エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2014/05/21)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2014/5/21
[資料番号]
目次

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[発表日]2014/5/21
[資料番号]
GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

石原 耕史,  近藤 保成,  松原 大幸,  岩谷 素顕,  上山 智,  竹内 哲也,  赤崎 勇,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-18,CPM2014-1,SDM2014-16
GaNSbのSb取り込みと表面形態に関する検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

小森 大資,  笹島 浩希,  鈴木 智行,  竹内 哲也,  上山 智,  岩谷 素顕,  赤崎 勇,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-19,CPM2014-2,SDM2014-17
空気中で熱処理したTiN粉末の光触媒特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

以西 雅章,  山田 良隆,  星 陽一,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-20,CPM2014-3,SDM2014-18
酸化チタンナノ構造の作製と色素増感太陽電池光電極への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

岸 直希,  野崎 雅之,  榊原 将太,  都築 拓也,  藤満 新太,  曽我 哲夫,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-21,CPM2014-4,SDM2014-19
All carbon p-i-n solar cell by microwave surface wave plasma CVD

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[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-22,CPM2014-5,SDM2014-20
LiMn_2O_4薄膜の生成条件の最適化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

早川 由洋,  以西 雅章,  冨田 靖正,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-23,CPM2014-6,SDM2014-21
積層界面数が異なる強磁性-強誘電複合体の電気磁気効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

岩水 大樹,  籠宮 功,  柿本 健一,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-24,CPM2014-7,SDM2014-22
パルスレーザー堆積法にてSrTiO_3(100)基板上に作製したBiFe_<1-x>Mn_xO_3薄膜の結晶構造と電気的磁気的特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

稲葉 隆哲,  岩田 展幸,  渡部 雄太,  大島 佳祐,  高瀬 浩一,  橋本 拓也,  山本 寛,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-25,CPM2014-8,SDM2014-23
超高密度ターゲットを用いたパルスレーザー堆積法によるFe系およびMn系ペロブスカイト型酸化物薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

大島 佳祐,  岩田 展幸,  渡部 雄太,  稲葉 隆哲,  橋本 拓也,  高瀬 浩一,  山本 寛,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-26,CPM2014-9,SDM2014-24
磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

洗平 昌晃,  山本 貴博,  白石 賢二,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-27,CPM2014-10,SDM2014-25
導波路を伝搬した表面プラズモン信号によるMOSFETの直流および交流動作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

酒井 宏基,  相原 卓磨,  武田 愛弓,  福原 雅史,  太田 雅,  木村 優,  石井 佑弥,  福田 光男,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-28,CPM2014-11,SDM2014-26
表面波プラズマを用いたシリコン窒化膜の化学気相堆積とデバイス応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

川上 恭平,  石丸 貴博,  篠原 正俊,  岡田 浩,  古川 雅一,  若原 昭浩,  関口 寛人,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-29,CPM2014-12,SDM2014-27
蒸気圧制御温度差液相成長法によるGaSe結晶の電気的特性と差周波THz波発生特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

鈴木 康平,  長井 悠輝,  前田 健作,  小山 裕,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-30,CPM2014-13,SDM2014-28
窒化物系LED作製のレーザー加工による光取り出し効率向上の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

花井 駿,  鈴木 敦志,  北野 司,  飯田 大輔,  加藤 貴久,  岩谷 素顕,  竹内 哲也,  上山 智,  赤崎 勇,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-31,CPM2014-14,SDM2014-29
酸素分光計測用760nm分布帰還型半導体レーザの開発(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

北島 秀訓,  樋口 彰,  藤原 淳志,  内藤 秀幸,  前田 純也,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-32,CPM2014-15,SDM2014-30
窒化物半導体LEDにおけるキャリア輸送への分極固定電荷の影響(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

勝野 翔太,  林 健人,  安田 俊輝,  岩谷 素顕,  竹内 哲也,  上山 智,  赤崎 勇,  天野 浩,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-33,CPM2014-16,SDM2014-31
窒化物半導体HFET型紫外受光素子の火炎センサー応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

山本 雄磨,  村瀬 卓弥,  石黒 真未,  山田 知明,  岩谷 素顕,  上山 智,  竹内 哲也,  赤崎 勇,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-34,CPM2014-17,SDM2014-32
超狭帯域LED光源の開発とその皮膚医学応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)及びその他)

小笠原 正弘,  平尾 孝,  藤田 静雄,  

[発表日]2014/5/21
[資料番号]ED2014-35,CPM2014-18,SDM2014-33
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