エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2018/05/24)

タイトル/著者/発表日/資料番号
Fabrication of Cu-O Thin Films by Galvanostatic Electrochemical Deposition from Weakly Acidic Solutions

mansoureh keikhaei(NIT),  Masaya Ichimura(NIT),  

[発表日]2018-05-24
[資料番号]ED2018-15,CPM2018-2,SDM2018-10
FZ-Siウエハにおける水素ドナーのアニール温度依存性

清井 明(三菱電機),  中村 勝光(三菱電機),  

[発表日]2018-05-24
[資料番号]ED2018-19,CPM2018-6,SDM2018-14
トンネル状空隙の導入によるSi上Ge層の貫通転位密度低減

八子 基樹(東大),  石川 靖彦(豊橋技科大),  和田 一実(マサチューセッツ工科大),  

[発表日]2018-05-24
[資料番号]ED2018-20,CPM2018-7,SDM2018-15
減圧ドライ転写法によるサスペンデッドグラフェンを用いたMEMSバイオセンサ

喜種 慎(豊橋技科大),  石田 隼斗(豊橋技科大),  澤田 和明(豊橋技科大),  高橋 一浩(豊橋技科大/JSTさきがけ),  

[発表日]2018-05-24
[資料番号]ED2018-16,CPM2018-3,SDM2018-11
フレキシブル有機系熱電変換材料の作製と評価

岸 直希(名工大),  日比 聡(名工大),  吉田 祐太(名工大),  小野 恵輔(名工大),  沢田 優真(名工大),  國枝 泰希(名工大),  近藤 雄哉(名工大),  

[発表日]2018-05-24
[資料番号]ED2018-14,CPM2018-1,SDM2018-9
GaN基板上GaNエピ層のFT-IRによる評価

堀切 文正(サイオクス),  成田 好伸(サイオクス),  吉田 丈洋(サイオクス),  

[発表日]2018-05-24
[資料番号]ED2018-18,CPM2018-5,SDM2018-13
Growth of high quality InSb channel layer with InxGa1-xSb heteroepitaxial films on Si(111)

A. A. Mohammad Monzur-Ul-Akhir(富山大),  Masayuki Mori(富山大),  Koichi Maezawa(富山大),  

[発表日]2018-05-24
[資料番号]ED2018-17,CPM2018-4,SDM2018-12