エレクトロニクス-集積回路(開催日:1998/10/23)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1998/10/23
[資料番号]
目次

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[発表日]1998/10/23
[資料番号]
点欠陥拡散モデルにおける統一パラメータの抽出手順の構築

坂本 浩則,  熊代 成孝,  

[発表日]1998/10/23
[資料番号]VLD98-86,ED98-111,SDM98-147,ICD98-217
サブクォータミクロンMOSFETシミュレーションのためのTCAD高精度化

西尾 修,  竹中 正浩,  大南 信之,  川村 昭男,  藤井 克正,  

[発表日]1998/10/23
[資料番号]VLD98-87,ED98-112,SDM98-148,ICD98-218
SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション

家木 靖,  浅井 寛,  内田 秀雄,  市村 正也,  邵 春林,  荒井 英輔,  

[発表日]1998/10/23
[資料番号]VLD98-88,ED98-113,SDM98-149,ICD98-219
SOI基板におけるリンの再分布モデル

石山 俊彦,  松本 聡,  / 谷内 利明,  

[発表日]1998/10/23
[資料番号]VLD98-89,ED98-114,SDM98-150,ICD98-220
SCM測定のシミュレーション解析

松沢 一也,  大脇 幸人,  中村 雅一,  青木 伸俊,  水島 一郎,  

[発表日]1998/10/23
[資料番号]VLD98-90,ED98-115,SDM98-151,ICD98-221
TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討

木寺 真琴,  谷沢 元昭,  石川 清志,  西村 正,  

[発表日]1998/10/23
[資料番号]VLD98-91,ED98-116,SDM98-152,ICD98-222
モンテカルロシミュレーションによるHEMT構造中の2次元電子ガスのself-consistentな解析II

深田 孝司,  仲里 昌朋,  神山 泰治,  谷野 憲之,  

[発表日]1998/10/23
[資料番号]VLD98-92,ED98-117,SDM98-153,ICD98-223
微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性

北原 義之,  佐野 伸行,  名取 研二,  向井 幹雄,  松沢 一也,  

[発表日]1998/10/23
[資料番号]VLD98-93,ED98-118,SDM98-154,ICD98-224
SOI MOSFETのしきい電圧モデル

鳥谷部 達,  Kalachev L.V.,  

[発表日]1998/10/23
[資料番号]VLD98-94,ED98-119,SDM98-155,ICD98-225
MOSFETスナップバック特性のプロセスデバイスシミュレーション

三浦 規之,  樋坂 勝弘,  福田 浩一,  福田 保裕,  西 謙二,  

[発表日]1998/10/23
[資料番号]VLD98-95,ED98-120,SDM98-156,ICD98-226
周期バイアス用デバイスシミュレータを用いたGaAs MESFET大信号動作時の解析

高橋 裕之,  国弘 和明,  大野 泰夫,  

[発表日]1998/10/23
[資料番号]VLD98-96,ED98-121,SDM98-157,ICD98-227
BSIM3v3による高耐圧デバイスのモデル化とパラメータ抽出技法

名野 隆夫,  菊地 修一,  岩津 勝彦,  西部 栄次,  鈴木 琢也,  佐々木 義智,  伊藤 和男,  小林 春夫,  

[発表日]1998/10/23
[資料番号]VLD98-97,ED98-122,SDM98-158,ICD98-228
擬2次元によるMOSFET高速デバイスシミュレーション手法の提案

大倉 康幸,  難波 光男,  

[発表日]1998/10/23
[資料番号]VLD98-98,ED98-123,SDM98-159,ICD98-229
[OTHERS]

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[発表日]1998/10/23
[資料番号]