エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2012/07/19)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2012/7/19
[資料番号]
目次

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[発表日]2012/7/19
[資料番号]
AlGaN/GaN MIS HEMTの直流特性に与える熱処理の影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

畑野 舞子,  谷口 裕哉,  徳田 博邦,  葛原 正明,  

[発表日]2012/7/19
[資料番号]ED2012-41
AlGaN/GaN MISHFETチャネル電子移動度の測定(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

玉井 健太郎,  〓 金平,  菊田 大悟,  杉本 雅裕,  大野 泰夫,  

[発表日]2012/7/19
[資料番号]ED2012-42
Temperature dependence of frequency dispersion in C-V characteristics of AlN/AlGaN/GaN MIS-HFET

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[発表日]2012/7/19
[資料番号]ED2012-43
AlInN/GaN系ヘテロ構造の表面・界面評価(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

橋詰 保,  堀 祐臣,  赤澤 正道,  

[発表日]2012/7/19
[資料番号]ED2012-44
p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

高橋 利文,  金田 直樹,  三島 友義,  野本 一貴,  塩島 謙次,  

[発表日]2012/7/19
[資料番号]ED2012-45
表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

高橋 利文,  金田 直樹,  三島 友義,  梶原 隆司,  田中 悟,  塩島 謙次,  

[発表日]2012/7/19
[資料番号]ED2012-46
フルバンドモデルに基づくAlGaN/GaN HEMTの衝突イオン化の理論検討(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

児玉 和樹,  徳田 博邦,  葛原 正明,  

[発表日]2012/7/19
[資料番号]ED2012-47
量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

永井 佑太郎,  佐藤 純,  原 紳介,  藤代 博記,  遠藤 聡,  渡邊 一世,  

[発表日]2012/7/19
[資料番号]ED2012-48
トンネルダイオードの非平衡量子輸送モデルの構築と遮断周波数の理論解析(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

山下 新,  倉上 祐司,  斉藤 光史,  須原 理彦,  

[発表日]2012/7/19
[資料番号]ED2012-49
広帯域アンテナ集積共鳴トンネルダイオードのアレイ化発振源における注入同期特性および周波数コム特性の大信号解析(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

浅川 澄人,  田代 篤史,  斉藤 光史,  須原 理彦,  

[発表日]2012/7/19
[資料番号]ED2012-50
GaAs系エッチングナノワイヤCCDにおける同期電荷転送と効率に関する検討(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

中野 雄紀,  田中 貴之,  葛西 誠也,  

[発表日]2012/7/19
[資料番号]ED2012-51
非局所配置を用いた高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系へのスピン注入実験(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

日高 志郎,  近藤 太郎,  赤堀 誠志,  山田 省二,  

[発表日]2012/7/19
[資料番号]ED2012-52
ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

鷹林 将,  楊 猛,  小川 修一,  林 広幸,  栗田 裕記,  高桑 雄二,  末光 哲也,  尾辻 泰一,  

[発表日]2012/7/19
[資料番号]ED2012-53
複写される方へ

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[発表日]2012/7/19
[資料番号]
Notice for Photocopying

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[発表日]2012/7/19
[資料番号]
奥付

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[発表日]2012/7/19
[資料番号]
裏表紙

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[発表日]2012/7/19
[資料番号]