エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2013/08/01)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2013/8/1
[資料番号]
目次

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[発表日]2013/8/1
[資料番号]
共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

呉 東坡,  水牧 勝太朗,  潘 杰,  森 雅之,  前澤 宏一,  

[発表日]2013/8/1
[資料番号]ED2013-37
高性能共鳴トンネルダイオードのための溶融ガリウムバンプを用いたFluidic Self-Assembly(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

中野 純,  柴田 知明,  森田 弘樹,  坂本 宙,  森 雅之,  前澤 宏一,  

[発表日]2013/8/1
[資料番号]ED2013-38
トンネルダイオード線路上のエッジ振動ダイナミクス(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

楢原 浩一,  

[発表日]2013/8/1
[資料番号]ED2013-39
容量-周波数-温度マッピングによるGaN系金属-絶縁体-半導体デバイスの解析(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

鈴木 寿一,  H.-A. Shih,  工藤 昌宏,  

[発表日]2013/8/1
[資料番号]ED2013-40
スパッタリング堆積BN膜のAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタへの応用(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

山本 裕司,  /,  工藤 昌宏,  鈴木 寿一,  

[発表日]2013/8/1
[資料番号]ED2013-41
AlGaN/GaNと金属との反応による二次元電子ガス濃度と移動度の増加(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

徳田 博邦,  小島 敏和,  葛原 正明,  

[発表日]2013/8/1
[資料番号]ED2013-42
Al_2O_3/n-Ga_2O_3 MOSダイオード特性評価(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

上村 崇史,  ワン マンホイ,  佐々木 公平,  ダイワシガマニ キルシナムルティ,  倉又 朗人,  増井 建和,  山腰 茂伸,  東脇 正高,  

[発表日]2013/8/1
[資料番号]ED2013-43
超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

藤野 舜也,  水野 雄太,  高岡 和央,  森 雅之,  前澤 宏一,  

[発表日]2013/8/1
[資料番号]ED2013-44
真空アニール法がAl_2O_3/GaSb MOS界面に与える影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

後藤 高寛,  藤川 紗千恵,  藤代 博記,  小倉 睦郎,  安田 哲二,  前田 辰郎,  

[発表日]2013/8/1
[資料番号]ED2013-45
Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

町田 龍人,  戸田 隆介,  吉木 圭祐,  藤川 紗千恵,  原 紳介,  色川 勝己,  三木 裕文,  河津 璋,  藤代 博記,  

[発表日]2013/8/1
[資料番号]ED2013-46
InGaAs 2次元電子ガス 2層系におけるサブバンド輸送と量子ホール効果(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

日高 志郎,  岩瀬 比宇麻,  赤堀 誠志,  山田 省二,  今中 康貴,  高増 正,  

[発表日]2013/8/1
[資料番号]ED2013-47
GaAs上の領域選択分子線成長による面内配向InAsナノワイヤの試作と電気的評価(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

赤堀 誠志,  村上 達也,  山田 省二,  

[発表日]2013/8/1
[資料番号]ED2013-48
Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

王 〓,  森 雅之,  前澤 宏一,  

[発表日]2013/8/1
[資料番号]ED2013-49
複写される方へ

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[発表日]2013/8/1
[資料番号]
Notice for Photocopying

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[発表日]2013/8/1
[資料番号]
奥付

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[発表日]2013/8/1
[資料番号]
裏表紙

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[発表日]2013/8/1
[資料番号]