IEICE Technical Committee

エレクトロニクス-集積回路(開催日：2008/04/10)

タイトル/著者/発表日/資料番号

表紙

[発表日]2008/4/10
[資料番号]

非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))

佐々木貴彦, 川澄篤, 矢部友章, 武山泰久, 平林修, 櫛田桂一, 東畑晃史, 片山明, 深野剛, 藤村勇樹, 大塚伸朗,

[発表日]2008/4/10
[資料番号]ICD2008-1

NMOSおよびPMOSの基板バイアスを個別制御した65nm SRAM(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))

山岡雅直, 前田徳章, 島崎靖久, 長田健一,

[発表日]2008/4/10
[資料番号]ICD2008-2

833MHz周波数動作グラフィックス用途向け疑似2ポートeDRAM(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))

加来真理子, 岩井斎, 永井健, 和田政春, 鈴木淳, 高井智久, 糸賀尚子, 宮崎隆行, 岩井隆之, 竹中博幸, 北城岳彦, 宮野信治, 大塚伸朗,

[発表日]2008/4/10
[資料番号]ICD2008-3

コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM技術(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))

白井浩樹, 石川亮佑, 伊藤雄一, 北村卓也, 竹内麻美, 佐甲隆, 井上顕, 川崎澄, 勝木信幸, 星崎博之, 桑原愼一, 夏目秀隆, 坂尾眞人, 谷川高穂,

[発表日]2008/4/10
[資料番号]ICD2008-4

43nmCMOS技術を用いた120mm^2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))

中村大, 神田和重, 小柳勝, 山村俊雄, 細野浩司, 吉原正浩, 三輪達, 加藤洋介, /, /, / 牧野英一, 平隆志, 大竹博之, 梶村則文, 藤村進, 竹内義昭, 伊東幹彦, 白川政信, 鈴木裕也, 奥川雄紀, 小島正嗣, 米谷和英, 有薗尚倫, 久田俊記, 宮本晋示, 野口充宏, 八重樫利武, 東谷政昭, 伊藤文俊, 亀井輝彦, / 丸山徹, 井納和美, 大島成夫,

[発表日]2008/4/10
[資料番号]ICD2008-5

SSD動向とNANDフラッシュメモリ(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))

竹内健,

[発表日]2008/4/10
[資料番号]ICD2008-6

大容量フラッシュメモリの可能性を探る : 進行するフラッシュ革命のインパクト(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))

梶谷一彦, 篠崎直冶, 柿原俊男, 神田和重, 小林三千夫, 佐圓真, 杉林直彦, 竹内健, 塚澤寿夫,

[発表日]2008/4/10
[資料番号]ICD2008-7

2ポートアンチヒューズセルを格子状に配置した65nm Pure CMOSプロセスで搭載可能なOne-time Programmableメモリ(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))

松藤謙介, 行川敏正, 中野浩明, 伊藤洋, 和田修, 大塚伸朗,

[発表日]2008/4/10
[資料番号]ICD2008-8

自動車用MCU対応 8kB EEPROMエミュレーションデータフラッシュモジュールと混載フラッシュの動向(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))

河井伸治, 細金明, 久家重博, 阿部俊広, 橋本康平, 大石司, 辻直樹, 榊原清彦, 野口健二,