]ICD2011-2
高速記録再生回路を有するReRAMテストマクロ : Conductive Bridge ReRAM with 2.3GB/s Read throughput and 216MB/s Program-throughput(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

筒井 敬一,  大塚 渉,  宮田 幸児,  北川 真,  対馬 朋人,  

[発表日]2011/4/11
[資料番号]ICD2011-3
24nmプロセスで製造された151mm^2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

福田 浩一,  渡辺 慶久,  牧野 英一,  川上 浩一,  佐藤 順平,  高際 輝男,  金川 直晃,  志賀 仁,  常盤 直哉,  進藤 佳彦,  枝広 俊昭,  小川 武志,  岩井 信,  永尾 理,  武者 淳二,  源 貴利,  柳平 康輔,  鈴木 裕也,  中村 大,  細村 嘉一,  駒井 宏充,  古田 優佳,  村本 麻衣,  田中 里英子,  四方 剛,  弓仲 絢子,  櫻井 清史,  堺 学,  丁 虹,  渡辺 光泰,  加藤 洋介,  三輪 達,  / 中道 勝,  /,  東谷 政昭,  /,  松永 泰彦,  成毛 清美,  原 毅彦,  

[発表日]2011/4/11
[資料番号]ICD2011-4
高信頼・低電力SSD : メモリコントローラによるデータ変調信号処理技術による高信頼化と低電力化(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

竹内 健,  田中丸 周平,  洪 慶麟,  

[発表日]2011/4/11
[資料番号]ICD2011-5
相変化デバイスの動向とTIAでの研究活動(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

高浦 則克,  

[発表日]2011/4/11
[資料番号]ICD2011-6
三次元NANDフラッシュメモリ(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

有留 誠一,  

[発表日]2011/4/11
[資料番号]ICD2011-7
しきい値ばらつき耐性を有する0.45V動作9T/18TデュアルポートSRAM(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

柳田 晃司,  野口 紘希,  奥村 俊介,  高木 智也,  久賀田 耕史,  吉本 雅彦,  川口 博,  

[発表日]2011/4/11
[資料番号]ICD2011-8
デジタル化したレプリカビット線遅延を用いたランダムばらつきに強いSRAMセンスアンプタイミング生成回路(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

仁木 祐介,  川澄 篤,  鈴木 東,  武山 泰久,  平林 修,  櫛田 桂一,  橘 文彦,  藤村 勇樹,  矢部 友章,  

[発表日]2011/4/11
[資料番号]ICD2011-9
高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

武田 晃一,  斉藤 寿男,  朝山 忍,  相本 代志治,  小畑 弘之,  伊藤 信哉,  高橋 寿史,  竹内 潔,  野村 昌弘,  林 喜宏,  

[発表日]2011/4/11
[資料番号]ICD2011-10
動的閾値パスゲートを用いた0.5V FinFET SRAM(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

大内 真一,  遠藤 和彦,  柳 永〓,  松川 貴,  中川 格,  石川 由紀,  塚田 順一,  山内 洋美,  関川 敏弘,  小池 汎平,  坂本 邦博,  昌原 明植,  

[発表日]2011/4/11
[資料番号]ICD2011-11
サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイム バルクCMOS 8T SRAM(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

鈴木 利一,  森脇 真一,  川澄 篤,  宮野 信治,  篠原 尋史,  

[発表日]2011/4/11
[資料番号]ICD2011-12
局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

宮地 幸祐,  本田 健太郎,  田中丸 周平,  宮野 信治,  竹内 健,  

[発表日]2011/4/11
[資料番号]ICD2011-13
結合伝送線路を用いた12Gb/s非接触インタフェース(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

竹谷 勉,  / 中野 慎也,  三浦 典之,  石黒 仁揮,  黒田 忠広,  

[発表日]2011/4/11
[資料番号]ICD2011-14
3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1 Tbyte/s 1 GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

小埜 和夫,  柳川 善光,  小田部 晃,  関口 知紀,  

[発表日]2011/4/11
[資料番号]ICD2011-15
高速・低消費電力3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け書き込み電圧(20V)発生回路とTSVの検討(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

畑中 輝義,  上口 光,  石田 光一,  安福 正,  高宮 真,  桜井 貴康,  竹内 健,  

[発表日]2011/4/11
[資料番号]ICD2011-16
HfO_2-CB-RAMの基本メモリ特性(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

鶴田 茂之,  木下 健太郎,  中林 竜也,  岸田 悟,  

[発表日]2011/4/11
[資料番号]ICD2011-17
原子間力顕微鏡を用いたReRAMフィラメントの物性解析(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

依田 貴稔,  木下 健太郎,  岸田 悟,  萩原 俊弥,  岩井 秀夫,  福島 整,  田沼 繁夫,  

[発表日]2011/4/11
[資料番号]ICD2011-18
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