エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2013/05/09)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2013/5/9
[資料番号]
目次

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[発表日]2013/5/9
[資料番号]
様々な加工処理を施した4H-SiC表面のキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

森 祐人,  加藤 正史,  市村 正也,  

[発表日]2013/5/9
[資料番号]ED2013-16,CPM2013-1,SDM2013-23
4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

中根 浩貴,  加藤 正史,  市村 正也,  大島 武,  

[発表日]2013/5/9
[資料番号]ED2013-17,CPM2013-2,SDM2013-24
カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

藤田 陽平,  高野 泰,  井上 翼,  中野 貴之,  

[発表日]2013/5/9
[資料番号]ED2013-18,CPM2013-3,SDM2013-25
中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

渥美 勝浩,  三宅 亜紀,  三村 秀典,  井上 翼,  青木 徹,  中野 貴之,  

[発表日]2013/5/9
[資料番号]ED2013-19,CPM2013-4,SDM2013-26
表面窒化によるGaAsN混晶の形成(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

浦上 法之,  若原 昭浩,  関口 寛人,  岡田 浩,  

[発表日]2013/5/9
[資料番号]ED2013-20,CPM2013-5,SDM2013-27
The dissolution process of Si into Ge melt and SiGe growth mechanism by X-ray penetration method

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[発表日]2013/5/9
[資料番号]ED2013-21,CPM2013-6,SDM2013-28
収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

鈴木 悠平,  三輪 一聡,  サレ ファイズ,  下村 勝,  石田 明広,  池田 浩也,  

[発表日]2013/5/9
[資料番号]ED2013-22,CPM2013-7,SDM2013-29
Investigation of monodispersed ZnO nanostructures for dye sensitized solar cells application

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[発表日]2013/5/9
[資料番号]ED2013-23,CPM2013-8,SDM2013-30
Investigations of mesoporous TiO_2 spheres as active and scattering layers in dye-sensitized solar cells

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[発表日]2013/5/9
[資料番号]ED2013-24,CPM2013-9,SDM2013-31
Low cost synthesized carbon materials as a photo cathode for Dye sensitized Solar cells

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[発表日]2013/5/9
[資料番号]ED2013-25,CPM2013-10,SDM2013-32
Surface Modified FTO Thin Films for Front Electrodes in Dye Sensitized Solar Cells

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[発表日]2013/5/9
[資料番号]ED2013-26,CPM2013-11,SDM2013-33
電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

熊崎 祐介,  神保 亮平,  谷田部 然治,  佐藤 威友,  

[発表日]2013/5/9
[資料番号]ED2013-27,CPM2013-12,SDM2013-34
単一ドーパント原子トランジスタの電子トンネル輸送高温化 : 室温動作に向けて(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

モラル ダニエル,  ハミッド エルファン,  サマンタ アルプ,  アン レ・テ,  水野 武志,  水田 博,  田部 道晴,  

[発表日]2013/5/9
[資料番号]ED2013-28,CPM2013-13,SDM2013-35
電子的確率共鳴の非侵襲生体信号計測への応用に関する検討(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

今井 裕理,  葛西 誠也,  

[発表日]2013/5/9
[資料番号]ED2013-29,CPM2013-14,SDM2013-36
シリサイド半導体の結晶成長とデバイス応用(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

鵜殿 治彦,  

[発表日]2013/5/9
[資料番号]ED2013-30,CPM2013-15,SDM2013-37
CMOSイメージセンサ技術を用いたファブリペロー干渉計による非標識バイオセンサ(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

小澤 遼,  高橋 一浩,  大山 泰生,  二川 雅登,  太齋 文博,  石田 誠,  澤田 和明,  

[発表日]2013/5/9
[資料番号]ED2013-31,CPM2013-16,SDM2013-38
CuとFeを担持したTiO_2スパッタ薄膜の光触媒特性の評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

山田 良隆,  渥美 剛,  白木 遼,  以西 雅章,  安田 洋司,  星 陽一,  

[発表日]2013/5/9
[資料番号]ED2013-32,CPM2013-17,SDM2013-39
高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

三宅 景子,  安田 智成,  加藤 正史,  市村 正也,  畑山 智亮,  大島 武,  

[発表日]2013/5/9
[資料番号]ED2013-33,CPM2013-18,SDM2013-40
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