エレクトロニクス-集積回路(開催日：2003/08/15)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2003/8/15
[資料番号]
目次

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[発表日]2003/8/15
[資料番号]
SFI-5向け低電力データリカバリー回路方式の開発(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

山下 寛樹,  斉藤 達也,  結城 文夫,  小山 明夫,  曽根原 理仁,  

[発表日]2003/8/15
[資料番号]SDM2003-133,ICD2003-66
新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

野坂 秀之,  佐野 栄一,  石井 清,  井田 実,  栗島 賢二,  山幡 章司,  柴田 随道,  

[発表日]2003/8/15
[資料番号]SDM2003-134,ICD2003-67
3GbpsシリアルATAのための自走型位相補間器による5,000ppmのスペクトラム拡散送受信回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

青山 森繁,  小笠原 和夫,  菅原 光俊,  石橋 輝一,  石橋 隆,  下山 進一,  山口 晃一,  柳田 智則,  野間 敏弘,  

[発表日]2003/8/15
[資料番号]SDM2003-135,ICD2003-68
SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

南 良博,  井納 和美,  篠 智彰,  山田 浩玲,  中島 博臣,  山田 敬,  大澤 隆,  東 知輝,  藤田 勝之,  池橋 民雄,  梶山 健,  福住 嘉晃,  浜本 毅司,  石内 秀美,  

[発表日]2003/8/15
[資料番号]SDM2003-136,ICD2003-69
混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

大澤 隆,  東 知輝,  藤田 勝之,  池橋 民雄,  梶山 健,  福住 嘉晃,  篠 智彰,  山田 浩玲,  中島 博臣,  南 良博,  山田 敬,  井納 和美,  浜本 毅司,  

[発表日]2003/8/15
[資料番号]SDM2003-137,ICD2003-70
アンブレラセル : SOC向け高集積オンチップメモリセル(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

秋山 悟,  大平 信裕,  石川 剛,  久本 大,  渡部 隆夫,  

[発表日]2003/8/15
[資料番号]SDM2003-138,ICD2003-71
Bitline/Plateline Reference-Level-Precharge Scheme for High-Density ChainFeRAM(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

及川 恒平,  高島 大三郎,  白武 慎一郎,  穂谷 克彦 /,  

[発表日]2003/8/15
[資料番号]SDM2003-139,ICD2003-72
マイクロコントローラ搭載512KB MONOS型フラッシュメモリモジュール(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

田中 利広,  谷川 博之,  山木 貴志,  梅本 由紀子,  加藤 章,  品川 裕,  平木 充,  

[発表日]2003/8/15
[資料番号]SDM2003-140,ICD2003-73
90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

新居 浩二,  今岡 進,  吉澤 知晃,  塚本 康正,  牧野 博之,  山上 由展,  鈴木 利一,  柴山 晃徳,  岩出 秀平,  

[発表日]2003/8/15
[資料番号]SDM2003-141,ICD2003-74
[特別招待論文]微細MOSトランジスタの開発動向と課題(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

杉井 寿博,  

[発表日]2003/8/15
[資料番号]SDM2003-142,ICD2003-75
[特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

若林 整,  竹内 潔,  山本 豊二,  最上 徹,  

[発表日]2003/8/15
[資料番号]SDM2003-143,ICD2003-76
HfO_2ゲート絶縁膜の熱的安定性 : 界面層の成長およびシリサイドの形成(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

宮田 典幸,  / 市川 昌和,  生田目 俊秀,  堀川 剛,  鳥海 明,  

[発表日]2003/8/15
[資料番号]SDM2003-144,ICD2003-77
65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

渡辺 健,  高柳 万里子,  飯島 良介,  石丸 一成,  綱島 祥隆,  石内 秀美,  

[発表日]2003/8/15
[資料番号]SDM2003-145,ICD2003-78
[パネルディスカッション]デバイス・回路技術者協議 : ゲートリーク問題は誰が解くか?(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

[記載なし],  

[発表日]2003/8/15
[資料番号]SDM2003-146,ICD2003-79
奥付

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[発表日]2003/8/15
[資料番号]
複写される方へ

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[発表日]2003/8/15
[資料番号]