エレクトロニクス-集積回路(開催日:2010/04/15)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2010/4/15
[資料番号]
目次

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[発表日]2010/4/15
[資料番号]
SRAMの技術動向と定負電位書込み回路を用いた32nm 0.149μm^2セル低電圧コンフィギュラブルSRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

藤村 勇樹,  平林 修,  佐々木 貴彦,  鈴木 東,  川澄 篤,  武山 泰久,  櫛田 桂一,  深野 剛,  片山 明,  仁木 祐介,  矢部 友章,  

[発表日]2010/4/15
[資料番号]ICD2010-1
回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 : 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

新居 浩二,  薮内 誠,  塚本 康正,  平野 有一,  岩松 俊明,  木原 雄治,  

[発表日]2010/4/15
[資料番号]ICD2010-2
負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

藪内 誠,  新居 浩二,  塚本 康正,  中瀬 泰伸,  篠原 尋史,  

[発表日]2010/4/15
[資料番号]ICD2010-3
直列レプリカビット線技術を使用した40nm低電力SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

小松 成亘,  山岡 雅直,  森元 薫夫,  前田 徳章,  島崎 靖久,  長田 健一,  

[発表日]2010/4/15
[資料番号]ICD2010-4
しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

田中丸 周平,  畑中 輝義,  矢島 亮児,  高橋 光恵,  酒井 滋樹,  竹内 健,  

[発表日]2010/4/15
[資料番号]ICD2010-5
0.5V DRAMアレイ向け低しきい値CMOSプリアンプ(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

小田部 晃,  柳川 善光,  秋山 悟,  関口 知紀,  

[発表日]2010/4/15
[資料番号]ICD2010-6
MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

土田 賢二,  稲場 恒夫,  藤田 勝之,  上田 善寛,  清水 孝文,  浅尾 吉昭,  梶山 健,  岩山 昌由,  池川 純夫,  岸 達也,  甲斐 正,  天野 実,  下村 尚治,  與田 博明,  渡辺 陽二,  

[発表日]2010/4/15
[資料番号]ICD2010-7
Chain FeRAM技術概要とScalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

高島 大三郎,  滋賀 秀裕,  橋本 大輔,  宮川 正,  尾崎 徹,  金谷 宏行,  首藤 晋,  山川 晃司,  國島 巌,  

[発表日]2010/4/15
[資料番号]ICD2010-8
Fabrication of a Nonvolatile Lookup-Table Circuit Chip Using Magneto/Semiconductor-Hybrid Structure for an Immediate-Power-Up Field Programmable Gate Array

鈴木 大輔,  夏井 雅典,  池田 正二,  長谷川 晴弘,  三浦 勝哉,  早川 純,  遠藤 哲郎,  大野 英男,  羽生 貴弘,  

[発表日]2010/4/15
[資料番号]ICD2010-9
双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

竹村 理一郎,  河原 尊之,  三浦 勝哉,  山本 浩之,  早川 純,  松崎 望,  小埜 和夫,  山ノ内 路彦,  伊藤 顕知,  高橋 宏昌,  池田 正二,  長谷川 晴弘,  松岡 秀行,  大野 英男,  

[発表日]2010/4/15
[資料番号]ICD2010-10
データセンター用SSD向けFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

畑中 輝義,  矢島 亮児,  堀内 健史,  /,  高橋 光恵,  酒井 滋樹,  竹内 健,  

[発表日]2010/4/15
[資料番号]ICD2010-11
Multi-stacked 1G cell/layer Pipe-shaped BiCS Flash Memory

前田 高志,  板垣 清太郎,  菱田 智雄,  勝又 竜太,  鬼頭 傑,  福住 嘉晃,  木藤 大,  田中 啓安,  小森 陽介,  石月 恵,  松並 絢也,  藤原 友子,  青地 英明,  岩田 佳久,  渡辺 陽二,  

[発表日]2010/4/15
[資料番号]ICD2010-12
積層型NAND FeRAMの設計法(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

菅野 孝一,  渡辺 重佳,  

[発表日]2010/4/15
[資料番号]ICD2010-13
積層型NOR MRAMの検討(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

玉井 翔人,  渡辺 重佳,  

[発表日]2010/4/15
[資料番号]ICD2010-14
高速メモリインターフェース : DDR/GDDR-DRAM(高速メモリIF,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

高井 康浩,  

[発表日]2010/4/15
[資料番号]ICD2010-15
3次元集積化のための積層チップ間非接触インターフェース(非接触メモリインターフェース,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

石黒 仁揮,  黒田 忠広,  

[発表日]2010/4/15
[資料番号]ICD2010-16
非接触メモリカードのための2.5Gb/s/ch 4PAM誘導結合送受信機(非接触メモリインターフェース,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

竹 康宏,  川井 秀介,  石黒 仁揮,  黒田 忠広,  

[発表日]2010/4/15
[資料番号]ICD2010-17
65nm CMOS GPU-0.1μm DRAM間8Tb/s 1pJ/b 0.8mm^2/Tb/s QDR誘導結合インタフェース(非接触メモリインターフェース,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

三浦 典之,  春日 一貴,  齊藤 美都子,  黒田 忠広,  

[発表日]2010/4/15
[資料番号]ICD2010-18
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