エレクトロニクス-電子ディスプレイ(開催日:2003/01/20)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2003/1/20
[資料番号]
目次

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[発表日]2003/1/20
[資料番号]
冷陰極蛍光ランプの高性能化

池田 達也,  重松 文也,  富田 保男,  

[発表日]2003/1/20
[資料番号]EID20002-86
陽光柱PDPセル内の励起粒子密度と発光効率の関係

石井 啓二,  平野 芳邦,  本山 靖,  村上 由紀夫,  

[発表日]2003/1/20
[資料番号]EID20002-87
Y_2O_2S:Eu^<3+>蛍光体の2波長励起フォトルミネッセンス

鎌田 憲彦,  岡本 航,  木島 直人,  

[発表日]2003/1/20
[資料番号]EID20002-88
ZnS蛍光体への電子線侵入距離の検討

井上 亮,  小松 正明,  椎木 正敏,  今村 伸,  

[発表日]2003/1/20
[資料番号]EID20002-89
低速電子線用蛍光体SrIn_2O_4:Pr^<3+>へのGd添加効果

小倉 学,  山元 明,  

[発表日]2003/1/20
[資料番号]EID20002-90
Siで作製したコーン型フィールドエミッタを用いたSrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性

中島 宏佳,  井和丸 昌,  澤田 和明,  小野 貴史,  小南 裕子,  中西 洋一郎,  畑中 義式,  

[発表日]2003/1/20
[資料番号]EID20002-91
MnまたはPr添加SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性

井和丸 昌,  中島 宏佳,  小南 裕子,  中西 洋一郎,  畑中 義式,  

[発表日]2003/1/20
[資料番号]EID20002-92
SrS:Ce薄膜EL素子の作製時における成長槽内の残留水分の影響

木村 隆宏,  岡 秀和,  高須 康輔,  深田 晴己,  大観 光徳,  田中 省作,  小林 洋志,  

[発表日]2003/1/20
[資料番号]EID20002-93
青色発光(Sr_<1-x>Ca_x)S:Cu,F薄膜EL素子の発光特性におけるH_2Sの効果

江原 摩美,  袴田 新太郎,  深田 晴己,  小南 裕子,  中西 洋一郎,  畑中 義式,  

[発表日]2003/1/20
[資料番号]EID20002-94
SrS:Ce薄膜EL素子のアルカリ金属添加によるSr欠陥の補償効果

深田 晴己,  篠倉 明日香,  木村 隆宏,  大観 光徳,  田中 省作,  小林 洋志,  中西 洋一郎,  

[発表日]2003/1/20
[資料番号]EID20002-95
((Y_2O_3)_<1-x>-(Ga_2O_3)_x):Mn多元系蛍光体薄膜のEL特性

小林 洋平,  鈴木 康之,  宮田 俊弘,  南 内嗣,  

[発表日]2003/1/20
[資料番号]EID20002-96
A-(Mg,Zn)-S(A=Ca,Sr,Ba)EL用蛍光体の特性

南 雅之,  三島 啓似,  川西 光宏,  三浦 登,  松本 皓永,  中野 鐐太郎,  

[発表日]2003/1/20
[資料番号]EID20002-97
EL用(Zn,Mg)Al_2S_4:Mn蛍光体薄膜の作製

三島 孝介,  三浦 登,  松本 皓永,  中野 鐐太郎,  

[発表日]2003/1/20
[資料番号]EID20002-98
Eu^<2+>添加CaAl_2S_4を用いた高純度緑色EL素子の作製

小野 義明,  川西 光宏,  三浦 登,  松本 皓永,  中野 鐐太郎,  

[発表日]2003/1/20
[資料番号]EID20002-99
Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程

三宅 亜紀,  中村 高遠,  東 直人,  青木 徹,  小南 裕子,  中西 洋一郎,  畑中 義式,  

[発表日]2003/1/20
[資料番号]EID20002-100
水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性

清水 克美,  中村 篤志,  青木 徹,  天明 二郎,  

[発表日]2003/1/20
[資料番号]EID20002-101
酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長

中村 篤志,  清水 克美,  青木 徹,  田中 昭,  天明 二郎,  

[発表日]2003/1/20
[資料番号]EID20002-102
リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御

松井 宏樹,  青木 徹,  天明 二郎,  畑中 義式,  

[発表日]2003/1/20
[資料番号]EID20002-103
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