エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2015/07/24)

タイトル/著者/発表日/資料番号
X線光電子分光法によるSiO2/β-Ga2O3界面のバンドアライメント評価

小西 敬太(NICT),  上村 崇史(NICT),  ワン マンホイ(NICT),  佐々木 公平(タムラ製作所),  倉又 朗人(タムラ製作所),  山腰 茂伸(タムラ製作所),  東脇 正高(NICT),  

[発表日]2015-07-24
[資料番号]ED2015-40
n-GaN自立基板の劈開面に形成したショットキーダイオードの評価

永縄 萌(福井大),  青木 俊周(福井大),  三島 友義(法政大),  塩島 謙次(福井大),  

[発表日]2015-07-24
[資料番号]ED2015-37
N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価

青木 俊周(福井大),  谷川 智之(東北大),  片山 竜二(東北大),  松岡 隆志(東北大),  塩島 謙次(福井大),  

[発表日]2015-07-24
[資料番号]ED2015-36
有機強誘電体を用いたMFS型ダイヤモンドFETの形成

柄谷 涼太(金沢大),  古市 浩幹(金沢大),  中嶋 宇史(東京理科大),  徳田 規夫(金沢大),  川江 健(金沢大),  

[発表日]2015-07-24
[資料番号]ED2015-42
SiC MOSFET特性の基板不純物濃度依存性

矢野 裕司(奈良先端大/筑波大),  結城 広登(奈良先端大),  冬木 隆(奈良先端大),  

[発表日]2015-07-24
[資料番号]ED2015-41
AlN/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおける低周波ノイズ

鈴木 寿一(北陸先端大),  Son Phuong Le(北陸先端大),  Tuan Quy Nguyen(北陸先端大),  Hong-An Shih(北陸先端大),  

[発表日]2015-07-24
[資料番号]ED2015-39
リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング

美濃浦 優一(富士通研),  岡本 直哉(富士通研),  多木 俊裕(富士通研),  尾崎 史朗(富士通研),  牧山 剛三(富士通研),  鎌田 陽一(富士通研),  渡部 慶二(富士通研),  

[発表日]2015-07-24
[資料番号]ED2015-38
共鳴トンネル素子を用いたΔΣ型歪みセンサ

前澤 宏一(富山大),  角谷 祐一郎(富山大),  中山 大周(富山大),  田近 拓巳(富山大),  森 雅之(富山大),  

[発表日]2015-07-25
[資料番号]ED2015-46
再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス

木下 治紀(東工大),  祢津 誠晃(東工大),  三嶋 裕一(東工大),  金澤 徹(東工大),  宮本 恭幸(東工大),  

[発表日]2015-07-25
[資料番号]ED2015-44
AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性

竹鶴 達哉(東京理科大),  藤川 紗千恵(東京理科大),  原田 義彬(東京理科大),  鈴木 浩基(東京理科大),  磯野 恭佑(東京理科大),  加藤 三四郎(東京理科大),  辻 大介(東京理科大),  藤代 博記(東京理科大),  

[発表日]2015-07-25
[資料番号]ED2015-45
In-plane electrical properties of MnAs/InAs/GaAs(111)B heterostructures

イスラム エムディー ヤールル(北陸先端大),  グエン コン タン(北陸先端大),  赤堀 誠志(北陸先端大),  

[発表日]2015-07-25
[資料番号]ED2015-43