エレクトロニクス-集積回路(開催日:2001/07/27)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2001/7/27
[資料番号]
目次

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[発表日]2001/7/27
[資料番号]
高速、低消費電力マイクロプロセッサ技術

内山 邦男,  河原 尊之,  清水 健央,  宮崎 祐行,  水野 弘之,  

[発表日]2001/7/27
[資料番号]SDM2001-129,ICD2001-52
改良型ABC-MT-CMOS回路を用いたスタンバイ電流0.9μAの低消費電力DSPコア

野谷 宏美,  小山 雅行,  眞野 竜二,  牧野 博之,  松田 吉雄,  

[発表日]2001/7/27
[資料番号]SDM2001-130,ICD2001-53
極低しきい値MOSを使用した高性能マイクロプロセッサの設計手法

三宅 保,  山下 毅雄,  浅利 則克,  関坂 秀樹,  酒井 透,  松浦 和宏,  若原 篤志,  高橋 英行,  檜山 徹,  宮本 和久,  森 和孝,  

[発表日]2001/7/27
[資料番号]SDM2001-131,ICD2001-54
高性能フィールドプログラマブルVLSIプロセッサのアーキテクチャ

大澤 尚学,  張山 昌論,  亀山 充隆,  

[発表日]2001/7/27
[資料番号]SDM2001-132,ICD2001-55
容量型指紋センサ用ピクセルレベル自動キャリブレーション回路技術

森村 浩季,  重松 智志,  島村 俊重,  町田 克之,  久良木 億,  

[発表日]2001/7/27
[資料番号]SDM2001-133,ICD2001-56
しきい値論理による高速ハミング距離検索回路とその評価

山岡 寛明,  浅田 邦博,  

[発表日]2001/7/27
[資料番号]SDM2001-134,ICD2001-57
デバイスサイドからみたしきい値電圧可変CMOS回路技術

平本 俊郎,  

[発表日]2001/7/27
[資料番号]SDM2001-135,ICD2001-58
シリコン・イオン注入したゲート酸化膜における界面準位測定法の比較

松田 敏弘,  武澤 亮介,  荒川 和典,  安田 昌弘,  大曽根 隆志,  亀田 悦正,  

[発表日]2001/7/27
[資料番号]SDM2001-136,ICD2001-59
メタルゲートトランジスタの性能検証

松田 聡,  山河 秀樹,  東 篤志,  豊島 義明,  

[発表日]2001/7/27
[資料番号]SDM2001-137,ICD2001-60
高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性

大黒 達也,  永野 剛之,  藤原 実,  高柳 万里子,  清水 敬,  百瀬 寿代,  中村 新一,  豊島 義明,  

[発表日]2001/7/27
[資料番号]SDM2001-138,ICD2001-61
低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET

大嶋 一郎,  島田 浩行,  中尾 慎一,  程 イ涛,  小野 泰弘,  平山 昌樹,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2001/7/27
[資料番号]SDM2001-139,ICD2001-62
テトラクロロシラン-シリコン窒化膜によるボロン突き抜けの抑制および高性能デュアルゲートDRAMの実現

田中 正幸,  斎田 繁彦,  井上 文彦,  児島 学,  中西 俊郎,  須黒 恭一,  綱島 祥隆,  

[発表日]2001/7/27
[資料番号]SDM2001-140,ICD2001-63
サブ100nm時代のLSI低消費電力化技術 : これで優位化、これはできて当たり前

榎本 忠儀,  矢野 和男,  平本 俊郎,  黒田 忠広,  内山 邦男,  松澤 昭,  道関 隆国,  大平 英雄,  

[発表日]2001/7/27
[資料番号]SDM2001-141,ICD2001-64
[OTHERS]

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[発表日]2001/7/27
[資料番号]