エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2017/01/26)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[依頼講演]ミリ波GaN HEMTの現状

牧山 剛三(富士通),  新井田 佳孝(富士通),  尾崎 史朗(富士通),  多木 俊裕(富士通),  岡本 直哉(富士通),  美濃浦 優一(富士通),  佐藤 優(富士通),  鎌田 陽一(富士通),  常信 和清(富士通),  渡部 慶二(富士通),  宮本 泰幸(東工大),  

[発表日]2017-01-26
[資料番号]ED2016-98,MW2016-174
[依頼講演]金属/GaNショットキー接触の評価

塩島 謙次(福井大),  

[発表日]2017-01-26
[資料番号]ED2016-101,MW2016-177
[依頼講演]高周波GaN-HEMTの製品化の経緯

舘野 泰範(住友電工),  

[発表日]2017-01-26
[資料番号]ED2016-97,MW2016-173
[依頼講演]GaN電子デバイス用エピウエハの現状と課題

乙木 洋平(SCIOCS),  

[発表日]2017-01-26
[資料番号]ED2016-100,MW2016-176
[依頼講演]Si基板上GaNパワーデバイス

上田 哲三(パナソニック),  上本 康裕(パナソニック),  酒井 啓之(パナソニック),  田中 毅(パナソニック),  上田 大助(京都工繊大),  

[発表日]2017-01-26
[資料番号]ED2016-96,MW2016-172
[依頼講演]GaN縦型パワーデバイス実用化に向けた課題

須田 淳(京大),  

[発表日]2017-01-26
[資料番号]ED2016-99,MW2016-175
直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器

桑田 英悟(三菱電機),  杉本 篤夫(三菱電機),  小山 英寿(三菱電機),  加茂 宣卓(三菱電機),  幸丸 竜太(三菱電機),  山中 宏治(三菱電機),  

[発表日]2017-01-27
[資料番号]ED2016-110,MW2016-186
ゲート長0.15um GaN HEMTを用いた動作帯域8%、30W出力/60% PAEのX帯GaN電力増幅器

河村 由文(三菱電機),  半谷 政毅(三菱電機),  水谷 知大(三菱電機),  富山 賢一(三菱電機),  山中 宏治(三菱電機),  

[発表日]2017-01-27
[資料番号]ED2016-111,MW2016-187
低コスト送信器向け小型8.5-10.5GHz GaN-on-Si MMIC増幅器

神岡 純(三菱電機),  半谷 政毅(三菱電機),  中原 和彦(三菱電機),  岡崎 拓行(三菱電機),  山中 宏治(三菱電機),  

[発表日]2017-01-27
[資料番号]ED2016-109,MW2016-185
アンテナ-共振器間の飛越結合を用いた有極形フィルタリングアンテナの設計

宮崎 寿基(埼玉大),  大平 昌敬(埼玉大),  馬 哲旺(埼玉大),  王 小龍(埼玉大),  

[発表日]2017-01-27
[資料番号]ED2016-104,MW2016-180
Si基板上GaNHEMTの基板中RFリーク電流の温度特性を考慮した物理モデル

山口 裕太郎(三菱電機),  新庄 真太郎(三菱電機),  山中 宏治(三菱電機),  大石 敏之(佐賀大),  

[発表日]2017-01-27
[資料番号]ED2016-107,MW2016-183
GaN on Siを用いたX帯低損失・高耐電力スイッチ

幸丸 竜太(三菱電機),  半谷 政毅(三菱電機),  中原 和彦(三菱電機),  岡崎 拓行(三菱電機),  山中 宏治(三菱電機),  

[発表日]2017-01-27
[資料番号]ED2016-106,MW2016-182
AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性

大石 敏之(佐賀大),  山口 裕太郎(三菱電機),  山中 宏治(三菱電機),  

[発表日]2017-01-27
[資料番号]ED2016-108,MW2016-184
マイクロストリップコンポジット共振器を用いたデュアルバンド帯域通過フィルタの設計手法の改善

張 茹(埼玉大),  馬 哲旺(埼玉大),  大平 昌敬(埼玉大),  王 小龍(埼玉大),  陳 春平(神奈川大),  穴田 哲夫(神奈川大),  

[発表日]2017-01-27
[資料番号]ED2016-105,MW2016-181
ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善

高橋 剛(富士通研),  佐藤 優(富士通研),  芝 祥一(富士通研),  中舍 安宏(富士通研),  原 直紀(富士通研),  岩井 大介(富士通研),  岡本 直哉(富士通研),  渡部 慶二(富士通研),  

[発表日]2017-01-27
[資料番号]ED2016-102,MW2016-178
HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響

大澤 一斗(東工大),  野口 真司(東工大),  祢津 誠晃(東工大),  木瀬 信和(東工大),  宮本 恭幸(東工大),  

[発表日]2017-01-27
[資料番号]ED2016-103,MW2016-179