エレクトロニクス-集積回路(開催日:2006/04/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2006/4/6
[資料番号]
目次

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[発表日]2006/4/6
[資料番号]
DRAMにおけるVRT(Variable Retention Time)の起源 : 接合リーク電流の2値変動(新メモリ技術とシステムLSI)

毛利 友紀,  大湯 静憲,  小此木 堅祐,  山田 廉一,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-1
リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM(新メモリ技術とシステムLSI)

高井 智久,  永井 健,  和田 政春,  岩井 斎,  加来 真理子,  鈴木 淳,  糸賀 尚子,  宮崎 隆行,  竹中 博幸,  北城 岳彦,  宮野 信治,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-2
カラムアクセス8.4ns,1.6Gbspデータ転送を実現する512M DDR3 SDRAMのデータ転送回路技術の開発(新メモリ技術とシステムLSI)

久保内 修一,  藤澤 宏樹,  黒木 浩二,  西岡 直久,  利穂 吉郎,  野田 浩正,  藤井 勇,  余公 秀之,  瀧下 隆治,  伊藤 孝洋,  田中 均,  中村 正行,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-3
サブ1V DRAM設計技術(新メモリ技術とシステムLSI)

河原 尊之,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-4
90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(新メモリ技術とシステムLSI)

中島 博臣,  南 良博,  篠 智彰,  坂本 篤史,  東 知輝,  楠 直樹,  藤田 勝之,  初田 幸輔,  大澤 隆,  青木 伸俊,  谷本 弘吉,  森門 六月生,  井納 和美,  浜本 毅司,  仁田山 晃寛,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-5
Chain FeRAM技術と将来展望(新メモリ技術とシステムLSI)

高島 大三郎,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-6
新構造メモリ技術とSoCプラットフォーム(新メモリ技術とシステムLSI)

有本 和民,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-7
SoC設計からみたメモリへの要求(新メモリ技術とシステムLSI)

高橋 真史,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-8
新メモリとSOC、今何をすべきか? : 混載メモリの課題と展望(新メモリ技術とシステムLSI)

日高 秀人,  田口 眞男,  河原 尊之,  高島 大三郎,  上野 修一,  高田 雅史,  高橋 真史,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-9
相変化メモリを利用した不揮発性SRAMアーキテクチャの研究(新メモリ技術とシステムLSI)

高田 雅史,  中山 和也,  泉 貴富,  新村 達,  秋田 純一,  北川 章夫,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-10
MRAMに適したパイプライン型セルフリファレンス手法の検討(新メモリ技術とシステムLSI)

岡村 怜王奈,  木原 雄治,  金 泰潤,  木村 史法,  松井 悠亮,  大石 司,  吉原 務,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-11
4MbMRAMとその応用(新メモリ技術とシステムLSI)

杉林 直彦,  本田 雄士,  崎村 昇,  永原 聖万,  三浦 貞彦,  志村 健一,  辻 清孝,  福本 能之,  本庄 弘明,  鈴木 哲広,  加藤 有光,  齋藤 信作,  笠井 直記,  沼田 秀昭,  大嶋 則和,  根橋 竜介,  末光 克巳,  向井 智徳,  森 馨,  深見 俊輔,  石綿 延行,  波田 博光,  田原 修一,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-12
携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM(新メモリ技術とシステムLSI)

清水 有威,  岩田 佳久,  土田 賢二,  稲場 恒夫,  滝沢 亮介,  上田 善寛,  板垣 清太郎,  浅尾 吉昭,  梶山 健,  細谷 啓司,  池川 純夫,  甲斐 正,  中山 昌彦,  與田 博明,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-13
Spin-Transfer Torque Writing Technology (STT-RAM) For Future MRAM

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[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-14
DRAM技術を用いて特性を改善した16M SRAM(新メモリ技術とシステムLSI)

木原 雄治,  中嶋 泰,  井筒 隆,  中本 正幸,  吉原 務,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-15
次世代SRAMのために再定義した書き込みマージン(新メモリ技術とシステムLSI)

武田 晃一,  池田 秀寿,  萩原 靖彦,  野村 昌弘,  小畑 弘之,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-16
バッテリ機器向け低電力・低電圧SRAM回路技術(新メモリ技術とシステムLSI)

山岡 雅直,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-17
局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法(新メモリ技術とシステムLSI)

塚本 康正,  新居 浩二,  今岡 進,  小田 祐士,  大林 茂樹,  薮内 誠,  牧野 博之,  石橋 孝一郎,  篠原 尋史,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-18
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