エレクトロニクス-集積回路(開催日:2007/04/05)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2007/4/5
[資料番号]
目次

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[発表日]2007/4/5
[資料番号]
混載向け高速MRAMセル技術(新メモリ技術とシステムLSI)

崎村 昇,  杉林 直彦,  根橋 竜介,  本庄 弘明,  志村 健一,  笠井 直記,  

[発表日]2007/4/5
[資料番号]ICD2007-1
STT-MRAMに向けた低読出し電圧・高速センスアンプの検討(新メモリ技術とシステムLSI)

上田 善寛,  岩田 佳久,  稲葉 恒夫,  清水 有威,  板垣 清太郎,  土田 賢三,  

[発表日]2007/4/5
[資料番号]ICD2007-2
セルフリファレンスセンスアンプを用いた高密度1T-4MTJ MRAM(新メモリ技術とシステムLSI)

村井 泰光,  谷崎 弘晃,  辻 高晴,  大谷 順,  山口 雄一郎,  古田 陽雄,  上野 修一,  大石 司,  林越 正紀,  日高 秀人,  

[発表日]2007/4/5
[資料番号]ICD2007-3
MIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタを用いた混載DRAMデバイステクノロジー(新メモリ技術とシステムLSI)

谷川 高穂,  山縣 保司,  白井 浩樹,  杉村 啓世,  和気 智子,  井上 顕,  佐甲 隆,  坂尾 眞人,  

[発表日]2007/4/5
[資料番号]ICD2007-4
書換え電流100μA,書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ(新メモリ技術とシステムLSI)

小田部 晃,  半澤 悟,  北井 直樹,  長田 健一,  松井 裕一,  松崎 望,  高浦 則克,  茂庭 昌弘,  河原 尊之,  

[発表日]2007/4/5
[資料番号]ICD2007-5
双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)

竹村 理一郎,  河原 尊之,  三浦 勝哉,  早川 純,  池田 正二,  李 永〓,  佐々木 龍太郎,  後藤 康,  伊藤 顕知,  目黒 敏靖,  松倉 文[ひろ],  高橋 宏昌,  松岡 秀行,  大野 英男,  

[発表日]2007/4/5
[資料番号]ICD2007-6
ビット線の電力を削減する実時間動画像処理応用2-port SRAM(新メモリ技術とシステムLSI)

藤原 英弘,  新居 浩二,  野口 紘希,  宮越 純一,  村地 勇一郎,  森田 泰弘,  川口 博,  吉本 雅彦,  

[発表日]2007/4/5
[資料番号]ICD2007-7
低消費電力SoCプラットフィームに適し、電圧スケーラビリティ及び加速スクリーニング性を有する、Advanced-DFM RAM(新メモリ技術とシステムLSI)

島野 裕樹,  森下 玄,  堂坂 勝己,  有本 和民,  

[発表日]2007/4/5
[資料番号]ICD2007-8
バルク型サイリスタを用いた高速動作SRAMセルの開発(新メモリ技術とシステムLSI)

杉崎 太郎,  中村 元昭,  柳田 将志,  本田 元就,  篠原 光子,  生田 哲也,  大地 朋和,  釘宮 克尚,  山本 亮,  神田 さおり,  山村 育弘,  屋上 公二郎,  小田 達治,  

[発表日]2007/4/5
[資料番号]ICD2007-9
Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability(新メモリ技術とシステムLSI)

中島 博臣,  楠 直樹,  篠 智彰,  東 知輝,  大澤 隆,  藤田 勝之,  幾見 宣之,  松岡 史宜,  福田 良,  渡辺 陽二,  南 良博,  坂本 篤史,  西村 潤,  浜本 毅司,  仁田山 晃寛,  

[発表日]2007/4/5
[資料番号]ICD2007-10
A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die

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[発表日]2007/4/5
[資料番号]ICD2007-11
0.14pJ/b誘導結合トランシーバ(新メモリ技術とシステムLSI)

三浦 典之,  石黒 仁揮,  桜井 貴康,  黒田 忠広,  

[発表日]2007/4/5
[資料番号]ICD2007-12
SOIプラットフォーム組み込み用高密度メモリ : Twin transistor RAM(TT-RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)

有本 和民,  森下 玄,  林 勇,  堂坂 勝己,  

[発表日]2007/4/5
[資料番号]ICD2007-13
高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(新メモリ技術とシステムLSI)

細井 康成,  玉井 幸夫,  大西 哲也,  石原 数也,  渋谷 隆広,  井上 雄史,  山崎 信夫,  中野 貴司,  大西 茂夫,  粟屋 信義,  井上 公,  島 久,  秋永 広幸,  高木 英典,  赤穂 博司,  十倉 好紀,  

[発表日]2007/4/5
[資料番号]ICD2007-14
不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上(新メモリ技術とシステムLSI)

砂村 潤,  五十嵐 多恵子,  森岡 あゆ香,  小辻 節,  忍田 真希子,  五十嵐 信行,  藤枝 信次,  渡辺 啓仁,  

[発表日]2007/4/5
[資料番号]ICD2007-15
二重接合を用いた25nmSONOS型メモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI)

大場 竜二,  三谷 祐一郎,  藤田 忍,  

[発表日]2007/4/5
[資料番号]ICD2007-16
複写される方へ

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[発表日]2007/4/5
[資料番号]
奥付

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[発表日]2007/4/5
[資料番号]