エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2014/07/25)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2014/7/25
[資料番号]
目次

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[発表日]2014/7/25
[資料番号]
高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術(招待講演,半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

高橋 剛,  佐藤 優,  中舎 安宏,  芝 祥一,  原 直紀,  岩井 大介,  

[発表日]2014/7/25
[資料番号]ED2014-53
GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたDouble-Gate Tunnel FETの理論特性とその実験的検証(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

大橋 一水,  藤松 基彦,  宮本 恭幸,  

[発表日]2014/7/25
[資料番号]ED2014-54
貫通転位がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響の解析(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

初芝 正太,  長井 彰平,  藤川 紗千恵,  原 紳介,  遠藤 聡,  渡邊 一世,  笠松 章史,  藤代 博記,  

[発表日]2014/7/25
[資料番号]ED2014-55
低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造(招待講演,半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

宮本 恭幸,  金澤 徹,  米内 義晴,  加藤 淳,  藤松 基彦,  柏野 壮志,  大澤 一斗,  大橋 一水,  

[発表日]2014/7/25
[資料番号]ED2014-56
III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

矢島 悠貴,  大濱 諒子,  藤川 紗千恵,  藤代 博記,  

[発表日]2014/7/25
[資料番号]ED2014-57
GaAs JPHEMT P-Type Cap層によるオフ特性改善(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

竹内 克彦,  谷口 理,  柳田 将志,  佐々木 有司,  中村 光宏,  和田 伸一,  

[発表日]2014/7/25
[資料番号]ED2014-58
シートデバイスに向けた塗布型カーボンナノチューブTFTの作製(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

遠藤 浩幸,  殿内 規之,  二瓶 史行,  関谷 毅,  染谷 隆夫,  

[発表日]2014/7/25
[資料番号]ED2014-59
Al_2O_3/β-Ga_2O_3ヘテロ接合におけるバンドオフセット(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

上村 崇史,  佐々木 公平,  ワン マンホイ,  ダイワシガマニ キルシナムルティ,  倉又 朗人,  増井 建和,  山腰 茂伸,  東脇 正高,  

[発表日]2014/7/25
[資料番号]ED2014-60
硬X線光電子分光によるGaAs表面の状態解析(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

斎藤 吉広,  鶴見 大輔,  飯原 順次,  富永 愛子,  米村 卓巳,  山口 浩司,  

[発表日]2014/7/25
[資料番号]ED2014-61
複写される方へ

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[発表日]2014/7/25
[資料番号]
Notice for Photocopying

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[発表日]2014/7/25
[資料番号]
奥付

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[発表日]2014/7/25
[資料番号]
裏表紙

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[発表日]2014/7/25
[資料番号]